-
公开(公告)号：CN101506987A
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200780031774.9
申请日：2007-07-20
Applicant: 欧姆龙株式会社
IPC: H01L29/84 , H01L21/306 , H04R19/04 , H04R31/00
CPC classification number: B81C1/00182 , B81B2201/0257 , B81B2201/0285 , B81B2203/0127 , B81B2203/0353 , H04R19/005 , H04R19/04
Abstract: 本发明提供一种振动传感器及其制造方法。在硅基板(12)的表面形成由SiO2薄膜构成的保护膜(20)，在将保护膜的一部分除去而开设的蚀刻窗(22)成膜由多晶硅构成的保护层(23)。从保护层(23)之上开始在硅基板表面形成由SiO2构成的保护膜(24)，从保护膜之上形成由多晶硅构成的元件薄膜(13)。在背面的保护膜(21)开设背面蚀刻窗(26)。将硅基板浸渍在TMAH中而从背面蚀刻窗对硅基板进行晶体各向异性蚀刻，在硅基板设置贯通孔(14)。保护层在贯通孔内露出时，将保护层蚀刻除去，在保护膜与硅基板之间生成间隙(19)，从表面侧和背面侧对硅基板进行晶体各向异性蚀刻。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101690264A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200880023767.9
申请日：2008-01-30
Applicant: 欧姆龙株式会社
IPC: H04R19/04
CPC classification number: H04R19/04 , H04R19/005 , H04R31/00
Abstract: 一种音响传感器，使感应音压的振动电极板(24)与相对电极板(25)相对，构成电容式音响传感器。在相对电极板(25)上开设用于使振动通过的音响孔。在相对电极板(25)上开设的音响孔由开口面积比较小的多个音响孔(31)和开口面积比较大的一个音响孔(36)构成，音响孔(31)、(36)以等间隔配置成晶格状。在将膜片(28)的宽度设为L时，开口面积比较大的音响孔(36)设置在相对电极板(25)上的以与膜片(28)的中心相对的位置为中心的半径r＝L/4的圆形区域a的内部。
-
公开(公告)号：CN101820570B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201010163546.0
申请日：2007-07-20
Applicant: 欧姆龙株式会社
CPC classification number: B81C1/00182 , B81B2201/0257 , B81B2201/0285 , B81B2203/0127 , B81B2203/0353 , H04R19/005 , H04R19/04
Abstract: 本发明提供一种麦克风。在硅基板(12)的表面形成由SiO2薄膜构成的保护膜(20)，在将保护膜的一部分除去而开设的蚀刻窗(22)成膜由多晶硅构成的保护层(23)。从保护层(23)之上开始在硅基板表面形成由SiO2构成的保护膜(24)，从保护膜之上形成由多晶硅构成的元件薄膜(13)。在背面的保护膜(21)开设背面蚀刻窗(26)。将硅基板浸渍在TMAH中而从背面蚀刻窗对硅基板进行晶体各向异性蚀刻，在硅基板设置贯通孔(14)。保护层在贯通孔内露出时，将保护层蚀刻除去，在保护膜与硅基板之间生成间隙(19)，从表面侧和背面侧对硅基板进行晶体各向异性蚀刻。
-
公开(公告)号：CN101690264B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN200880023767.9
申请日：2008-01-30
Applicant: 欧姆龙株式会社
IPC: H04R19/04
CPC classification number: H04R19/04 , H04R19/005 , H04R31/00
Abstract: 一种音响传感器，使感应音压的振动电极板(24)与相对电极板(25)相对，构成电容式音响传感器。在相对电极板(25)上开设用于使振动通过的音响孔。在相对电极板(25)上开设的音响孔由开口面积比较小的多个音响孔(31)和开口面积比较大的一个音响孔(36)构成，音响孔(31)、(36)以等间隔配置成晶格状。在将膜片(28)的宽度设为L时，开口面积比较大的音响孔(36)设置在相对电极板(25)上的以与膜片(28)的中心相对的位置为中心的半径r＝L/4的圆形区域a的内部。
-
公开(公告)号：CN101506987B
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200780031774.9
申请日：2007-07-20
Applicant: 欧姆龙株式会社
IPC: H01L29/84 , H01L21/306 , H04R19/04 , H04R31/00
CPC classification number: B81C1/00182 , B81B2201/0257 , B81B2201/0285 , B81B2203/0127 , B81B2203/0353 , H04R19/005 , H04R19/04
Abstract: 本发明提供一种振动传感器及其制造方法。在硅基板(12)的表面形成由SiO2薄膜构成的保护膜(20)，在将保护膜的一部分除去而开设的蚀刻窗(22)成膜由多晶硅构成的保护层(23)。从保护层(23)之上开始在硅基板表面形成由SiO2构成的保护膜(24)，从保护膜之上形成由多晶硅构成的元件薄膜(13)。在背面的保护膜(21)开设背面蚀刻窗(26)。将硅基板浸渍在TMAH中而从背面蚀刻窗对硅基板进行晶体各向异性蚀刻，在硅基板设置贯通孔(14)。保护层在贯通孔内露出时，将保护层蚀刻除去，在保护膜与硅基板之间生成间隙(19)，从表面侧和背面侧对硅基板进行晶体各向异性蚀刻。
-
公开(公告)号：CN101820570A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN201010163546.0
申请日：2007-07-20
Applicant: 欧姆龙株式会社
CPC classification number: B81C1/00182 , B81B2201/0257 , B81B2201/0285 , B81B2203/0127 , B81B2203/0353 , H04R19/005 , H04R19/04
Abstract: 本发明提供一种麦克风。在硅基板(12)的表面形成由SiO2薄膜构成的保护膜(20)，在将保护膜的一部分除去而开设的蚀刻窗(22)成膜由多晶硅构成的保护层(23)。从保护层(23)之上开始在硅基板表面形成由SiO2构成的保护膜(24)，从保护膜之上形成由多晶硅构成的元件薄膜(13)。在背面的保护膜(21)开设背面蚀刻窗(26)。将硅基板浸渍在TMAH中而从背面蚀刻窗对硅基板进行晶体各向异性蚀刻，在硅基板设置贯通孔(14)。保护层在贯通孔内露出时，将保护层蚀刻除去，在保护膜与硅基板之间生成间隙(19)，从表面侧和背面侧对硅基板进行晶体各向异性蚀刻。
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.017 seconds)
