-
公开(公告)号：CN110794913B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201911155869.2
申请日：2019-11-22
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G05F1/575
Abstract: 本发明请求保护一种采用负反馈箝位技术的带隙基准电路，属于微电子技术领域。包括带隙基准电流源偏置电路以及带隙基准核心电路等。本发明采用共源共栅结构为带隙基准核心电路提供偏置电流信号来提高带隙基准的电源抑制比，带隙基准核心电路采用负反馈箝位技术取代传统运算放大器箝位技术来产生正温度系数电流IR2a及IR4，正温度系数电流IR2a在电阻R2a以及正温度系数电流IR4在电阻R4上产生正温度系数的压降分别与NPN型三极管Q3的基极‑发射极电压加权实现高性能的带隙基准参考电压，从而实现一种采用负反馈箝位技术的带隙基准电路。
-
公开(公告)号：CN111158421A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN202010023088.4
申请日：2020-01-09
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明请求保护一种分段补偿的带隙基准电压源电路，包括启动电路、一阶带隙基准电压源电路及温度分段补偿产生电路。本发明采用两个PNP型三极管发射极-基极电压之差在电阻R3上产生的电流以及PNP型三极管Q1的发射极-基极电压VEB1在电阻R2上产生的电流进行加权产生一阶温度补偿电流，一阶温度补偿电流在电阻R5与R4上产生一阶温度补偿带隙电压，同时一阶温度补偿电流为温度分段补偿产生电路提供偏置电流，温度分段补偿产生电路产生四种不同温度区域的分段温度补偿电流并在电阻R4上产生分段温度补偿电压对一阶温度补偿带隙电压进行高阶温度补偿，从而获得高性能的带隙基准参考电压。
-
公开(公告)号：CN109254612A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201811069122.0
申请日：2018-09-13
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明请求保护一种高阶温度补偿的带隙基准电路，包括一阶带隙基准电路、高温区域曲率补偿电路、低温区域分段补偿电路、低温区域曲率补偿电路以及启动电路。本发明采用源极、漏极及栅极短接的PMOS管的漏极-衬底电压产生负温度系电压，采用两个源极、漏极及栅极短接的PMOS管的漏-衬底电压之差产生正温度系数电压，并将正温度系数电压与负温度系数电压进行加权求和获得一阶带隙基准参考电压，利用高温区域曲率补偿电路中电流I16、低温区域分段补偿电路中电流I22以及低温区域曲率补偿电路中电流I24在电阻R7上产生的电压分别对带隙基准参考电压进行温度补偿，从而实现一种高阶温度补偿的带隙基准电路。
-
公开(公告)号：CN104977969B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201510372203.8
申请日：2015-06-30
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明提供了一种高电源抑制比高阶曲率补偿的带隙基准参考电路，包括启动电路、前调整器电路、带隙基准电路、低温区域分段线性温度补偿电路、高温区域与绝对温度T1.5成正比的温度补偿电路、高温区域分段线性温度补偿电路。本发明通过将低温区域分段线性温度补偿电流及高温区域与绝对温度T1.5成正比的温度补偿电流加入传统带隙基准参考电路中，并从传统带隙基准参考电路中抽走高温区域分段线性温度补偿电流，从而得到高阶曲率补偿的基准电压；将负反馈前调整器技术加入到高阶曲率补偿的基准电压中，从而得到高电源抑制比高阶曲率补偿的带隙基准参考电路。
-
公开(公告)号：CN105807838A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610331692.7
申请日：2016-05-18
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G05F1/567
CPC classification number: G05F1/567
Abstract: 本发明提供了一种高阶温度补偿带隙基准电路，包括启动电路、双极型带隙基准电路、分段线性温度补偿电路以及ΔVGS温度补偿电路，所述启动电路使得高阶温度补偿带隙基准电路正常工作，所述双极型带隙基准电路产生低温度系数的带隙参考电压，将所述分段线性温度补偿电路产生的温度分段线性补偿电压和所述ΔVGS温度补偿电路产生的ΔVGS温度补偿电压加入到所述双极型带隙基准电路产生的低温度系数带隙参考电压中，从而得到高阶温度补偿的基准电压，极大地降低了带隙基准电路输出电压的温度系数。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104507085A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201510016433.0
申请日：2015-01-13
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H04W12/02
CPC classification number: H04W12/02
Abstract: 本发明公开了一种无线体域网数据加密方法，先获取t秒心电信号，定位检测获取心电信号的R波，得到心电信号特征值λ；接着采用线性最小均方误差估计算法进行信道估计，获得信道的幅度A和相位P，并分别将心电信号特征值λ以及幅度A和相位P量化形三个参数作为加密密钥，然后将所得的加密密钥广播至无线体域网中的每个节点，每个节点按照该加密密钥并利用线性反馈移位寄存器对原始数据进行加密；最后按照周期T返回循环进行。其显著效果是：不仅能有效降低加密时延和运算复杂度，而且信道参数差异较大，动态生成的新密钥变化较大，实现了高强度的数据加密。
-
-
公开(公告)号：CN103117770A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201310028323.7
申请日：2013-01-24
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H04B1/7107 , G06K7/00
Abstract: 本发明公开了一种RFID系统中基于分组ALOHA的码分多址技术标签防碰撞方法，属于射频识别技术领域。本发明利用分组帧时隙ALOHA技术，先完成对标签的分组，然后在每个分组中分别采用码分多址技术，利用码分多址技术的保密性、抗干扰性和多址通信能力，对标签上的数据进行扩频传输，进而完成对标签的识别。该发明有效地减小标签之间的碰撞概率，缩短读写器操作时间，提高吞吐率,很适合应用于具有较大数量标签的RFID系统中。
-
公开(公告)号：CN119806272A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411979424.7
申请日：2024-12-31
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明请求保护一种无三极管的低压低功耗带隙基准源电路，包括启动与偏置电路、带隙基准核心电路以及温度补偿电路。本发明采用工作在亚阈值区PMOS管M6和PMOS管M7的栅源电压之差产生正温度系数电压以及工作在亚阈值区NMOS管M8的栅源电压等技术实现一阶温度补偿的带隙基准电压，利用工作在饱和区MOS管的阈值电压绝对值具有负温度系数的技术实现温度高阶非线性电流INL，进而补偿带隙基准核心电路提供的一阶温度补偿的带隙基准电压的温度高阶非线性，进而获得高阶温度补偿的带隙基准电压，从而实现一种无三极管的低压低功耗带隙基准源电路。
-
公开(公告)号：CN116048171B
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202310063743.2
申请日：2023-02-06
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明请求保护一种用于低压差线性稳压器芯片的高阶温度补偿带隙基准电路，包括(μn)‑1偏置电流产生电路、(μn)‑3(VTHn)‑2偏置电流产生电路及带隙基准核心电路。本发明采用MOS管M7‑M8、MOS管M12‑M13及MOS管M10构成负反馈环路，采用MOS管M7‑M9构成正反馈环路，电阻R2和电容C2构成低通滤波器并降低正反馈环路增益，确保电路稳定；偏置电流产生电路为带隙基准核心电路提供偏置电流，产生具有温度高阶特性的电流IQ2，有效地补偿VEB1温度高阶非线性，从而获得高阶补偿的带隙基准参考电压，进而实现高阶温度补偿带隙基准电路。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
104
records
(took 0.025 seconds)
