公开(公告)号：CN102164333A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN201110003378.3

申请日：2011-01-10

Applicant: 欧姆龙株式会社

Inventor： 大村英一 ,  小泽尚志 ,  若林秀一

IPC: H04R19/04

CPC classification number: B81C1/00182 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2203/0127 ,  B81C2203/031 ,  B81C2203/036 ,  H01L2924/16151 ,  H01L2924/16152 ,  H04R19/005 ,  H04R2201/003

Abstract: 一种音响传感器，防止用于将音响检测元件固定在基体基板上的粘接剂通过后室向上流动的现象。另外，防止后室自音响检测元件的下表面的漏损。而且，减小音响检测元件的变形，提高音响传感器的灵敏度。音响检测元件(32)将其下表面由热固化粘接剂(56)与基体基板(34)的上表面粘接在一起。音响检测元件(32)是在元件基板(41)的上表面制作振动电极板(43)和与振动电极板(43)相对的固定电极板(44)而制成的。在元件基板(41)形成有后室(45)。后室(45)在元件基板(41)的上表面设有开口，后室(45)的下表面由元件基板(41)堵住而形成袋状。振动电极板(43)位于后室(45)上表面的开口处，在固定电极板(44)设有用于使音响振动通过的音响孔(55)。

公开(公告)号：CN101506987A

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200780031774.9

申请日：2007-07-20

Applicant: 欧姆龙株式会社

Inventor： 笠井隆 ,  堀本恭弘 ,  加藤史仁 ,  宗近正纪 ,  若林秀一 ,  高桥敏幸 ,  犬贺正幸

IPC: H01L29/84 ,  H01L21/306 ,  H04R19/04 ,  H04R31/00

CPC classification number: B81C1/00182 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0285 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0353 ,  H04R19/005 ,  H04R19/04

Abstract: 本发明提供一种振动传感器及其制造方法。在硅基板(12)的表面形成由SiO2薄膜构成的保护膜(20)，在将保护膜的一部分除去而开设的蚀刻窗(22)成膜由多晶硅构成的保护层(23)。从保护层(23)之上开始在硅基板表面形成由SiO2构成的保护膜(24)，从保护膜之上形成由多晶硅构成的元件薄膜(13)。在背面的保护膜(21)开设背面蚀刻窗(26)。将硅基板浸渍在TMAH中而从背面蚀刻窗对硅基板进行晶体各向异性蚀刻，在硅基板设置贯通孔(14)。保护层在贯通孔内露出时，将保护层蚀刻除去，在保护膜与硅基板之间生成间隙(19)，从表面侧和背面侧对硅基板进行晶体各向异性蚀刻。

公开(公告)号：CN101820570B

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201010163546.0

申请日：2007-07-20

Applicant: 欧姆龙株式会社

Inventor： 笠井隆 ,  堀本恭弘 ,  加藤史仁 ,  宗近正纪 ,  若林秀一 ,  高桥敏幸 ,  犬贺正幸

IPC: H04R19/04 ,  H04R31/00

CPC classification number: B81C1/00182 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0285 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0353 ,  H04R19/005 ,  H04R19/04

Abstract: 本发明提供一种麦克风。在硅基板(12)的表面形成由SiO2薄膜构成的保护膜(20)，在将保护膜的一部分除去而开设的蚀刻窗(22)成膜由多晶硅构成的保护层(23)。从保护层(23)之上开始在硅基板表面形成由SiO2构成的保护膜(24)，从保护膜之上形成由多晶硅构成的元件薄膜(13)。在背面的保护膜(21)开设背面蚀刻窗(26)。将硅基板浸渍在TMAH中而从背面蚀刻窗对硅基板进行晶体各向异性蚀刻，在硅基板设置贯通孔(14)。保护层在贯通孔内露出时，将保护层蚀刻除去，在保护膜与硅基板之间生成间隙(19)，从表面侧和背面侧对硅基板进行晶体各向异性蚀刻。

公开(公告)号：CN101506987B

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200780031774.9

申请日：2007-07-20

Applicant: 欧姆龙株式会社

Inventor： 笠井隆 ,  堀本恭弘 ,  加藤史仁 ,  宗近正纪 ,  若林秀一 ,  高桥敏幸 ,  犬贺正幸

IPC: H01L29/84 ,  H01L21/306 ,  H04R19/04 ,  H04R31/00

CPC classification number: B81C1/00182 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0285 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0353 ,  H04R19/005 ,  H04R19/04

Abstract: 本发明提供一种振动传感器及其制造方法。在硅基板(12)的表面形成由SiO2薄膜构成的保护膜(20)，在将保护膜的一部分除去而开设的蚀刻窗(22)成膜由多晶硅构成的保护层(23)。从保护层(23)之上开始在硅基板表面形成由SiO2构成的保护膜(24)，从保护膜之上形成由多晶硅构成的元件薄膜(13)。在背面的保护膜(21)开设背面蚀刻窗(26)。将硅基板浸渍在TMAH中而从背面蚀刻窗对硅基板进行晶体各向异性蚀刻，在硅基板设置贯通孔(14)。保护层在贯通孔内露出时，将保护层蚀刻除去，在保护膜与硅基板之间生成间隙(19)，从表面侧和背面侧对硅基板进行晶体各向异性蚀刻。

公开(公告)号：CN101820570A

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN201010163546.0

申请日：2007-07-20

Applicant: 欧姆龙株式会社

Inventor： 笠井隆 ,  堀本恭弘 ,  加藤史仁 ,  宗近正纪 ,  若林秀一 ,  高桥敏幸 ,  犬贺正幸

IPC: H04R19/04 ,  H04R31/00

CPC classification number: B81C1/00182 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0285 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0353 ,  H04R19/005 ,  H04R19/04

Abstract: 本发明提供一种麦克风。在硅基板(12)的表面形成由SiO2薄膜构成的保护膜(20)，在将保护膜的一部分除去而开设的蚀刻窗(22)成膜由多晶硅构成的保护层(23)。从保护层(23)之上开始在硅基板表面形成由SiO2构成的保护膜(24)，从保护膜之上形成由多晶硅构成的元件薄膜(13)。在背面的保护膜(21)开设背面蚀刻窗(26)。将硅基板浸渍在TMAH中而从背面蚀刻窗对硅基板进行晶体各向异性蚀刻，在硅基板设置贯通孔(14)。保护层在贯通孔内露出时，将保护层蚀刻除去，在保护膜与硅基板之间生成间隙(19)，从表面侧和背面侧对硅基板进行晶体各向异性蚀刻。