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公开(公告)号：CN101402523A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200810073872.5
申请日：2008-10-31
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/457 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种复相NTC热敏陶瓷材料及其制备方法，它以BaCO3、SnO2和Bi2O3为主要原料，预先固相合成BaSnO3及BaBiO3坯料，二次混合球磨BaSnO3和BaBiO3坯料或在此混合坯料中掺杂微量Sb2O3和稀土元素氧化物后二次球磨，采用普通陶瓷制备工艺，在1100～1300℃下烧结成型。性能测试表明，本发明的复相NTC热敏陶瓷B值可以达到5000K以上，室温电阻率可降至200Ω·m。本发明制备工艺简单，物料损耗小，成本较低，所得产品可应用于测温、控温、自动增益调整、温度补偿等方面。
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公开(公告)号：CN101402522A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200810073871.0
申请日：2008-10-31
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/457 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种新型锡酸钡基导电陶瓷材料及其制备方法，它是在易于半导体化的BaSnO3中添加锑的氧化物，实现施主掺杂，采用传统陶瓷制备工艺，形成导电陶瓷，其成分可以用通式BaSbxSn1－xO3来表示，其中0＜x≤0.2。这种陶瓷材料成本低、导电性好、化学性能稳定、电阻率稳定、耐高温。常温电阻率可达1.0Ω·cm以下。而且制备工艺简单、稳定、实用性强。
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公开(公告)号：CN101234895A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200810073471.X
申请日：2008-02-04
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种钛酸铋钠基无铅压电陶瓷，它是在压电性能较好的(Na1/2Bi1/2)TiO3－xBaTiO3中添加Bi基化合物构成，成分以通式(1－x－y)(Na1/2Bi1/2)TiO3－xBaTiO3－yBiMeO3和(1－x－y)(Bi1/2Na1/2)TiO3－xBaTiO3－yBiMeO3+zMaOb来表示，其中x、y和z表示摩尔分数，0≤x≤1.0，0≤y≤0.2，0≤z≤0.1，Me为三价金属元素，MaOb为一种或多种氧化物，其中M为+1～+6价且能与氧形成固态氧化物的元素。本发明无铅压电陶瓷制备工艺简单、稳定，性能优良，其压电常数d33可达150pC/N以上，kp可达0.30以上。
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公开(公告)号：CN203621184U
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201320867723.2
申请日：2013-12-25
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: B21D26/033 , B21D26/047 , B21D26/041
Abstract: 本实用新型为金属薄壁管冲击液压胀形装置，供液螺栓两端的中心盲孔底端经径向孔与外壁连通。供液螺栓穿过金属薄壁管、两端均伸出，密封塞套于供液螺栓两端塞入金属薄壁管管口。定位盖中心阶梯孔的大孔套在金属薄壁管管口，供液螺栓从小孔伸出，螺母旋入供液螺栓两端，定位盖挤压密封塞贴合金属薄壁管和供液螺栓。供液螺栓一端经控制阀接L形管，另一端经另一控制阀密封连接液体容器。模架的上下模板各固定上下模具，金属薄壁管置于上下模具之间。使用时左右控制阀打开，液体容器中灌注、使金属薄壁管内充满液体，关闭控制阀，压力机冲压头下行，上下模具闭合，实现液压胀形。本实用新型简便易行，效率高；结构简单，成本低。
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