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公开(公告)号：CN110071270B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201910255256.X
申请日：2019-04-01
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/485 , H01M4/131 , H01M10/0525
Abstract: 本发明提供了一种氮掺杂氧化亚硅负极材料及其制备方法与应用。所述氮掺杂氧化亚硅负极材料制备方法包括如下步骤：制备预氮化处理二氧化硅粉体和预氮化处理硅粉体；制备含预氮化处理二氧化硅粉体和预氮化处理硅粉体的掺杂混合粉体；对所述掺杂混合粉体进行梯度烧结还原处理。本发明氮掺杂氧化亚硅负极材料的制备方法制备的氮掺杂氧化亚硅负极材料具有良好的电子导电网络，从而提高了锂离子传导速率，改善了硅系负极材料的导电性，提高其结构稳定性和容量保持率。
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公开(公告)号：CN111359541A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN202010178071.6
申请日：2020-03-14
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: B01J6/00 , C04B35/453 , C04B35/465 , C04B35/468 , C04B35/48 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种水热法制备陶瓷装置及方法，水热法制备陶瓷装置中，内壳位于外壳内，且与外壳形成空腔，釜盖覆盖空腔，载物台位于内壳内，陶瓷生坯放置于载物台上，釜盖具有进口和出口，导管与进口和压力泵连通，气体流量调节阀与导管固定连接，安全泄压阀与釜盖固定连接，并与出口连通，温度传感器和压力传感器均固定于内壳内，加热组件环绕内壳四周于空腔内，压力泵、气体流量调节阀、安全泄压阀、温度传感器、压力传感器、加热组件均与控制器电连接。利用水热烧结，将陶瓷生坯在低于400℃的温度下，通过控制压力和保温时间，实现对陶瓷体的水热致密化，获得相对密度大于90％的陶瓷体，具有精准可控、低耗能、可规模化生产的特点。
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公开(公告)号：CN110436918A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910639185.3
申请日：2019-07-16
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/626
Abstract: 本发明涉及纳米介电材料制备技术领域，尤其涉及一种酒石酸工艺制备纳米四方相钛酸钡粉体的方法，以四氯化钛为钛源、氯化钡为钡源、酒石酸为沉淀剂及表面活性剂，经滴定沉淀反应、液相均匀反应或陈化处理、洗涤过滤、粉碎干燥、热分解、粉碎后制备得到纳米四方相钛酸钡粉体。本发明的一种酒石酸工艺制备纳米四方相钛酸钡粉体的方法，工艺简单、操作容易，制备得到的四方相纳米钛酸钡粉体四方相高，分散性好，粒径均匀可控，适用于大规模生产。
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公开(公告)号：CN110071270A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201910255256.X
申请日：2019-04-01
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/485 , H01M4/131 , H01M10/0525
Abstract: 本发明提供了一种氮掺杂氧化亚硅负极材料及其制备方法与应用。所述氮掺杂氧化亚硅负极材料制备方法包括如下步骤：制备预氮化处理二氧化硅粉体和预氮化处理硅粉体；制备含预氮化处理二氧化硅粉体和预氮化处理硅粉体的掺杂混合粉体；对所述掺杂混合粉体进行梯度烧结还原处理。本发明氮掺杂氧化亚硅负极材料的制备方法制备的氮掺杂氧化亚硅负极材料具有良好的电子导电网络，从而提高了锂离子传导速率，改善了硅系负极材料的导电性，提高其结构稳定性和容量保持率。
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公开(公告)号：CN109369173A
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201811530238.X
申请日：2018-12-14
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/49 , C04B35/626
Abstract: 本发明涉及一种四方相钛酸钡粉体的制备方法及产品，属于介电陶瓷材料技术领域，该方法中，首先将钡盐或钡的氢氧化物和钛的氧化物或氢氧化物分开球磨或砂磨，分别获得钡盐或钡的氢氧化物浆料和钛的氧化物或氢氧化物浆料，然后将两种浆料在20-40℃下混匀后进行喷雾干燥，获得混合粉体，再向该混合粉体中加入混合粉体总质量5-90％的陶瓷材料，再次混匀后进行微波处理，最终制得粉体晶粒细小，粒径均匀，分散性良好的四方相钛酸钡粉体。该制备方法工艺简单，易操作，且成本低，适合工业化生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109336595A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811119443.7
申请日：2018-09-25
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/626
Abstract: 一种超低温冷烧结MoO3陶瓷的制备方法，其步骤包括：以纯水或一定浓度的氨水溶液或乙酸溶液与MoO3粉体经研磨分散得到MoO3粉体的浆料，把浆料放入模具中施加一定的压力，同时将模具按一定的升温速率加热至一定的温度，并保温保压一定时间即得到致密MoO3陶瓷。本发明通过控制纯水或氨水浓度或乙酸及添加量、施加压力和时间，在≤300℃的条件下即可制备出晶粒细小均匀且相对密度大于98%的MoO3陶瓷。相比传统高温烧结陶瓷技术，其烧结温度低、工艺简单、节约能源以及有利于获得纳米晶粒陶瓷的特点，可广泛应用于MoO3陶瓷的超低湿冷烧结制备。
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公开(公告)号：CN105006362B
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201510449369.5
申请日：2015-07-28
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01G4/33
Abstract: 本发明公开了一种可剥离衬底的薄膜电容器制备方法。其工艺步骤为：①在衬底上旋涂一定厚度的聚胺脂胶层，并用紫外光固化；②采用溶胶凝胶或溅射法制备介质层；③采用溅射法制备电极层，并利用激光刻蚀获得图案化电极图层；④再按介质层/电极图层/介质层/电极图层的方式依次制备，并在电容器长边的两端制备端电极，形成叉指结构的单层或多层薄膜电容器；⑤将上述薄膜电容器放入电阻炉，在一定温度进行退火处理，使介质层晶化并烧掉有机层，实现薄膜电容器从衬底上的剥离。本发明无需使用酸或碱等腐蚀物质即可实现器件与衬底的剥离，具有工艺简单、易于工业化的特点，特别适合于制作各种单层或多层薄膜元器件。
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公开(公告)号：CN104987060B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201510344609.5
申请日：2015-06-18
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C23C14/34 , C23C14/08 , C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种具有骨架网络结构的氧化锌蒸镀靶材的制备方法：高温烧制获得微米级粉体，加入纳米级粉体、碎颗粒、氢氧化物浆料中的一种或者多种混合，再加入粘接剂压制成型，高温烧结后得到蒸镀靶材。本发明通过构建具有三维骨架网络的结构，实现对低密度蒸发材料的结构强化，所制备的氧化锌蒸镀材料具有较高的强度，抗热冲击性能好，彻底解决高能电子束轰击时开裂的问题。
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公开(公告)号：CN106676472A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201611166575.6
申请日：2016-12-16
Applicant: 桂林电子科技大学
CPC classification number: C23C14/0005 , C23C14/086 , C23C14/35 , C23C14/5873
Abstract: 本发明公开了一种转移ITO薄膜的方法，先在铜箔上采用磁控溅射技术沉积一定厚度的ITO薄膜，然后在ITO薄膜的表面喷涂一定厚度的环氧树脂AB胶，同时将喷涂了环氧树脂AB胶的面与PET膜通过辊压方式进行贴合，并在一定温度下加热一定时间使环氧树脂AB胶固化，最后放入硝酸铁刻蚀液去除铜箔，并用去离子水清洗后烘干，得到转移的ITO薄膜。本发明解决了高温沉积ITO薄膜向柔性衬底的转移，有效提高PET柔性衬底ITO薄膜的光电性能，克服已有技术不能直接通过高温沉积在柔性衬底上实现结晶态，或通过改进沉积工艺或薄膜制备方法的途径对柔性衬底ITO薄膜结晶性能的提升也并不明显的技术问题。
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公开(公告)号：CN104167297A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201410424428.9
申请日：2014-08-26
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01G11/24
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 本发明公开了一种超级电容器用管状介孔四氧化三钴及其制备方法。所述的管状介孔四氧化三钴是以棉花为模板制备获得的。所述的管状介孔四氧化三钴粉体的制备方法是把棉花浸泡在硝酸钴的水溶液中，待干燥后将吸附硝酸钴的棉花在空气中煅烧得到四氧化三钴粉体。所述的管状介孔四氧化三钴孔径为9-25nm、管径为8-20μm、内外径比大于1、长径比大于10的四氧化三钴。所述管状介孔四氧化三钴因具有良好的电容特性及较高的储能特性，可用作为超级电容器的电极材料。本发明同现有技术相比，工艺简单、操作容易、环保、原料来源丰富、低成本及性能好等优点，适合工业化生产。
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