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公开(公告)号：CN110349837B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN201910230928.1
申请日：2019-03-26
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/02
Abstract: 提供晶片的生成方法，将所生成的晶片的履历与六方晶单晶锭关联而可靠地残留在晶片上。晶片的生成方法包含如下工序：平坦化工序，对六方晶单晶锭(2)的端面进行平坦化；剥离层形成工序，从已平坦化的端面将对于六方晶单晶锭具有透过性的波长的激光光线(LB)的聚光点(FP)定位于相当于要生成的晶片(56)的厚度的深度而对六方晶单晶锭照射激光光线，形成剥离层(28)；制造履历形成工序，将激光光线(LB’)的聚光点(FP’)定位于要生成的晶片的不形成器件的区域而对六方晶单晶锭照射激光光线(LB’)，在六方晶单晶锭的已平坦化的端面上形成制造履历(29)；以及晶片生成工序，以剥离层为起点将所要生成的晶片从六方晶单晶锭剥离而生成晶片。
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公开(公告)号：CN107464778B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN201710372767.0
申请日：2017-05-24
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/78 , B23K26/38 , B23K26/402
Abstract: 本发明提供晶片生成方法，实现生产性的提高。一种晶片生成方法，从单晶SiC锭生成SiC晶片，该晶片生成方法包含：形成由改质层、裂纹和连结层构成的剥离面的剥离面形成工序；以及以剥离面为界面将锭的一部分剥离而生成晶片的晶片剥离工序。剥离面形成工序包含：形成改质层和从该改质层沿着c面延伸的裂纹的改质层形成工序；以及将在锭的厚度方向上相邻的裂纹连结的连结层形成工序。
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公开(公告)号：CN115706003A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202210953952.X
申请日：2022-08-10
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/02 , B23K26/38 , B23K26/402
Abstract: 本发明提供晶片的生成方法，在从锭生成晶片时能够对晶片的外周高效地实施倒角加工。晶片的生成方法包含如下的工序：剥离层形成工序，将对于锭具有透过性的波长的激光束的聚光点定位于距离锭的第1端面相当于要生成的晶片的厚度的深度而向锭照射激光束，形成剥离层；第1倒角部形成工序，将具有吸收性的波长的激光束从第1端面侧照射至晶片的外周剩余区域而形成第1倒角部；剥离工序，剥离要生成的晶片；以及第2倒角部形成工序，从晶片的剥离面侧照射具有吸收性的波长的激光束而形成第2倒角部。
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公开(公告)号：CN115472515A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202210627974.7
申请日：2022-06-06
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 本发明提供锭的处理方法和处理装置，能够三维地确认锭内部的杂质浓度不同的小面区域。锭的处理方法包含如下的步骤：荧光检测步骤，照射激发光并检测从锭的上表面产生的荧光；存储步骤，将锭的上表面的荧光的光子数的分布与XY坐标位置相关联地作为二维数据进行存储，并存储获取二维数据的Z坐标位置；激光束照射步骤，将激光束的聚光点定位于距离锭的上表面相当于晶片的厚度的深度而进行照射，形成剥离层；晶片生成步骤，以剥离层作为起点而从锭分离晶片；以及三维数据生成步骤，根据锭的各个Z坐标位置的二维数据，生成示出锭整体中的荧光的光子数的分布的三维数据。
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公开(公告)号：CN109807693B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN201811250283.X
申请日：2018-10-25
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 本发明提供一种高效地成型出SiC晶锭的SiC晶锭的成型方法。本发明的SiC晶锭的成型方法包括下述工序：保持工序，利用卡盘工作台(14)对从SiC晶锭生长基台(2)切割得到的原始SiC晶锭(4)的切割面(6)进行保持；平坦化工序，对卡盘工作台(14)所保持的原始SiC晶锭(4)的端面(8)进行磨削而将其平坦化；c面检测工序，从平坦化后的端面(8’)对原始SiC晶锭(4)的c面进行检测；第一端面形成工序，对平坦化后的端面(8’)进行磨削，形成相对于c面以偏离角α倾斜的第一端面(8”)；以及第二端面形成工序，利用卡盘工作台(14)对第一端面(8”)进行保持并对原始SiC晶锭(4)的切割面(6)进行磨削，以与第一端面(8”)平行的方式形成第二端面(6’)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114055645A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202110855793.5
申请日：2021-07-28
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: [课题]本发明提供一种能够高效地由Si晶锭制造Si基板的Si基板制造方法。Si基板制造方法包括下述工序：剥离带形成工序，将对Si具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位在距Si晶锭的平坦面相当于应制造的Si基板的厚度的深度，一边使聚光点与Si晶锭在平行于晶面{100}与晶面{111}相交的交叉线的方向 上或正交于交叉线的方向[110]上相对移动，一边对Si晶锭照射激光光线，形成剥离带；以及分度进给工序，使聚光点与Si晶锭在与形成了剥离带的方向正交的方向上相对地进行分度进给。
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公开(公告)号：CN108356408B
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN201810010664.4
申请日：2018-01-05
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 提供激光加工装置，其能够将激光光线的聚光点定位于锭的内部而进行照射，从而将适当厚度的晶片从锭分离。激光加工装置(2)从锭(60)的端面将对于锭具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于锭内部而进行照射而形成剥离层，其中，该激光加工装置包含：保持单元(6)，其对锭进行保持并沿着与锭的端面(64)平行的端面方向移动；激光光线照射单元(10)，其对该保持单元所保持的锭照射激光光线，并具有聚光器(40)，该聚光器(40)使聚光点在相对于该端面(64)成直角的方向上移动；拍摄单元(12)，其对该保持单元所保持的锭的该端面方向的位置进行检测；以及高度检测单元(13)，其对锭的端面的高度进行检测。
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公开(公告)号：CN105895546B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201610085661.8
申请日：2016-02-15
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/66
Abstract: 六方晶单晶基板的检查方法和检查装置。以将六方晶单晶基板的上表面垂直于激光束的光路进行定位，并使得激光束透过六方晶单晶基板的方式保持，以该激光束发生单元产生的激光束的中心为旋转中心使六方晶单晶基板相对于激光束的偏振面进行旋转，将透过了六方晶单晶基板的激光束透过偏振分束镜分支为P偏振光和S偏振光。包括：计算工序，使用测量由该偏振分束镜分支的P偏振光的光量的第1受光元件和测量S偏振光的光量的第2受光元件，计算该第1受光元件和该第2受光元件测量出的光量比；倾斜检测工序，将该六方晶单晶基板相对于激光束的偏振面的相对旋转角度与通过该计算工序而计算的光量比对比并显示，检测c轴相对于该上表面的垂线的倾斜方向。
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公开(公告)号：CN106041327B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201610187290.4
申请日：2016-03-29
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: B23K26/53
Abstract: 提供激光加工装置，能够沿着设定于被加工物的分割预定线高效地实施适当的激光加工。激光加工装置的聚光器包含：聚光透镜，其对从激光光线振荡构件振荡出的激光光线进行会聚；以及球面像差伸长透镜，其将聚光透镜的球面像差伸长。通过从聚光器对保持在卡盘工作台上的被加工物照射脉冲激光光线，而从被加工物的上表面朝向下表面形成盾构隧道，该盾构隧道由细孔和对该孔进行盾构的非晶质构成。
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公开(公告)号：CN105855732B
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201610080065.0
申请日：2016-02-04
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: B23K26/00 , B23K26/03 , B23K26/0622 , B23K26/08 , B23K26/53 , B23K26/70 , B28D5/00 , C30B29/36 , C30B29/40 , C30B33/06
Abstract: 提供晶片的生成方法，从锭高效地生成晶片。晶片的生成方法具有：分离起点形成步骤，将对于六方晶单晶锭具有透过性的波长的激光束聚光点定位在距锭的正面相当于要生成的晶片厚度的深度，并且使聚光点与六方晶单晶锭相对地移动而对锭的正面照射激光束，形成与正面平行的改质层和从改质层沿着c面伸长的裂痕而形成分离起点。分离起点形成步骤由如下的步骤构成：第1分离起点形成步骤，利用第1输出形成分离起点；第2分离起点形成步骤，以与第1分离起点形成步骤中形成的改质层重叠的方式，利用比第1输出大的第2输出以每1脉冲的能量成为与第1分离起点形成步骤相同的能量的重复频率照射激光束，而使改质层与裂痕乖离。
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