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公开(公告)号:CN1292152A
公开(公告)日:2001-04-18
申请号:CN99803261.1
申请日:1999-02-05
Applicant: 剑桥显示技术有限公司 , 精工爱普生株式会社
Inventor: 理查德·亨利·弗兰德 , 卡尔·皮什勒 , 汤田坂一夫
IPC: H01L27/15
CPC classification number: H01L27/3272 , H01L51/5284
Abstract: 一种有机发光器件,包括:一个透明盖片(22);一个位于该盖片后的有机发光材料区(24);一个位于该盖片后的用于调整流向该有机发光材料的电流的电路区域(14);和一个位于该盖片和该电路之间的不透光层(10)。
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公开(公告)号:CN100530758C
公开(公告)日:2009-08-19
申请号:CN200610144628.4
申请日:1999-03-17
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H05B33/22 , G02B5/201 , H01L27/322 , H01L27/3246 , H01L51/0005 , H01L51/0014 , H01L51/5284 , H01L2251/558 , H05B33/10 , Y10T428/24802
Abstract: 公开了诸如EL器件之类的其像素间薄膜厚度几乎没有变化的显示器件,以及一种滤色器。在衬底上设置的是由喷墨方法在要被涂敷的并由堤所分隔的区域中形成的像素,其满足公式a>d/4,d/2<b<5d,c>t0和c>d/(2b)的关系。其中a为堤的宽度,c为堤的高度,b为要被涂敷的区域的宽度,而d为或形成薄膜层的液体材料的液滴直径,t0是薄膜层的膜厚度。还公开了一种修改表面的方法,包括在形成表面的无机物堤上形成有机材料的堤,并在过量氟的条件下进行等离子体处理。还有一种方法,包括对具有由有机材料形成的堤的衬底进行氧气等离子体处理,并进行含氟气体的等离子体处理。
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公开(公告)号:CN100440437C
公开(公告)日:2008-12-03
申请号:CN200510076107.5
申请日:2005-06-08
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/208 , H01L21/336
Abstract: 本发明的目的是提供一种通过简易且廉价的工序以亚微数量级的精度形成薄膜晶体管用的栅电极和半导体膜的技术。本发明提供的薄膜晶体管的制造方法,包括半导体膜薄膜的形成方法和/或栅电极的形成方法,其中半导体膜薄膜的形成方法包括:在基板上配置包含半导体材料的液滴(14)的工序;使液滴干燥,通过在该液滴的至少周边部析出半导体材料来形成半导体膜(16)的工序,而栅电极的形成方法包括:配置含导电性材料的液滴的工序;使液滴干燥,通过在该液滴的至少周边部析出导电性材料来形成栅电极的工序。
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公开(公告)号:CN100435271C
公开(公告)日:2008-11-19
申请号:CN200510004240.X
申请日:2005-01-07
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/336 , H01L21/208 , H01L21/31
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L23/544 , H01L27/1292 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种在使用液相工艺制造器件时适用的调准方法。在包含使用液相法以在基板上形成功能膜的工序的器件的制造过程中,在形成所述功能膜(12)的基板(10)上,形成相对于在所述功能膜(12)之后形成的膜(13)显示形状的调准标记(AM1),并使用该调准标记(AM1)对所述功能膜(12)之后的膜(13)进行调准。
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公开(公告)号:CN100373657C
公开(公告)日:2008-03-05
申请号:CN99103116.4
申请日:1999-02-23
Applicant: 剑桥显示技术有限公司 , 精工爱普生株式会社
Inventor: 里查德·汉里·弗莱德 , 卡尔·罗伯特·塔恩斯 , 朱里安·卡靳斯·卡特 , 斯蒂芬·卡尔·黑斯 , 赫曼·福里克斯·威特曼 , 卡尔·皮克勒 , 汤田坂一夫
CPC classification number: H01L27/3248 , H01L51/0022 , H01L51/5206 , H01L51/5212 , H01L51/5215
Abstract: 一种形成显示装置的方法,包括:在衬底上沉积薄膜晶体管开关电路;通过喷墨印刷沉积与薄膜晶体管电路的输出电接触的透光导电有机材料的电极层;和在电极层上沉积该装置的有源区域。
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公开(公告)号:CN101068025A
公开(公告)日:2007-11-07
申请号:CN200610093443.5
申请日:1998-08-20
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor: 汤田坂一夫
IPC: H01L27/32 , H01L23/522
CPC classification number: H01L27/3246 , H01L27/3211 , H01L27/3276 , H01L51/0005 , H01L51/5203 , H01L51/5284
Abstract: 本发明以实现不会损伤薄膜发光元件并能在该薄膜发光元件的有机半导体膜的周围适当地形成厚的绝缘膜的显示装置为目的,显示装置包括:一个对置电极;以及多个象素,多个象素中各象素包括:象素电极;以及设置在所述象素电极和所述对置电极间的有机半导体膜,其中,除了在形成端子的区域外,所述对置电极的形成作为所述多个象素的共同之用。
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公开(公告)号:CN101005125A
公开(公告)日:2007-07-25
申请号:CN200610144630.1
申请日:1999-03-17
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H05B33/22 , G02B5/201 , H01L27/322 , H01L27/3246 , H01L51/0005 , H01L51/0014 , H01L51/5284 , H01L2251/558 , H05B33/10 , Y10T428/24802
Abstract: 公开了诸如EL器件之类的其像素间薄膜厚度几乎没有变化的显示器件,以及一种滤色器。在衬底上设置的是由喷墨方法在要被涂敷的并由堤所分隔的区域中形成的像素,其满足公式a>d/4,d/2<b<5d,c>t0和c>d/(2b)的关系。其中a为堤的宽度,c为堤的高度,b为要被涂敷的区域的宽度,而d为或形成薄膜层的液体材料的液滴直径,t0是薄膜层的膜厚度。还公开了一种修改表面的方法,包括在形成表面的无机物堤上形成有机材料的堤,并在过量氟的条件下进行等离子体处理。还有一种方法,包括对具有由有机材料形成的堤的衬底进行氧气等离子体处理,并进行含氟气体的等离子体处理。
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公开(公告)号:CN1293784C
公开(公告)日:2007-01-03
申请号:CN99800314.X
申请日:1999-03-17
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H05B33/22 , G02B5/201 , H01L27/322 , H01L27/3246 , H01L51/0005 , H01L51/0014 , H01L51/5284 , H01L2251/558 , H05B33/10 , Y10T428/24802
Abstract: 公开了诸如EL器件之类的其像素间薄膜厚度几乎没有变化的显示器件,以及一种滤色器。在衬底上设置的是由喷墨方法在要被涂敷的并由堤所分隔的区域中形成的像素,其满足公式a>d/4,d/2<b<5d,c>t0和c>d/(2b)的关系。其中a为堤的宽度,c为堤的高度,b为要被涂敷的区域的宽度,而d为形成薄膜层的液体材料的液滴直径,t0是薄膜层的膜厚度。还公开了一种修改表面的方法,包括在形成表面的无机物堤上形成有机材料的堤,并在过量氟的条件下进行等离子体处理。还有一种方法,包括对具有由有机材料形成的堤的衬底进行氧气等离子体处理,并进行含氟气体的等离子体处理。
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公开(公告)号:CN1278292C
公开(公告)日:2006-10-04
申请号:CN03140654.8
申请日:1998-08-25
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor: 汤田坂一夫
IPC: G09G3/00 , G09G3/20 , G09G3/32 , H01L29/786
CPC classification number: H05B33/26 , H01L27/1255 , H01L27/3246 , H01L51/5253 , H01L51/5284 , H05B33/04 , H05B33/12 , H05B33/22
Abstract: 本发明公开一种显示装置,该显示装置包括:多条扫描线;多条数据线;驱动电路,所述驱动电路连接到所述多条扫描线或所述多条扫描线;和显示部,所述显示部包括所述多条扫描线和所述多条数据线的相交点限定和形成的多个像素,所述多个像素中的每一个像素包括:导通控制电路,所述导通控制电路包括第一晶体管,扫描信号通过所述多条扫描线中相应的一条扫描线提供给所述第一晶体管的栅极,来自所述多条数据线中相应一条数据线的图像信号通过所述第一晶体管提供给所述导通控制电路;像素电极;和发光薄膜,所述发光薄膜位于所述像素电极和对置电极之间,所述对置电极至少覆盖所述显示部,和导电膜,所述导电膜覆盖所述对置电极。
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公开(公告)号:CN1585107A
公开(公告)日:2005-02-23
申请号:CN200410071374.9
申请日:2004-07-23
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/02 , H05K3/46
CPC classification number: H05K3/0017 , H01L21/76802 , H05K3/4644 , H05K2203/0582
Abstract: 一种形成多层互连结构的方法,包括:在不损坏衬底的情况下在各层之间可靠连接的接触孔。柱状掩模材料形成在使用抗蚀剂形成接触孔的位置中,层间绝缘薄膜被涂敷到除了掩模材料之外的衬底的整个表面上。然后,掩模材料使用诸如剥离的方法移除。结果,由此产生的孔被用作接触孔。
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