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公开(公告)号：CN117832354A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410011266.X
申请日：2024-01-03
申请人： 华灿光电(浙江)有限公司
摘要： 本公开提供了一种发光二极管及其制备方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管包括：衬底、以及层叠在衬底上的复合层、3D成核层、第一半导体层、有源层和第二半导体层；复合层具有镂空结构。设置具有镂空结构的复合层，复合层的镂空结构可以给3D成核层的应力释放留足空间，同时镂空结构可以延迟3D成核层晶核岛之间合并时间，可以增大晶核岛的体积，相邻晶核岛横向生长相互聚合，晶核聚合过程中可以释放晶格失配的应力，降低衬底与GaN材料之间翘曲度，提高3D成核层的平整度，有利于整个外延层表面温度受热均匀，同时外延层表面生长气氛也可以均匀覆盖，从而提高外延层厚度一致性，进而提高外延片发光波长和发光亮度的一致性。
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公开(公告)号：CN116404078A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310284715.3
申请日：2023-03-20
申请人： 华灿光电(浙江)有限公司
摘要： 本公开提供了一种改善光效的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括依次层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层；所述有源层包括交替层叠的多个量子阱层和多个量子垒层，所述量子垒层包括依次层叠的第一子层、第二子层、第三子层和第四子层，所述第一子层包括u型AlGaN层，所述第二子层和所述第四子层包括GaN层，所述第三子层包括n型GaN层。本公开实施例能改善有源层中量子垒层的制备质量，提升发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN112687769B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202011443563.X
申请日：2020-12-08
申请人： 华灿光电(浙江)有限公司
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 本发明公开了发光二极管外延片制备方法，属于发光二极管制作领域。在通入一段时间有机金属源进入反应腔后，金属有机化合物化学气相淀积设备的喷头处也会留下部分氮化物的附着物颗粒，间歇性地向反应腔内通入有机金属源，并在每次停止向反应腔内通入有机金属源的期间，反应腔内同时通入载气与氯气，氯气进入反应腔内之前会先与附着在喷头上的附着物颗粒之间反应，并形成气态氯化物。喷头上会附着的氮化物的附着物颗粒与氯气反应并以气态状最后会排出反应腔，由此减小喷头上附着的氮化物的附着物颗粒，会落入氮化物外延层内的附着物颗粒减少，氮化物外延层的晶体质量与表面平整度均会得到提高。
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公开(公告)号：CN112687769A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011443563.X
申请日：2020-12-08
申请人： 华灿光电(浙江)有限公司
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 本发明公开了发光二极管外延片制备方法，属于发光二极管制作领域。在通入一段时间有机金属源进入反应腔后，金属有机化合物化学气相淀积设备的喷头处也会留下部分氮化物的附着物颗粒，间歇性地向反应腔内通入有机金属源，并在每次停止向反应腔内通入有机金属源的期间，反应腔内同时通入载气与氯气，氯气进入反应腔内之前会先与附着在喷头上的附着物颗粒之间反应，并形成气态氯化物。喷头上会附着的氮化物的附着物颗粒与氯气反应并以气态状最后会排出反应腔，由此减小喷头上附着的氮化物的附着物颗粒，会落入氮化物外延层内的附着物颗粒减少，氮化物外延层的晶体质量与表面平整度均会得到提高。
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公开(公告)号：CN118448534A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410507374.6
申请日：2024-04-25
申请人： 京东方华灿光电(浙江)有限公司
摘要： 本公开提供了一种改善发光效率的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括依次层叠的n型层、有源层和p型层，所述有源层包括交替层叠的多个量子阱层和多个量子垒层，所述量子阱层包括至少四个子层，所述量子阱层的各子层均为InGaN层，所述量子阱层中相邻的两个子层的In组分的含量不同。本公开实施例能提升有源层的内量子效率。
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公开(公告)号：CN112951963B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202110180925.9
申请日：2021-02-09
申请人： 华灿光电(浙江)有限公司
摘要： 本公开提供了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管技术领域。掺杂Si的第一GaN子层可以将电子扩散的通道变窄，电子可以均匀分布，未掺的第二GaN子层则可以增大电阻，并加强电子横向分布，实现电子的均匀横向扩展，降低发光二极管外延片的工作电压。第一复合层上层叠的第二复合层包括多个交替层叠的InGaN子层与AlGaN子层，在电子得到横向扩展的基础上，可以有效限制电子的移动速率，减少电子的溢流作用，促使更多的空穴进入多量子阱层中进行发光。最终可以提高发光二极管外延片发光均匀度的同时提高发光二极管外延片的发光效率。
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公开(公告)号：CN115274959A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210806496.6
申请日：2022-07-08
申请人： 华灿光电(浙江)有限公司
摘要： 本公开提供了一种发光二极管外延片及其制备方法，所述外延片包括衬底和依次层叠在所述衬底上的N型层、多量子阱层以及P型层，所述多量子阱层包括多个周期交替生长的阱层和垒层，至少一个所述阱层包括依次层叠的第一子层、第二子层和第三子层，所述第一子层为掺Si的InGaN层，所述第二子层为掺C的InGaN层，第三子层为掺Mg和Si的InGaN层。采用本公开能够提高发光二极管外延片的发光一致性以及发光效率。
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公开(公告)号：CN117038808A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310877440.4
申请日：2023-07-17
申请人： 华灿光电(浙江)有限公司
摘要： 本公开提供了一种改善发光效率的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括依次层叠的衬底、n型层、多量子阱层、p型层和p型欧姆接触层；所述p型欧姆接触层包括依次层叠在所述p型层上的至少两层子接触层，在所述至少两层子接触层的生长方向上，各所述子接触层的势垒高度逐渐降低。本公开实施例能让电流迅速扩展，使电流在多量子阱层均匀分布，提升发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN115566119A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202211095304.1
申请日：2022-09-05
申请人： 华灿光电(浙江)有限公司
摘要： 本公开提供了一种提升发光效率的发光二极管的外延片及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该制备方法包括：提供一衬底；在所述衬底上依次生长n型层、发光层和p型层，所述发光层包括多个层叠的有源层，每个所述有源层包括依次层叠的InGaN量子阱层、Mg金属层、p型GaN层和GaN量子垒层，在形成所述p型GaN层之前，向反应腔内通入Mg源，对所述InGaN量子阱层进行表面处理，在所述InGaN量子阱层的表面的凹坑内形成所述Mg金属层。本公开实施例能改善量子阱与量子垒界面处晶体质量和发光二极管的内量子效率，以提升发光效率。
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公开(公告)号：CN117855357A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311735492.4
申请日：2023-12-15
申请人： 华灿光电(浙江)有限公司
摘要： 本公开提供了一种改善可靠性的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括依次层叠的n型层、多量子阱层和p型层，所述p型层包括位于所述多量子阱层上的p型接触层；所述p型接触层包括层叠的多个叠层结构，所述叠层结构包括层叠的第一子层和第二子层，所述第一子层为掺杂Al且不掺杂Mg和In的AlGaN层，所述第二子层为掺杂Mg和In且不掺杂Al的InGaN层。本公开实施例能改善制作p型接触层时容易出现晶格缺陷的问题，提升发光二极管的制备质量。
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