公开(公告)号：CN116387383A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202310364933.8

申请日：2023-04-07

Applicant: 合肥工业大学

Inventor： 张彦 ,  吴成云 ,  周鑫阳 ,  蒋阳 ,  许俊 ,  陈俊伟

IPC: H01L31/0336 ,  H01L31/10 ,  H01L31/18 ,  B82Y15/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种二硫化钼/铯铅溴复合光电探测器及其制备方法，其是在绝缘衬底上通过双源气相法沉积有CsPbBr3薄膜，在CsPbBr3薄膜上通过旋涂MoS2纳米晶溶液，使MoS2纳米晶钝化CsPbBr3薄膜表面的晶界及缺陷并与CsPbBr3薄膜形成异质结。与纯CsPbBr3光电探测器相比，本发明的复合光电探测器的光电性能显著提高，具有响应度高、响应速度快、比探测率高的优势；同时，本发明的复合光电探测器在无任何封装情况下，暴露在空气中4个月后性能仍保持在最初的90％以上，具有优异的稳定性。

公开(公告)号：CN116364801A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202310116999.5

申请日：2023-02-15

Applicant: 华南师范大学

Inventor： 杨宝翔 ,  高伟 ,  霍能杰 ,  李京波

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明属于宽谱偏振光探测领域，公开了一种基于γ‑InSe/Ge混维异质结的光电二极管及其制备方法和应用，所述混维异质结的光电二极管的结构为漏电极/InSe/Ge垂直异质结/源电极；该光电二极管是先在Ge衬底上沉积SiO2介质层，利用光刻和刻蚀在SiO2介质层上获得Ge窗口，随后光刻显影出电极图案并沉积金属得到源电极和漏电极，再将InSe纳米片转移至Ge窗口上形成InSe/Ge混维异质结，在惰性气体中100～150℃退火处理制得。该光电二极管在400～1600nm波长内具有优异的自驱动光响应和宽波段偏振光探测的性能，可用于超快宽谱探测，偏振光探测和近红外成像等领域。

公开(公告)号：CN116314429A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310280706.7

申请日：2023-03-22

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 邢艳辉 ,  王冰辉 ,  韩军 ,  关宝璐

IPC: H01L31/113 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种低暗电流高响应度的二维材料探测器及其制备方法，属于新型材料光探测器领域，二维材料探测器结构基于范德瓦尔斯异质结，包含三层二维材料，一同构建两个正垂直PN结构，并且使下方PN结为Ⅲ型能带对准结构，同时使上方PN结为Ⅱ型能带对准结构。该结构可以有效的降低探测器暗电流，提高器件响应度。本发明为基于范德瓦尔斯异质结二维材料探测器，为降低器件暗电流，提高响应度和探测率提供了一种新的解决方案，具有深刻而广泛的研究意义和应用前景。

公开(公告)号：CN116314390A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310167865.6

申请日：2023-02-27

Applicant: 中国石油大学(华东)

Inventor： 姬洪光 ,  凌翠翠 ,  王敬尧 ,  荣晨 ,  薛鑫 ,  傅嘉文

IPC: H01L31/0336 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明属于光探测技术领域，具体涉及一种自驱动光电探测器，该自驱动光电探测器，由上至下依次包括金属In点电极、金属Pd前电极、Ga2O3薄膜‑PdTe2颗粒薄膜层、Si单晶基底和金属In背电极。Ga2O3薄膜‑PdTe2颗粒薄膜层是利用化学气相沉积、磁控溅射、氮气退火处理等方法制备的。测试结果显示，所制备薄膜器件表现出良好的自驱动光探测性能，具有性能稳定等优点。

公开(公告)号：CN116314385A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310412313.7

申请日：2023-04-18

Applicant: 北京师范大学

Inventor： 王兆娜 ,  朱蒙

IPC: H01L31/0296 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种梯度界面态的实现方法和一种梯度界面态增强的自供能光电探测器，包括p‑Si基底，梯度界面态分布的n型氧化物半导体薄膜和导电电极；所述的梯度界面态分布通过同时施加偏置电压和紫外光辐照的方法获得，获得的带负电的界面态浓度沿p‑n结界面向顶部电极方向增大，减小了界面转移电阻，获得了增强的p‑n结等效内建电场，进而降低界面处载流子的复合几率，提升了热释电光电子学效应，提高了光生载流子的瞬态输运效率。所述的梯度界面态产生方法具有灵活、容易实现的特点；所述的梯度界面态增强的自供能光电探测器的响应度和探测能力相较于均匀界面态分布提升显著，并且增强效果具有在紫外‑可见‑近红外光区普遍适用的特点，可广泛应用于热成像、环境监测、智能农业、生物医学、导弹制导和空间通讯等民用和军事领域。

公开(公告)号：CN113517366B

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN202110550031.4

申请日：2021-05-20

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 胡彦飞 ,  兰志超 ,  郭辉 ,  王雨田 ,  袁昊 ,  何艳静

IPC: H01L31/0336 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种新型异质结光电探测器及其制备方法，由碳化硅、单层石墨烯、氧化镓和电极组成，所述单层石墨烯设置于所述碳化硅与所述氧化镓之间，所述电极为两个，两个所述电极均与所述单层石墨烯接触连接。与现有技术相比，本发明采用异质结型结构，具有高响应速度，高迁移率，高光暗电流比。本发明在该区域内设置了一层高迁移率的石墨烯，使得二维电子气层与石墨烯层重合，从而达到更高的电子迁移率。以此结构制备的光电探测器会拥有高迁移率，高响应速度，以及高光暗电流比，具有推广应用的价值。

公开(公告)号：CN113097321B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202110345225.0

申请日：2021-03-31

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 吕慧丹 ,  王子良 ,  刘勇平 ,  班如静 ,  王璇

IPC: H01L31/0336 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明提供了一种MoS2/SnSe2/H‑TiO2异质结光电探测器件的制备方法，包括以下步骤：(1)使用阳极氧化法制备TiO2纳米管；(2)使用双温区真空气氛管式炉生长SnSe2纳米片，得到SnSe2/H‑TiO2异质结；(3)将得到的SnSe2/H‑TiO2异质结放置于溅射真空室，使用靶材MoS2(纯度99.99％)以室温下，氩气氛围，采用磁控溅射法在SnSe2/H‑TiO2异质结上复合MoS2，得到了MoS2/SnSe2/H‑TiO2异质结。本发明方法制得到的MoS2/SnSe2/H‑TiO2异质结光电探测器件具有较大的光响应值和探测率。

公开(公告)号：CN111341874B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202010156792.7

申请日：2020-03-09

Applicant: 合肥工业大学

Inventor： 王斌 ,  张悦 ,  曾斌 ,  赵妍 ,  李心贺 ,  吴春艳

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/18 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明公开了基于Si微米孔/CuO垂直结构异质结的自驱动宽带光电探测器及其制备方法，是在带有绝缘层的Si基底上刻蚀形成Si微米孔阵列，再通过磁控溅射在Si孔阵列的上方沉积CuO薄膜，构建Si微米孔/CuO垂直结构异质结，然后再转移石墨烯到CuO薄膜上方作为透明顶电极、在Si基底背面刷涂底电极，即完成光电探测器的制作。本发明以高纯铜靶为靶材，利用磁控直流反应溅射，一步实现薄膜的沉积和异质结器件的制备，探测器性能优越、制备过程简单易行，与现行Si基半导体工艺具有良好的兼容性。

公开(公告)号：CN113517374B

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202110737254.1

申请日：2021-06-30

Applicant: 南京邮电大学 ,  南京亿浦先进材料研究院有限公司

Inventor： 陈子博 ,  吴强 ,  李雪 ,  何倩 ,  焦云飞 ,  韩旭然 ,  陈剑宇 ,  应世强 ,  李谊 ,  马延文

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0336 ,  C23C14/08 ,  C23C14/32 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种氧化锌包覆氧化铜纳米线的异质结阵列的制备方法，本发明在液相法生长的氧化铜纳米线的基础上，将其作为反应衬底，采用弧光放电等离子体技术将氧化锌颗粒均匀沉积在氧化铜纳米线表面，形成均匀稳定的氧化锌修饰的氧化铜纳米线异质结阵列结构。本发明的好处在于利用新型气相沉积技术可在氧化铜纳米线表面一步沉积氧化锌颗粒，且氧化锌涂层与氧化铜纳米线表面具有强的结合力，且可大规模制备。

公开(公告)号：CN115763611A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202211416309.X

申请日：2022-11-12

Applicant: 东北师范大学

Inventor： 李炳生 ,  韩玉蕊 ,  王月飞 ,  刘益春

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及一种pin异质结紫外光电探测器及其制备方法，包括：衬底、GaN层、Ga2O3层和导电半导体层；所述GaN层和所述导电半导体层上方均设置有金属电极；所述金属电极与下方材料形成欧姆接触。本发明的探测器既可以降低器件在工作过程中的漏电流，也可以有效提高紫外光吸收率和光生载流子分离效率，从而提升器件的光探测性能。