一种合金化核壳结构量子点及其制备方法

    公开(公告)号:CN114058368B

    公开(公告)日:2023-09-19

    申请号:CN202111559871.3

    申请日:2021-12-20

    Applicant: 河南大学

    Abstract: 本发明提出的是一种合金化核壳结构量子点,其结构包括合金化晶核,合金化晶核的表面有合金化层;进一步地,所述合金化晶核为合金化CdSeS晶核,合金化CdSeS晶核的表面有合金化ZnCdSeS层。一种合金化核壳结构量子点的制备方法,该方法包括:1、采用热注入法制备含有合金化CdSeS晶核的溶液;2、采用离子注入法对合金化CdSeS晶核进行表面修饰形成合金化ZnCdSeS层。本发明解决了现有核壳结构量子点存在的表面缺陷多、晶核与中间合金层之间容易出现晶格常数不匹配、晶格应力大的问题。

    一种硒元素贯穿的核壳结构量子点及其制备方法

    公开(公告)号:CN114507526A

    公开(公告)日:2022-05-17

    申请号:CN202210230639.3

    申请日:2022-03-10

    Applicant: 河南大学

    Abstract: 本发明提出的是一种硒元素贯穿的核壳结构量子点,其结构包括CdSe晶核和硒元素贯穿的壳层,硒元素贯穿的壳层生长在CdSe晶核的外层;所述硒元素贯穿的壳层包括CdZnSe壳层,CdZnSe壳层生长在CdSe晶核的外层。一种硒元素贯穿的核壳结构量子点的制备方法,该方法包括以下步骤:1、制备CdSe晶核;2、在CdSe晶核外包覆生长CdZnSe壳层,形成CdSe/CdZnSe核壳结构量子点。本发明解决了现在硒元素贯穿核壳结构量子点在壳层生长过程中由于壳层材料与晶核之间固有的较大晶格失配度以及壳层生长温度较低等原因导致的量子产率降低、荧光半峰宽宽化等问题。

    一种核壳结构量子点及其制备方法

    公开(公告)号:CN111592877A

    公开(公告)日:2020-08-28

    申请号:CN202010134574.3

    申请日:2020-03-02

    Applicant: 河南大学

    Abstract: 本发明涉及量子点发光材料技术领域,尤其涉及一种核壳结构量子点及其制备方法。本发明提供了一种核壳结构量子点的制备方法,包括以下步骤:将铟盐与有机溶剂混合,得到铟前驱体溶液;将所述铟前驱体溶液与磷前驱体溶液混合,进行晶核生长,得到InP量子点晶核;将所述InP量子点晶核进行去氧化处理后,以所述InP量子点为核,在所述InP量子点的表面生长壳层结构,得到核壳结构量子点;所述去氧化处理采用的试剂为氟化物、硒化物或硫化物。根据实施例的记载,利用本发明所述的制备方法制备得到的核壳结构量子点的产率在80%以上,荧光峰位覆盖范围为520~660nm。

    一种非闪烁量子点及其制备方法和量子点发光二极管

    公开(公告)号:CN109468127B

    公开(公告)日:2019-12-24

    申请号:CN201811228422.9

    申请日:2018-10-22

    Applicant: 河南大学

    Abstract: 本发明提供了一种非闪烁量子点,采用所述非闪烁量子点制备得到的发光二极管红色的最大亮度大于180000cd/m2,绿色亮度范围大于200000cd/m2,蓝色亮度范围大于10000万cd/m2,红色电流效率为15~40cd/A,绿色电流效率为90~150cd/A,蓝色电流效率为1~20cd/A;红色外量子效率为18~30%,绿色外量子效率为18~30%,蓝色外量子效率为6~22%,对应最大电流效率或外量子效率时红、绿、蓝发光二极管对应的亮度分别为70000~100000cd/m2、70000~200000cd/m2、3000~40000cd/m2。

    基于双色量子点联合检测SAA和CRP的荧光免疫吸附检测试剂盒及其制备方法

    公开(公告)号:CN109669044A

    公开(公告)日:2019-04-23

    申请号:CN201910067993.7

    申请日:2019-03-15

    Applicant: 河南大学

    Abstract: 本发明提供了基于双色量子点联合检测SAA和CRP的荧光免疫吸附检测试剂盒及其制备方法,属于体外诊断检测技术领域。荧光免疫吸附检测试剂盒,充分利用量子点多色标记优势和抗体抗原特异性反应的特点,在同一个酶标板孔中包被两种抗体,形成两种“包被抗体-待测抗原-量子点标记抗体”的双抗体夹心法,建立了简便、灵敏、稳定的新型多种标志物的检测方法。相比传统的ELISA法,本方法不仅节省检测样本用量,缩短检测时间,而且可提高检测效率,有利于节约检测成本,降低医疗费用。

    一种量子点发光二极管及制备方法

    公开(公告)号:CN109545996A

    公开(公告)日:2019-03-29

    申请号:CN201811430395.3

    申请日:2018-11-28

    Abstract: 本发明公开一种量子点发光二极管及制备方法。量子点发光二极管包括:无机电子传输层、电子缓冲层、量子点发光层、量子点修饰层和无机空穴传输层;在无机电子传输层上侧设置电子缓冲层,在电子缓冲层上侧设置量子点发光层,在量子点发光层上侧设置量子点修饰层,在修饰层上侧设置无机空穴传输层。本发明在无机电子传输层与量子点发光层之间设置了电子缓冲层,在无机空穴传输层与量子点发光层之间量子点修饰层,既能有效的降低无机电子传输层和无机空穴传输层对量子点发光层的破坏,提高量子点发光层的发光量子产率,又能调制载流子注入效率,还能对量子点发光层的保护作用,防止器件受到氧化,提高了蓝色QLED的效率、寿命和稳定性。

    一种非闪烁量子点及其制备方法

    公开(公告)号:CN108559483A

    公开(公告)日:2018-09-21

    申请号:CN201810482250.1

    申请日:2018-05-18

    Applicant: 河南大学

    Inventor: 申怀彬 李林松

    Abstract: 本发明涉及半导体功能材料技术领域,特别涉及一种非闪烁量子点及其制备方法。本发明将壳层生长温度控制在比核体生长温度高5~80℃,使壳层源各组分在高温条件下反应,促进壳层源各离子的相互渗透,消除壳层晶体内部的缺陷,进而得到晶相稳定的富集ZnSe材料,避免富集ZnSe材料被空气中的氧气氧化;同时,本发明还通过壳层源添加方式的设置,避免壳层源的各组分单独成核,进而得到以富集ZnSe材料为壳层的核壳结构量子点。利用上述方案得到的量子点的亮态比为90~100%,属于典型的非闪烁量子点。

    一种核壳合金量子点及其制备方法

    公开(公告)号:CN107573923A

    公开(公告)日:2018-01-12

    申请号:CN201710786797.6

    申请日:2017-09-04

    Applicant: 河南大学

    Abstract: 本发明提供一种核壳合金量子点及其制备方法,所述制备方法包括以下步骤:将成核阳离子源、成核阴离子源和烃类有机溶剂混合,在220~280℃成核温度下保温,得到量子点核体;将得到的量子点核体在300~318℃的成壳温度与成壳阳离子源、成壳阴离子源和烃类有机溶剂混合,得到核壳合金量子点。本发明在较低温度条件下合成量子点晶核,随后较高温度生长壳层的方法制备得到高量子产率,稳定性好的核壳量子点。

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