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公开(公告)号：CN101690264B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN200880023767.9
申请日：2008-01-30
Applicant: 欧姆龙株式会社
IPC: H04R19/04
CPC classification number: H04R19/04 , H04R19/005 , H04R31/00
Abstract: 一种音响传感器，使感应音压的振动电极板(24)与相对电极板(25)相对，构成电容式音响传感器。在相对电极板(25)上开设用于使振动通过的音响孔。在相对电极板(25)上开设的音响孔由开口面积比较小的多个音响孔(31)和开口面积比较大的一个音响孔(36)构成，音响孔(31)、(36)以等间隔配置成晶格状。在将膜片(28)的宽度设为L时，开口面积比较大的音响孔(36)设置在相对电极板(25)上的以与膜片(28)的中心相对的位置为中心的半径r＝L/4的圆形区域a的内部。
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公开(公告)号：CN102918874A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201180026170.1
申请日：2011-05-10
Applicant: 欧姆龙株式会社 , 意法半导体股份有限公司
IPC: H04R19/04
CPC classification number: H04R3/00 , H04R19/016
Abstract: 本发明的音响传感器(11)在半导体基板的上表面形成有振动膜(22)及固定膜(23)，根据振动膜(22)中的振动电极(22a)和固定膜(23)中的固定电极(23a)间的静电电容的变化，来检测声波。为了使声波从外部到达振动膜(22)，在固定膜(23)上形成有多个音孔部(32)，固定电极(23a)是以缘部(40)的边界不和音孔部(32)相交的方式形成的。
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公开(公告)号：CN102238461A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201110094292.6
申请日：2011-04-15
Applicant: 欧姆龙株式会社
CPC classification number: H04R19/005 , H04R19/04
Abstract: 本发明提供一种声音传感器，不使梁部的强度及隔膜的支承强度降低，而能够加长梁部的未由锚件固定的部分的长度。在硅基板(32)的上面，在由多晶硅构成的第一牺牲层(48)的延伸部(48a)上经由由氧化硅膜构成的第二牺牲层(47)形成有由多晶硅构成的隔膜(33)的梁部(36a)。延伸部(48a)形成在梁部(36a)的除前端部之外的区域下。从设于硅基板(32)的背室(35)蚀刻除去延伸部(48a)，在梁部(36a)的下面的除前端部之外的区域形成空洞部(50)后，进一步蚀刻除去第二牺牲层(47)。此时，在梁部(36a)的前端部下面残留第二牺牲层(47)作为锚件(37)。
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公开(公告)号：CN102124755A
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN200980131929.5
申请日：2009-02-20
Applicant: 欧姆龙株式会社
IPC: H04R19/04
CPC classification number: H04R19/005 , B81B3/007 , B81B2201/0257 , B81B2203/0307 , H04R19/04 , H04R31/00
Abstract: 本发明提供一种静电电容式振动传感器。在硅基板(32)上形成贯通其表面背面的贯通孔等空洞部(36)。振动电极板(34)将空洞部(36)的上面侧的开口覆盖而配置在硅基板(32)的上表面。固定电极板(35)与振动电极板(34)隔开微小间隙而将振动电极板(34)的上方覆盖，周边部固定在硅基板(32)的上表面。固定电极板(35)通过侧壁部支承隔着空间与硅基板(32)的上表面相对的部分，所述侧壁部设置在不隔着空间而固定在硅基板(32)上表面的部分的内缘，固定电极板(35)的侧壁部的外表面被Au、Cr、Pt等金属构成的加强膜(44)覆盖。
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公开(公告)号：CN101506987B
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200780031774.9
申请日：2007-07-20
Applicant: 欧姆龙株式会社
IPC: H01L29/84 , H01L21/306 , H04R19/04 , H04R31/00
CPC classification number: B81C1/00182 , B81B2201/0257 , B81B2201/0285 , B81B2203/0127 , B81B2203/0353 , H04R19/005 , H04R19/04
Abstract: 本发明提供一种振动传感器及其制造方法。在硅基板(12)的表面形成由SiO2薄膜构成的保护膜(20)，在将保护膜的一部分除去而开设的蚀刻窗(22)成膜由多晶硅构成的保护层(23)。从保护层(23)之上开始在硅基板表面形成由SiO2构成的保护膜(24)，从保护膜之上形成由多晶硅构成的元件薄膜(13)。在背面的保护膜(21)开设背面蚀刻窗(26)。将硅基板浸渍在TMAH中而从背面蚀刻窗对硅基板进行晶体各向异性蚀刻，在硅基板设置贯通孔(14)。保护层在贯通孔内露出时，将保护层蚀刻除去，在保护膜与硅基板之间生成间隙(19)，从表面侧和背面侧对硅基板进行晶体各向异性蚀刻。
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公开(公告)号：CN101820570A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN201010163546.0
申请日：2007-07-20
Applicant: 欧姆龙株式会社
CPC classification number: B81C1/00182 , B81B2201/0257 , B81B2201/0285 , B81B2203/0127 , B81B2203/0353 , H04R19/005 , H04R19/04
Abstract: 本发明提供一种麦克风。在硅基板(12)的表面形成由SiO2薄膜构成的保护膜(20)，在将保护膜的一部分除去而开设的蚀刻窗(22)成膜由多晶硅构成的保护层(23)。从保护层(23)之上开始在硅基板表面形成由SiO2构成的保护膜(24)，从保护膜之上形成由多晶硅构成的元件薄膜(13)。在背面的保护膜(21)开设背面蚀刻窗(26)。将硅基板浸渍在TMAH中而从背面蚀刻窗对硅基板进行晶体各向异性蚀刻，在硅基板设置贯通孔(14)。保护层在贯通孔内露出时，将保护层蚀刻除去，在保护膜与硅基板之间生成间隙(19)，从表面侧和背面侧对硅基板进行晶体各向异性蚀刻。
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公开(公告)号：CN101785325A
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200980100206.9
申请日：2009-02-18
Applicant: 欧姆龙株式会社
IPC: H04R19/04
CPC classification number: H04R19/005 , H04R2201/003
Abstract: 一种静电电容式振动传感器。在硅基板(32)上贯通表面及背面而形成有贯通孔(37)。覆盖贯通孔(37)而在硅基板(32)的上表面形成振动电极板(34)，在振动电极板(34)之上隔着气隙(35)而形成固定电板(36)。在固定电极板(36)中与振动电极板(34)相对的区域，在该区域内的外周部设有音响孔(43b)，其比在该区域内的外周部以外设置的音响孔(43a)的开口面积小。这些音响孔(43a、43b)无论其开口面积大小如何，都以一定的间距有规则地排列。
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公开(公告)号：CN101422053A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200780013260.0
申请日：2007-02-23
Applicant: 欧姆龙株式会社
IPC: H04R31/00 , H01L21/306
CPC classification number: H04R31/00 , H04R19/005 , H04R19/04 , Y10T29/49002 , Y10T29/49005 , Y10T29/4908
Abstract: 本发明涉及一种麦克风的制造方法。使牺牲层(36)从药液投入口(31)露出，利用从药液投入口(31)导入的蚀刻剂将牺牲层(36)和牺牲层(35)蚀刻除去。由于在除去了牺牲层(35)后的痕迹的蚀刻窗口(34)使Si衬底(22)的表面露出，因此，在蚀刻窗口(34)的下方对Si衬底(22)进行结晶各向异性蚀刻并产生空腔(23)。与此相对，由于在蚀刻除去了牺牲层(36)的空间，Si衬底(22)的表面由保护膜(32)覆盖，因此，Si衬底(22)未被蚀刻而在此形成通风孔(26)。可通过来自表面侧的蚀刻在半导体衬底形成空腔。另外，能够很容易制造声阻大的通风孔。
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