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公开(公告)号：CN1979907A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN200610153145.0
申请日：2006-12-05
申请人： 雅马哈株式会社
发明人： 安竹秀寿
CPC分类号： H05K3/46 , H01L35/08 , H01L35/32 , Y10T29/49155
摘要： 一种热电模块。可以包括，具有安装部分和延伸部分的第一基底，以及面向该安装部分的第二基底。第一电极设置在安装部分上并具有金制第一表面层。第二电极设置在第二基底上并具有金制第二表面层。热电元件通过焊料在第一电极阵列和第二电极阵列之间电结合。结合层设置在延伸部分上，并具有金制第三表面层。金制第一表面层通过间隙与金制第三表面层分隔开。金属层在间隙下方。金属层具有的焊料润湿性比金制第一表面层和金制第三表面层的焊料润湿性 低。
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公开(公告)号：CN1836340A
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200480017390.8
申请日：2004-05-13
申请人： 应用数字解决方案公司
摘要： 公开了一种用于热电发生器(10)的箔段，热电发生器(10)包括按照分隔关系设置在底板(12)上的顶板(14)。箔段阵列(16)以并排排列的形式垂直地设置在底板和顶板之间，并与之热接触。每一个箔段包括具有大约7.5－50微米厚度的衬底(18)，相对的前和后衬底表面，以及以并排排列的形式设置在前衬底表面上的一系列分隔的交替n型和p型热电分支。由具有大约5－100微米厚度、大约10－100微米宽度和大约100－500微米长度的基于碲化铋的热电材料形成每个n型和p型分支(32，34)。交替的n型和p型热电分支(32，34)在电学上串联连接，而在热学上并联连接，使得底板和顶板之间的温差导致产生电力。
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公开(公告)号：CN1822407A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200610004246.1
申请日：2006-02-13
申请人： 雅马哈株式会社
发明人： 安竹秀寿
CPC分类号： H01L35/08
摘要： 本发明提供一种热电组件及其制造方法，不用大型化或提高成本，就能够防止焊料导致的电极间的短路。通过在相对配置的下基板的内面上形成下部电极，同时在上基板的内面上形成上部电极，将热电元件的端面分别软钎焊在下部电极和上部电极上，来构成热电组件。而且，各个电极，是由铜层、铜层的一个面上形成的镍层、镍层的一个面上形成的金层这3层构成，并在镍层上形成向外侧突出的檐部，在将热电元件置于电极的上侧来将电极和热电元件软钎焊时，防止焊料从电极的侧部流到绝缘基板上。
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公开(公告)号：CN115485865A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202180031404.5
申请日：2021-01-21
申请人： 泰格韦有限公司
发明人： 吴玉均
摘要： 本发明涉及一种热电模块和包括热电模块的热电装置。本发明的一个方面提供了一种热电装置，热电装置包括串联连接在第一端子和第二端子之间的多个热电组，第一端子和第二端子设置成可变形为曲面的板状，热电装置具有第一表面和与第一表面相对的第二表面作为主表面，并热电装置被配置为从外部接收电源，其中多个热电组包括：第一热电组，其被配置为通电时向第一表面提供冷感和暖感中的任一种，并且包括设置在第一表面和第二表面之间的N型半导体和P型半导体，以及电极，其被配置为交替地连接N型半导体和P型半导体，并且设置为与主表面的任一表面相邻，以及第二热电组，其在通电时向第一表面提供冷感和暖感中的另一个，并且包括设置在所述第一表面和所述第二表面之间的N型半导体和P型半导体，以及电极，所述电极被配置为交替地连接N型半导体和P型半导体，并且设置为与主表面的任何一个表面相邻；其中，当与第一热电组的电极中的第一表面相邻的电极的第一端子电性相邻的一端与N型半导体连接时，与第二热电组的电极中的第一表面相邻的电极的第一端子电性相邻的一端与P型半导体连接，其中，当与第一热电组的电极中的第一表面相邻的电极的第一端子电性相邻的一端与P型半导体连接时，与第二热电组的电极中的第一表面相邻的电极的第一端子电性相邻的一端与N型半导体连接，并且其中第一热电组和第二热电组通过连接电极连接，并且连接电极连接第一热电组的N型半导体和第二热电组的N型半导体或连接第一热电组的P型半导体和第二热电组的P型半导体。
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公开(公告)号：CN115208239A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210709006.0
申请日：2022-06-22
申请人： 深圳市南霸科技有限公司
发明人： 刘贤喜
摘要： 本发明公开了一种热量处理装置和温差发电器，热量处理装置包括第一接头和第二接头，且第一接头的温度大于第二接头的温度，热量处理装置位于储能设备中，对第一接头供热，通过第二接头进行排热，第一接头吸收的热量中的第一部分作为珀尔帖热吸收，第二部分通过热传导传向第二接头，排出的热量为第二接头放出的珀尔帖热和从热接头传导来的第二部分热量之和，并将热量转换成电能，这样，通过温度差将热量转换成电能进行再利用，提高了能量的利用率。
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公开(公告)号：CN114497335A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210063653.9
申请日：2022-01-20
申请人： 济南大学
摘要： 本发明公开了一种方钴矿热电材料电极以及方钴矿热电材料与电极的连接方法，电极原料为铝粉、氧化铝粉、氯化铵粉末。本发明将方钴矿热电材料埋入原料的混合物粉末，在一定温度下使之发生反应和扩散，实现了电极与CoSb3热电材料的连接。该方法具有生产周期短，设备投资小、操作简单等优点，极大的提高了热电材料与电极连接的效率，适用于大规模生产。
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公开(公告)号：CN114267781A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111583294.1
申请日：2021-12-22
申请人： 河南农业大学
摘要： 本发明公开了一种基于热电效应的自供电温度传感器及制备方法和应用，旨在提供一种基于高性能碲化铋基薄膜热电材料的、灵敏度高、灵活性强的温度传感器及制备方法，以及在监测温室大棚土壤温度方面的应用。该温度传感器包括热电模块，所述热电模块包括基底板，基底板上有成散射状分布的N型碲化铋薄膜和P型碲化锑薄膜，N型碲化铋薄膜和P型碲化锑薄膜间隔设置，N型碲化铋薄膜和P型碲化锑薄膜通过薄膜电极串联起来集成多对P‑N结热电腿，基底板上沿薄膜电极形成的内圈设置有中心镂空孔，中心镂空孔处的镂空位置及内圈的薄膜电极通过高导热材料封装，在中间区域形成导热封装层。该传感器的灵敏度高，灵活性强，具有精准监测的能力。
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公开(公告)号：CN114242878A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111462341.7
申请日：2021-12-02
申请人： 苏州希美微纳系统有限公司
摘要： 本发明涉及一种热电堆红外探测器芯片及其制造方法，在SOI衬底上逆向成长各层结构，利用硅硅键合将各层结构转移至湿法深腔Si衬底表面，最后在转移芯片顶部生长吸收层材料。由此，利用硅硅键合将SOI衬底生长的结构层转移到湿法深硅刻蚀完成的硅片上，能使用湿法工艺提高生产效率并降低成本。能避免背面刻蚀过程中正面结构被腐蚀而受到损坏，提高优良率。整体制备方式较为简单，能够优化热电堆响应率、探测率和响应时间制备效率高。
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公开(公告)号：CN113490820A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202080017099.X
申请日：2020-03-25
申请人： LG电子株式会社
摘要： 根据本发明的实施例的热电模块，其可以包括：冷侧散热器；热电元件，其吸热面结合于所述冷侧散热器；热侧散热器，其结合于所述热电元件的发热面，并且将从所述冷侧散热器传递的热量释放到所述热电元件的外部；以及密封盖，其使所述冷侧散热器的边缘和所述热侧散热器的边缘连接并包围所述热电元件，所述冷侧散热器、热侧散热器以及热电元件可以通过所述密封盖构成一体型。另外，所述热电元件可以是由具有相同或不同的规格的两个热电元件结合的级联式热电元件。
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公开(公告)号：CN113104804A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110389130.9
申请日：2021-04-12
申请人： 上海芯物科技有限公司
摘要： 本发明实施例公开了一种红外热电堆传感器、芯片及其制备方法，红外热电堆传感器包括多个红外热电堆像素，红外热电堆像素包括衬底。衬底包括第一区域和第二区域。位于衬底一侧且位于第一区域的第一悬空膜以及位于衬底一侧且位于第二区域的第二悬空膜。位于第一悬空膜远离衬底一侧的N型热电堆、P型热电堆和开关电路。开关电路位于N型热电堆和P型热电堆之间。位于第二悬空膜远离衬底一侧的悬臂梁和开关信号导出结构，开关信号导出结构与开关电路电连接。通过将开关电路设置在N型热电堆和P型热电堆之间，有利于减少红外热电堆传感器的面积，提高红外热电堆传感器的填充因子，进而提升其灵敏度，降低制造成本，实现小型化。
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