公开(公告)号：CN107910393A

公开(公告)日：2018-04-13

申请号：CN201710990940.3

申请日：2017-10-23

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 余鹏 ,  王志明 ,  姬海宁

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/072 ,  H01L31/18 ,  B82Y30/00

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/0352 ,  B82Y30/00 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/072 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开一种纳米线异质结太阳能电池及其制备方法，其特征在于，所述太阳能电池包括由下到上依次设置的背电极层，衬底层，阻挡层，纳米线层，活性层，正电极层，所述活性层的材料为二氧化钛或氢化非晶硅，该太阳能电池可以抑制异质结纳米线太阳能电池表面复合效率，从而提高太阳能电池效率。

公开(公告)号：CN105551927B

公开(公告)日：2017-07-28

申请号：CN201610053880.8

申请日：2016-01-26

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李含冬 ,  李勇 ,  任武洋 ,  高磊 ,  张忠阳 ,  龙城佳 ,  姬海宁 ,  戴丽萍 ,  周志华 ,  牛晓滨 ,  王志明

IPC: H01J37/32 ,  C23C16/513

Abstract: 本发明公开了一种新型高效可活动射频等离子体放电管，涉及等离子体的产生装置技术领域。包括主体与连接杆两部分，主体前端盖正中为一发射孔，主管体内后端盖中心为一放电锥垂直指向管体内部空间，连接杆前端为球形，后部为圆柱形。主体置于射频线圈内，连接杆后部套于射频源进气管上，管体后连接端内径大于连接杆前端内径可保证二者能相对旋转一定角度时气路畅通，高纯气体从进气管通过连接杆进入放电锥放电，等离子体进入主管体后在腔壁上反射震荡能使腔内气体充分等离子化并通过发射孔发射。所述放电管提高了射频等离子体放电效率，而且能保证圆柱形放电管在不均匀形状或形变电感线圈内方便地安装与安全地使用。

公开(公告)号：CN106935721A

公开(公告)日：2017-07-07

申请号：CN201710289119.9

申请日：2017-04-27

Applicant: 电子科技大学 ,  余鹏

Inventor： 王志明 ,  余鹏 ,  李彩虹 ,  巫江 ,  刘德胜 ,  姬海宁 ,  牛晓滨

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L51/502 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明公开一种基于液滴外延技术的量子点太阳能电池，所述量子点太阳能电池包括由下到上依次设置的衬底层、缓冲层、隔离层、多个周期的量子点结构层、发射层、电极接触层，所述多个周期的量子点结构层的每一周期包括至少一层量子点层、一层第一间隔层、一层第二间隔层，所述量子点层为液滴外延方法生长形成。本申请采用的液滴外延法能够得到零晶格失配的量子点层，在保持量子点的密度和尺寸的前提下，能够将液滴外延生长量子点层引入的缺陷达到最小化，提高量子点太阳能电池的光学性能和转换效率。

公开(公告)号：CN106702482A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201611202065.X

申请日：2016-12-23

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李含冬 ,  张忠阳 ,  王志明 ,  任武洋 ,  李勇 ,  龙城佳 ,  周志华 ,  姬海宁 ,  牛晓滨

IPC: C30B25/02 ,  C30B25/18

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B25/183

Abstract: 本发明公开了一种在硅衬底上生长锑化铟薄膜的方法，包括以下操作步骤：1)将(111)晶面取向硅衬底置于分子束外延系统中，衬底生长前高温去气，高温退火得到Si(111)‑(7×7)再构表面；2)Bi单晶超薄缓冲层生长；3)待步骤2)中生长出Bi缓冲层后，分别升高铟束流源与锑裂解束流源温度，开始InSb形核层的生长；4)待步骤3)InSb形核层生长后，开始InSb外延薄膜的生长，即得。本技术方案采用与InSb晶格相匹配的Bi超薄单晶层作为缓冲层，在Bi缓冲层表面上生长厚度为10nm的低温InSb形核层后，再适当提高生长温度进行InSb外延层的生长，就可获得高表面能平整度且单一In极性InSb单晶薄膜。

公开(公告)号：CN101256866A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200710051056.X

申请日：2007-12-29

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 兰中文 ,  余忠 ,  李乐中 ,  姬海宁 ,  孙科 ,  蒋晓娜

IPC: H01F1/34 ,  C04B35/26 ,  C04B35/64

Abstract: 宽温超低损耗MnZn软磁铁氧体材料及制备方法，本发明属于电子材料技术领域。其主成分按摩尔百分比，以氧化物计算：65～75mol％Fe2O3，13～20mol％ZnO，0.0001～0.5mol％TiO2，余量为Mn3O4；掺杂剂按重量百分比，以氧化物计算：0.01～0.1wt％CaO、0.01～0.09wt％Nb2O5，0.01～0.1wt％V2O5，0.001～0.1wt％ZrO2，以及0.05～1wt％Co2O3。本发明的宽温超低损耗MnZn铁氧体材料晶粒均匀致密，平均晶粒尺寸约为12～18μm。