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公开(公告)号：CN114507526B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202210230639.3
申请日：2022-03-10
Applicant: 河南大学
Abstract: 本发明提出的是一种硒元素贯穿的核壳结构量子点，其结构包括CdSe晶核和硒元素贯穿的壳层，硒元素贯穿的壳层生长在CdSe晶核的外层；所述硒元素贯穿的壳层包括CdZnSe壳层，CdZnSe壳层生长在CdSe晶核的外层。一种硒元素贯穿的核壳结构量子点的制备方法，该方法包括以下步骤：1、制备CdSe晶核；2、在CdSe晶核外包覆生长CdZnSe壳层，形成CdSe/CdZnSe核壳结构量子点。本发明解决了现在硒元素贯穿核壳结构量子点在壳层生长过程中由于壳层材料与晶核之间固有的较大晶格失配度以及壳层生长温度较低等原因导致的量子产率降低、荧光半峰宽宽化等问题。
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公开(公告)号：CN108048073A
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201810002567.0
申请日：2018-01-02
Applicant: 河南大学
CPC classification number: C09K11/02 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C09K11/883
Abstract: 本发明提供的非闪烁核壳结构量子点，包括核体和包覆于所述核体外表面的ZnS壳层；所述核体的化学组成为ZnxCd1‑xSeyS1‑y，其中0
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114058368B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202111559871.3
申请日：2021-12-20
Applicant: 河南大学
Abstract: 本发明提出的是一种合金化核壳结构量子点，其结构包括合金化晶核，合金化晶核的表面有合金化层；进一步地，所述合金化晶核为合金化CdSeS晶核，合金化CdSeS晶核的表面有合金化ZnCdSeS层。一种合金化核壳结构量子点的制备方法，该方法包括：1、采用热注入法制备含有合金化CdSeS晶核的溶液；2、采用离子注入法对合金化CdSeS晶核进行表面修饰形成合金化ZnCdSeS层。本发明解决了现有核壳结构量子点存在的表面缺陷多、晶核与中间合金层之间容易出现晶格常数不匹配、晶格应力大的问题。
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公开(公告)号：CN114507526A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210230639.3
申请日：2022-03-10
Applicant: 河南大学
Abstract: 本发明提出的是一种硒元素贯穿的核壳结构量子点，其结构包括CdSe晶核和硒元素贯穿的壳层，硒元素贯穿的壳层生长在CdSe晶核的外层；所述硒元素贯穿的壳层包括CdZnSe壳层，CdZnSe壳层生长在CdSe晶核的外层。一种硒元素贯穿的核壳结构量子点的制备方法，该方法包括以下步骤：1、制备CdSe晶核；2、在CdSe晶核外包覆生长CdZnSe壳层，形成CdSe/CdZnSe核壳结构量子点。本发明解决了现在硒元素贯穿核壳结构量子点在壳层生长过程中由于壳层材料与晶核之间固有的较大晶格失配度以及壳层生长温度较低等原因导致的量子产率降低、荧光半峰宽宽化等问题。
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公开(公告)号：CN112745852B
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202110264088.8
申请日：2021-03-11
Applicant: 河南大学
Abstract: 本发明提出的是一种ZnSe/ZnS核壳结构量子点，其结构包括准体相ZnSe量子点和ZnS壳层；其中，以准体相ZnSe量子点为核，在准体相ZnSe量子点外包覆ZnS壳层。一种制备ZnSe/ZnS核壳结构量子点的方法，该方法包括以下步骤：（1）制备准体相ZnSe晶核；（2）在准体相ZnSe晶核外包覆ZnSe壳层形成准体相ZnSe量子点；（3）在准体相ZnSe量子点外包覆ZnS壳层。本发明的有益效果：1）本发明制备的ZnSe/ZnS核壳结构量子点，具有稳定性佳，荧光量子产率高，尺寸分布均匀，单分散性良好，半峰宽窄的优点；2）本发明制备的ZnSe/ZnS核壳结构量子点具有准体相特征。
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公开(公告)号：CN114058368A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111559871.3
申请日：2021-12-20
Applicant: 河南大学
Abstract: 本发明提出的是一种合金化核壳结构量子点，其结构包括合金化晶核，合金化晶核的表面有合金化层；进一步地，所述合金化晶核为合金化CdSeS晶核，合金化CdSeS晶核的表面有合金化ZnCdSeS层。一种合金化核壳结构量子点的制备方法，该方法包括：1、采用热注入法制备含有合金化CdSeS晶核的溶液；2、采用离子注入法对合金化CdSeS晶核进行表面修饰形成合金化ZnCdSeS层。本发明解决了现有核壳结构量子点存在的表面缺陷多、晶核与中间合金层之间容易出现晶格常数不匹配、晶格应力大的问题。
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公开(公告)号：CN112745852A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202110264088.8
申请日：2021-03-11
Applicant: 河南大学
Abstract: 本发明提出的是一种ZnSe/ZnS核壳结构量子点，其结构包括准体相ZnSe量子点和ZnS壳层；其中，以准体相ZnSe量子点为核，在准体相ZnSe量子点外包覆ZnS壳层。一种制备ZnSe/ZnS核壳结构量子点的方法，该方法包括以下步骤：（1）制备准体相ZnSe晶核；（2）在准体相ZnSe晶核外包覆ZnSe壳层形成准体相ZnSe量子点；（3）在准体相ZnSe量子点外包覆ZnS壳层。本发明的有益效果：1）本发明制备的ZnSe/ZnS核壳结构量子点，具有稳定性佳，荧光量子产率高，尺寸分布均匀，单分散性良好，半峰宽窄的优点；2）本发明制备的ZnSe/ZnS核壳结构量子点具有准体相特征。
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