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公开(公告)号：CN115188861A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210547434.8
申请日：2022-05-18
申请人： 华灿光电(浙江)有限公司
摘要： 本公开公开了提高内量子效率的发光二极管外延片制备方法及外延片，属于发光二极管制作领域。InGaN阱层的第一阶段的生长过程中，使铟源流量线性增加至第一铟源阈值，镓源由第一镓源阈值线性降低至第二镓源阈值，可以在短时间且较薄的InGaN阱层的厚度内形成In源富集区，提高多量子阱层的出光效率。第二阶段生长起到过渡与提高晶体质量的作用。第三阶段铟源不变而镓源线性增加，第四阶段铟源与流量均进行增加，提高发光效率。第五阶段、第六阶段中In的富集进一步减少，提高整体质量。六个阶段的In的富集程度的变化，缓解极化电场，提高电子‑空穴波函数的交叠区域，提高发光二极管的内量子效率。
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公开(公告)号：CN115188860A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210546955.1
申请日：2022-05-18
申请人： 华灿光电(浙江)有限公司
摘要： 本公开公开了提高发光与制备效率的发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管制作领域。生长发光二极管外延片的多量子阱层中的垒层时，向反应腔通入第一有机金属源与第一反应气体生长第一子层，第一有机金属源包括三甲基镓，第一反应气体包括氢气、氨气与氮气。得到的第一子层的生长速度较快，缩短垒层所需的制备时长；而第一反应气体中的氢气可以抑制In原子渗入第一子层中，保证第一子层的成形速度的同时提高得到的第一子层的晶体质量。通入三乙基镓与第二反应气体在第一子层上生长第二子层，三乙基镓可以使得到的第二子层具有更好的晶体质量与电学性能，有效提高最终得到的发光二极管外延片的发光效率与制备效率。
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公开(公告)号：CN114975639A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210423426.2
申请日：2022-04-21
申请人： 华灿光电(浙江)有限公司
IPC分类号： H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/205
摘要： 本公开公开了功率二极管及其制备方法，属于二极管制作领域。在N型重掺杂氮化镓层与N型轻掺杂氮化镓层之间增加AlGaN层，形成的二维电子气也可以促进电子的移动与扩展，降低电阻。在平行于衬底的表面且由肖特基电极指向欧姆电极的方向上，AlGaN层的厚度增加，可以起到控制功率二极管中不同位置处电子的移动速率，降低电子从肖特基电极垂直移动至欧姆电极的概率，使得外延片内各部位的电子在两个电极之间移动的路径接近相同，电子可以更均匀地在功率二极管的内部移动。可以在导通电阻相当的情况下有效提高了电流分布的均匀性，提升了反向击穿电压，提高最终得到的功率二极管的可靠性。
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公开(公告)号：CN114899229A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210364195.2
申请日：2022-04-07
申请人： 华灿光电(浙江)有限公司
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/335
摘要： 本公开提供了一种提高二维电子气迁移率的HEMT外延片及其制备方法，属于半导体器件技术领域。在GaN沟道层与AlGaN势垒层之间增加复合插入层，且复合插入层包括依次层叠的第一Al金属子层、第一AlN子层、第二Al金属子层与第二AlN子层。提高第一AlN子层的生长均匀度与表面质量，提高GaN沟道层与AlGaN势垒层之间的二维电子迁移率。在第一Al金属子层与第一AlN子层上依次层叠第二Al金属子层与第二AlN子层，释放应力以减少缺陷；进一步提高晶体质量。提高GaN沟道层与AlGaN势垒层的界面质量并有效提高GaN沟道层与AlGaN势垒层之间二维电子气的迁移率。
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公开(公告)号：CN113659046B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202110691678.9
申请日：2021-06-22
申请人： 华灿光电(浙江)有限公司
摘要： 本公开提供了一种深紫外发光二极管外延结构的生长方法和石墨盘，属于光电子制造技术领域。该生长方法包括：提供一石墨盘，所述石墨盘的表面沉积有一层隔离层，所述隔离层为二维原子晶体材料层；在所述隔离层的表面生长深紫外发光二极管的外延结构；采用胶带将位于所述隔离层的表面的残留物粘离所述石墨盘。本公开能在生长完成外延结构后对石墨盘表面的残留物进行有效清理，提高石墨盘的使用寿命，且降低清理成本。
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公开(公告)号：CN113571617B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202110601606.0
申请日：2021-05-31
申请人： 华灿光电(浙江)有限公司
摘要： 本公开提供了一种深紫外发光二极管的外延片及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该外延片包括衬底和依次形成在所述衬底上的第一AlN层、第二AlN层、氮原子层、第三AlN层、n型AlGaN层、多量子阱层和p型层，所述第二AlN层的表面粗糙度大于所述第一AlN层的表面粗糙度，所述氮原子层为通过等离子体处理形成于所述第二AlN层上的膜层。本公开实施例能够减少多层AlN薄膜中，因AlN的晶体原子排列不整齐，而导致AlN薄膜的晶体质量差的问题，改善外延片的晶体质量，提高深紫外发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN114784161A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210173740.X
申请日：2022-02-24
申请人： 华灿光电(浙江)有限公司
摘要： 本公开提供了一种蓝宝石衬底、发光二极管芯片和衬底的制备方法，属于光电子制造技术领域。该蓝宝石衬底包括：衬底本体，衬底本体的一表面具有多个盲孔，多个盲孔间隔排布；盲孔包括相连的沉孔段和锥孔段，沉孔段的一端与锥孔段的小端同轴相连，锥孔段的大端位于衬底本体的表面；盲孔至少包括一组沿同一直线间隔排布的盲孔，同一组盲孔中，相邻的两个盲孔中的一个盲孔的沉孔段内具有第一材料层，相邻的两个盲孔中的另一个盲孔的沉孔段内具有第二材料层，第一材料层的折射率与第二材料层的折射率不同。本公开能改善蓝宝石衬底光提取效率低的问题，减少蓝宝石衬底上生长氮化物的位错密度，提升晶体质量和芯片的发光效率。
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公开(公告)号：CN114784150A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210167768.2
申请日：2022-02-23
申请人： 华灿光电(浙江)有限公司
摘要： 本公开提供了一种深紫外发光二极管的外延片及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该外延片制备方法包括：提供一衬底；在所述衬底上形成AlN膜层；在所述AlN膜层上形成AlGaN复合层，所述AlGaN复合层包括依次交替层叠的多个第一AlGaN层和多个第二AlGaN层，所述第一AlGaN层在氮气和氢气混合氛围中生长，所述第二AlGaN层在氢气氛围中生长；在所述AlGaN复合层上形成发光结构。本公开实施例能生长表面平整且位错密度低的AlGaN层，提升后续生长的膜层的晶体质量，提高深紫外发光二极管的开启电压良率。
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公开(公告)号：CN114597296A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210097954.3
申请日：2022-01-27
申请人： 华灿光电(浙江)有限公司
摘要： 本公开提供了一种倒装紫外发光二极管芯片及其制备方法，属于发光二极管技术领域。将n‑AlGaN层设置为包括依次层叠的过渡n‑AlGaN层、石墨烯层、接触n‑AlGaN层。石墨烯层可以对接触n‑AlGaN层的表面起到保护作用，石墨烯层本身涉及到刻蚀的过程中采用激光剥离实现，接触n‑AlGaN层与电极金属之间的欧姆接触更容易形成，可以降低最终得到的紫外发光二极管芯片的电极并降低紫外发光二极管所需的工作电压，延长紫外发光二极管的使用寿命。石墨烯层还可以提高外延材料的质量、传输电子并扩展电流的作用，也可以提高紫外发光二极管的出光均匀度。
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公开(公告)号：CN114583029A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210041928.9
申请日：2022-01-14
申请人： 华灿光电(浙江)有限公司
摘要： 本公开提供了一种提高发光效率的紫外发光二极管外延片制备方法，属于发光二极管技术领域。在n型AlGaN层上生长至少一个阱垒单元以得到发光层，阱垒单元包括AlGaN垒层与层叠在AlGaN垒层上且相互间隔的AlGaN量子点。AlGaN量子点的结构具有三维量子限制效应，提高发光效率。先在n型AlGaN层或阱垒单元上生长一层AlGaN垒层；在AlGaN垒层上沉积1～5nm的AlN材料层。对AlN材料层进行退火以使AlN材料层的表面具有多个凸起的岛状结构，释放应力。最后向反应腔通入镓源与氨气以与多个岛状结构反应生成多个质量较好且成形较快的AlGaN量子点，可以促进发光效率的同时提高发光层的成形效率。
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