公开(公告)号：CN112104332A

公开(公告)日：2020-12-18

申请号：CN202010558348.8

申请日：2020-06-18

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 小屋茂树 ,  梅本康成 ,  大部功 ,  近藤将夫 ,  斋藤祐一 ,  筒井孝幸

IPC: H03F3/21 ,  H03F3/68 ,  H03F3/19 ,  H03F1/30 ,  H01L23/367

Abstract: 本发明提供了能够提高散热特性的半导体元件和功率放大装置。半导体元件具有：半导体基板；第一放大器和第二放大器，被设置于半导体基板，在第一方向上相邻；第一基准电位凸块，被设置于半导体基板的主面，连接第一放大器和基准电位；第二基准电位凸块，被设置于半导体基板的主面，在第一方向上与第一基准电位凸块相邻，连接第二放大器和基准电位；以及矩形状凸块，被设置于半导体基板的主面，在俯视时，该矩形状凸块被设置于第一基准电位凸块与第二基准电位凸块之间，与第一方向正交的第二方向的第二宽度比第一方向的第一宽度大，矩形状凸块的第二宽度比第一基准电位凸块和第二基准电位凸块中的至少一方的第二方向的宽度大。

公开(公告)号：CN111668300A

公开(公告)日：2020-09-15

申请号：CN202010115755.1

申请日：2020-02-25

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 梅本康成 ,  大部功 ,  井手野馨 ,  小屋茂树

IPC: H01L29/735 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明提供了半导体装置，能够使迁移电压增大而扩大SOA。在基板上配置有集电极层、基极层、发射极层，在发射极层的一部分的区域上配置有发射极台面层。在俯视时在与发射极台面层不重叠的区域配置有基极电极。基极电极向基极层流过基极电流。在俯视时，发射极台面层的边缘的一部分即第1边缘沿第1方向延伸，基极电极的边缘的一部分即第2边缘与第1边缘对置，发射极台面层的、位于第1方向的一个端部侧的末端部分的第1边缘与第2边缘的间隔比发射极台面层的中间部分的间隔大。

公开(公告)号：CN110610988A

公开(公告)日：2019-12-24

申请号：CN201910514927.X

申请日：2019-06-14

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 梅本康成 ,  大部功 ,  井手野馨 ,  小屋茂树

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/737

Abstract: 本发明提供能够增大过渡电压而将SOA扩大的半导体装置。配置于基板之上的集电极层、基极层、以及发射极层构成双极晶体管。发射极电极与发射极层进行欧姆接触。发射极层具有在俯视观察时在一个方向上较长的形状。发射极层跟发射极电极进行欧姆接触的欧姆接触界面与发射极层间的在发射极层的长边方向上的尺寸差大于发射极层与欧姆接触界面间的在发射极层的宽度方向上的尺寸差。

公开(公告)号：CN108206136A

公开(公告)日：2018-06-26

申请号：CN201710769561.1

申请日：2017-08-31

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 梅本康成 ,  小屋茂树 ,  黑川敦

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/737

Abstract: 本发明涉及双极型晶体管及其制造方法。同时实现双极型晶体管的集电极电阻的降低和基极‑集电极间电容的降低。双极型晶体管(100)具备将集电极层(3)、基极层(4)以及发射极层(5)依次层叠于子集电极层(2)的构造。在子集电极层(2)形成有集电极电极(9)。在基极层(4)形成有基极电极(10)。集电极层(3)具备配置为从子集电极层侧朝向基极层侧杂质浓度减少的多个杂质层(31、32、33、34)。杂质层(31)是多个杂质层(31、32、33、34)中杂质浓度最大的杂质层，并且与子集电极层(2)接触。杂质层(31)的薄膜电阻是子集电极层(2)的薄膜电阻的9倍以下。

公开(公告)号：CN107611175A

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201710089447.4

申请日：2017-02-20

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 梅本康成 ,  小屋茂树 ,  吉田茂 ,  大部功

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/08 ,  H01L29/36 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7371 ,  H01L29/0817 ,  H01L29/158 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/66318

Abstract: 本发明提供一种抑制电流放大率的降低以及基极-发射极间反向耐压的降低，并且实现高效率化的HBT。在异质结双极晶体管中，集电极层、基极层、发射极层以及半导体层依次层叠，发射极层包括在上表面层叠有半导体层的第一区域和与第一区域邻接设置且上表面露出的第二区域，对于发射极层的第一区域以及第二区域中的掺杂浓度而言，上表面附近比与基极层的界面附近高。

公开(公告)号：CN210246699U

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：CN201921257167.0

申请日：2019-08-05

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 小屋茂树 ,  梅本康成 ,  斋藤祐一 ,  大部功 ,  筒井孝幸

IPC: H03F3/21 ,  H03F1/52

Abstract: 本实用新型提供一种功率放大模块，能够抑制稳定性受损。包含第1基板和至少一部分配置在与第1基板重叠的区域的第2基板。第2基板包含第1放大电路以及第2放大电路。第1基板包含：第1变压器，包含在一端被输入信号且另一端与基准电位电连接的初级绕组、和一端与第1放大电路的输入端子电连接且另一端与第2放大电路的输入端子电连接的次级绕组；第2变压器，包含一端与第1放大电路的输出端子电连接且另一端与第2放大电路的输出端子电连接的初级绕组、和从一端输出信号且另一端与基准电位电连接的次级绕组；和多个第1导体，成列地排列形成在第1变压器与第2变压器之间，各自从第1主面上的布线层到达基板的第2主面上的布线层。