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公开(公告)号：CN114927561A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210759664.0
申请日：2022-06-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种碳化硅MOSFET器件，属于功率半导体器件领域。本发明提出的器件，通过对多晶硅电极区进行不同掺杂，以PN结自隔离的方法将其分为两段，通过将肖特基金属和第二导电类型半导体形成肖特基接触，提升了器件的第三象限性能，实现了低的反向开启电压和导通损耗，槽底的高掺杂剂量的第二导电类型半导体既可以屏蔽槽壁底部的电场，又可以保护槽底的肖特基界面，提高了器件可靠性，相比传统的槽型MOSFET，该器件栅漏较小的交叠面积有效降低密勒电容，因此该器件有更小的正向开关损耗。
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公开(公告)号：CN111627903B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202010500408.0
申请日：2020-06-04
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/02 , H01L29/423
Abstract: 本发明涉及一种具有U‑MOSFET和晶闸管的可编程过电压保护器件，属于功率半导体技术领域。该可编程过电压保护器件利用两个U‑MOSFET分别为两个NPNP晶闸管提供独立控制，U‑MOSFET的栅端与负电源电压连接；或者，利用两个U‑MOSFET分别为两个PNPN晶闸管提供独立控制，U‑MOSFET的栅端与正电源电压连接，当电话线上负电压低于电源电压一个阈值电压或正电压高于电源电压一个阈值电压时，器件开启并将传输线上浪涌产生的过电压传导到地，从而实现对用户线接口电路的单向可编程保护。U‑MOSFET的沟槽栅结构减小了器件导通电阻，且为单极型器件，使得本发明功耗更低，温度稳定性更高，且高的开关速度使其对浪涌响应更快，另外U‑MOSFET与晶闸管工艺兼容，易于集成。
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公开(公告)号：CN111739929B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202010611113.0
申请日：2020-06-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/745 , H01L29/749
Abstract: 本发明提供了一种抗位移辐射加固的MOS栅控晶闸管，属于功率器件技术领域；所述MOS栅控晶闸管自上而下主要包括金属阴极、第一阱区、第二阱区、衬底、第三阱区、阳极掺杂层和金属阳极；第三阱区和金属阳极短接，实现零栅压条件下的正向耐压；衬底和第三阱区为同型掺杂，第三阱区的掺杂浓度高于衬底；第二阱区和第三阱区为缓变掺杂区；衬底为低掺杂区。基于本发明器件结构能够提高MOS栅控晶闸管抗位移辐照的能力。
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公开(公告)号：CN111739930B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202010612345.8
申请日：2020-06-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/749 , H01L21/332 , H01L29/745
Abstract: 本发明提供了一种具备抗电离辐射能力的MOS栅控晶闸管，属于功率器件技术领域；所述MOS栅控晶闸管自上而下包括金属阴极、第一阱区、第二阱区、衬底、第三阱区、阳极掺杂层和金属阳极；第三阱区和金属阳极短接，实现零栅压条件下的正向耐压；衬底和第三阱区为同型掺杂，第三阱区的掺杂浓度高于衬底；第二阱区和第三阱区为缓变掺杂区；衬底为低掺杂区。基于本发明器件结构能够提高MOS栅控晶闸管抗位移辐照的能力。
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公开(公告)号：CN111640785B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202010535078.9
申请日：2020-06-12
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/739 , H01L21/331
Abstract: 本发明涉及一种具有多沟槽的LIGBT器件，属于功率半导体技术领域。本发明提供的一种具有多沟槽的LIGBT器件，通过沟槽刻蚀和高温退火扩散，改善阳极下方第二导电类型半导体重掺杂扩散区形貌，节省了区域面积，同时实现了该区域的均匀掺杂，从而使电导调制效应加强，且获得更低的导通压降、导通电阻和正向导通功耗；通过在第一导电类型漂移区中形成第二导电类型多晶硅沟槽区，可以实现更优的电场分布，从而获得更好的阻断特性以及面积优化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109768080B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201910062000.7
申请日：2019-01-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L21/331 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供一种具有MOS控制空穴通路的IGBT器件，属于功率半导体器件技术领域，本发明在传统IGBT器件的P+浮空pbody区内引入由栅介质层、MOS控制栅电极和P‑型MOS沟道区形成的MOS控制栅结构，MOS区等效为受到栅压控制作用的开关；在器件正向导通时使得pbody区电位浮空，实现空穴存储，降低了器件的饱和导通压降；在器件关断和短路条件下，提供了空穴的泄放通路，降低密勒电容，实现了低关断损耗和更稳固的短路能力。
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公开(公告)号：CN109166921B
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201810990425.X
申请日：2018-08-28
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 一种屏蔽栅MOSFET，属于半导体功率器件技术领域。器件包括从下至上依次层叠设置的漏极、衬底、漂移区和金属化源极，在漂移区中设置有工作元胞区和泄流元胞区；泄流元胞区位于工作元胞旁侧，由于其不含有源极区且屏蔽栅电极与漂移区间的侧面介质层更厚，降低了蔽栅对N型漂移区的横向辅助耗尽作用，使得泄流元胞相比工作元胞的静态雪崩击穿电压更低，从而将雪崩击穿点固定在泄流元胞处，故使得雪崩电流将通过泄流元胞上方的源电极流出，同时因为不存在寄生BJT，故完全杜绝了寄生BJT导通的可能性。因此，本发明能够避免寄生BJT开启所造成的二次击穿，有效提高了器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN109037310B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201810898315.0
申请日：2018-08-08
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/06
Abstract: 一种超结功率器件终端结构及其制备方法，属于功率半导体技术领域。本发明包括衬底、外延层、截止环和多层渐变掺杂区；通过在终端区的外延层内沿横向自上而下设置多层渐变掺杂区，并使其掺杂浓度和延伸深度渐变。沿器件横向，表面掺杂浓度在接近沟道截止环的方向达到最低，有效减小结边缘的电场峰值，同时，渐变掺杂区从体内向表面沿横向延伸深度递增，有利于缓解结边缘曲率效应对击穿电压的影响；沿器件纵向，硅体内掺杂浓度小于表面，有利于体内空间电荷区向渐变掺杂区一侧扩展。本发明改善了终端区的击穿电压对电荷不平衡的敏感程度，提高了终端耐压能力。
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公开(公告)号：CN110148628B
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201910573447.0
申请日：2019-06-28
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/739
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种具有SCR结构的IGBT器件，本发明通过在分立浮空Pbody区内使第一N型区、P型区、第二N型区与P+浮空Pbody区形成SCR结构，器件正向导通时，SCR结构不导通，并储存空穴增强电导调制，并通过金属电极串联二极管进一步降低泄漏电流；关断时提供空穴泄放通道，降低关断时间，达到在不影响其他电学特性的情况下，降低了开关时间和开关损耗；器件处于阻断状态下，SCR结构穿通，增加了器件耐压能力。
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公开(公告)号：CN111739929A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010611113.0
申请日：2020-06-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/745 , H01L29/749
Abstract: 本发明提供了一种抗位移辐射加固的MOS栅控晶闸管，属于功率器件技术领域；所述MOS栅控晶闸管自上而下主要包括金属阴极、第一阱区、第二阱区、衬底、第三阱区、阳极掺杂层和金属阳极；第三阱区和金属阳极短接，实现零栅压条件下的正向耐压；衬底和第三阱区为同型掺杂，第三阱区的掺杂浓度高于衬底；第二阱区和第三阱区为缓变掺杂区；衬底为低掺杂区。基于本发明器件结构能够提高MOS栅控晶闸管抗位移辐照的能力。
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