公开(公告)号：CN102969024A

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201210310140.X

申请日：2012-08-28

申请人： 成都海存艾匹科技有限公司

发明人： 张国飙

IPC分类号： G11C17/10 ,  G11C29/00

CPC分类号： G11C5/02 ,  G11C11/005 ,  G11C17/12 ,  G11C29/08 ,  G11C29/52 ,  G11C29/822 ,  G11C2029/0401 ,  G11C2029/0409

摘要： 随着存储容量的增加，三维掩膜编程只读存储器（3D-MPROM）的测试时间变得很长，成本很高。相应地，本发明提出一种自修复系统。3D-MPROM的大部分数据在出厂时未被检测，而在使用现场被检测和修复。该系统含有一播放器。内容通过网络等通讯手段逐次传输至播放器的可重复写存储器（RWM）中。一段时间后，用户收到存储上述内容集合的3D-MPROM。播放器对其数据进行检测。如果发现错误数据，则从RWM处获取相应的正确数据。

公开(公告)号：CN101763899B

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN200810186013.7

申请日：2002-11-17

申请人： 成都海存艾匹科技有限公司

发明人： 张国飙

IPC分类号： G11C17/10 ,  H01L27/112

摘要： 采用二级化存储元的三维只读存储器，本发明提出一种采用二级化存储元的三维只读存储器(3D-ROM)。该二极化存储元的准导通膜与上下电极具有不同界面。二极化存储元能提高3D-ROM单位阵列的大小，从而提高其存储密度和可集成性。

公开(公告)号：CN102262904A

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN201010194950.4

申请日：2010-05-24

申请人： 张国飙

发明人： 张国飙

IPC分类号： G11C17/10

摘要： 本发明提供一种多位元(large bit-per-cell)三维掩膜编程存储器(3D-MPROMB)，其每个存储元能存储多位(如4位)信息。3D-MPROMB通过在存储元中增加电阻膜和/或电阻元素来增大存储元伏-安曲线可调节的范围。

公开(公告)号：CN101540318B

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN200810185313.3

申请日：2002-11-17

申请人： 张国飙

发明人： 张国飙

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L27/112 ,  H01L27/115 ,  G11C17/00 ,  G11C17/10

摘要： 本发明提出一种采用微晶半导体材料的三维只读存储器(3D-ROM)。其3D-ROM膜含有微晶半导体材料，微晶半导体材料能降低3D-ROM膜和电极之间的接触电阻，从而缩短3D-ROM的首访时间。

公开(公告)号：CN101540318A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200810185313.3

申请日：2002-11-17

申请人： 张国飙

发明人： 张国飙

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L27/112 ,  H01L27/115 ,  G11C17/00 ,  G11C17/10

摘要： 本发明提出一种采用微晶半导体材料的三维只读存储器(3D－ROM)。其3D－ROM膜含有微晶半导体材料，微晶半导体材料能降低3D－ROM膜和电极之间的接触电阻，从而缩短3D－ROM的首访时间。

公开(公告)号：CN101459179A

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200810184957.0

申请日：2005-11-14

申请人： 张国飙

发明人： 张国飙

IPC分类号： H01L27/10 ,  H01L27/06 ,  H01L23/522 ,  G11C17/06 ,  G11C17/10 ,  G06F21/00

摘要： 在基于二极管的宽字线三维存储器中，字线线宽最好大于位线线宽。这是因为：1)二极管存储器的成品率对字线缺陷较为敏感(位线缺陷较易纠正)；2)在读过程中，字线需要给多根位线提供电流，其方块电阻最好具有较小值。

公开(公告)号：CN101145575A

公开(公告)日：2008-03-19

申请号：CN200610127479.0

申请日：2006-09-15

申请人： 应用智慧有限公司

发明人： 颜子师

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L27/115 ,  G11C17/10 ,  G11C29/44

摘要： 本发明涉及存储单元及阵列。该存储单元包括：一栅极、一介电层位于该栅极下方及一有源区。该有源区包括一第一源/漏极区、一第二源/漏极区、一正交场沟道区位于栅极下方、一边际场沟道区介于该第一源漏极区与该正交场沟道区之间、一延伸掺杂区介于该第二源漏极区与该正交场沟道区之间及一金属硅化合物层。该金属硅化合物形成于该栅极、该第一源漏极区及第二源漏极区之上。

公开(公告)号：CN101140776A

公开(公告)日：2008-03-12

申请号：CN200710141961.4

申请日：2007-08-10

申请人： 罗门哈斯公司

发明人： 卜路嘉 ,  E·C·格里 ,  C·R·斯兹曼达

IPC分类号： G11B9/12 ,  G11B9/14 ,  G11C17/10

CPC分类号： G11B9/149 ,  B82Y10/00 ,  G11B9/02 ,  G11B9/14 ,  G11C11/5657

摘要： 本发明揭示了一种写入和读取信息的装置和方法。具体地，揭示了一种存储装置，其包括电场可编程膜，所述电场可编程膜包括多个独立映射的部分，它们对应于多个独立的存储单元；所述存储装置包含作为多比特信息存储的信息。还揭示了在电场可编程膜中存储信息的方法，该方法包括：提供具有顶面和底面的电场可编程膜；通过使用至少一个触针，从所述电场可编程膜的顶面到底面施加贯穿该电场可编程膜的写入电压，从而将信息写入至所述电场可编程膜；所述写入电压在所述电场可编程膜内感生持久的极化域；所述电场可编程膜包括至少两种可用的信息态，每种可用的信息态对应于不同的极化。还揭示了一种读取电场可编程膜中存储的信息的方法。

公开(公告)号：CN1610008A

公开(公告)日：2005-04-27

申请号：CN200310108121.X

申请日：2003-10-24

申请人： 上海宏力半导体制造有限公司

发明人： 邓源伟 ,  潘梦瑜 ,  张有志

IPC分类号： G11C17/10 ,  G11C7/06 ,  H01L27/112

CPC分类号： G11C17/10 ,  G11C7/062 ,  G11C7/14

摘要： 本发明提供一种光刻式只读存储器的感测放大器，包含一多路器、若干比较器、若干第一选择晶体管、及第二选择晶体管。第一选择晶体管及第二选择晶体管的栅极皆连接至一字符线选择(Word Line Select)、第一选择晶体管的一掺杂区连接至多路器(multiplexer)以产生若干讯号，另一掺杂区则连接至一选择位线。每一第二选择晶体管的一掺杂区连接至每一比较器、另一掺杂区则连接至一外界电压。当每一讯号与每一第二选择晶体管的其一掺杂区连接至每一比较器时，可决定一记忆胞电压状态(cell voltage status)。

公开(公告)号：CN1199193C

公开(公告)日：2005-04-27

申请号：CN98810574.8

申请日：1998-08-28

申请人： 薄膜电子有限公司

发明人： H·G·古德森 ,  P·-E·诺达尔 ,  G·I·莱斯塔德

IPC分类号： G11C11/56 ,  G11C17/10 ,  H01L27/102

CPC分类号： G11C13/0014 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/5664 ,  G11C11/5692 ,  G11C13/0016 ,  H01L27/112

摘要： 一种只读存储器形成为可在无源导体矩阵上电寻址，其中矩阵中两导体(2，4)间的空间限定一个存储单元(5)。数据在存储单元中存储为阻抗值。存储单元(5)包括提供高阻抗的隔离材料(6)或一个或多个较好是具有各向异性导电特性的无机或有机半导体(9)。半导体材料(9)与矩阵中金属导体(2，4)的界面构成二极管结。通过在存储单元中适当地设置各隔离材料(6)和半导体材料(9)，可以给出可电读取且对应于二进制或多值编码的逻辑值的确定阻抗值。一个或多个只读存储器(ROM)可设于半导体衬底(1)上，以完成只读存储器件，半导体衬底(1)上还包括驱动和控制电路(13)。该器件可以平面实现，或可以通过以水平层(15)层叠数个只读存储器(ROM)，并使它们通过寻址总线与衬底(1)连接立体实现。