公开(公告)号：CN110226219B

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN201880008351.3

申请日：2018-01-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 中泽安孝 ,  岛行德 ,  冈崎健一 ,  肥塚纯一 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/336 ,  G09F9/30 ,  H01L29/786 ,  H10K50/00 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14

Abstract: 且在比第一温度低的第二温度下进行等离子体提供一种电特性良好的半导体装置。提供一 处理的第六工序；以及在第二绝缘层上形成包含种生产率高的半导体装置的制造方法。提供一种 硅和氮的第三绝缘层的第七工序。成品率高的半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法包括：形成包含硅和氮的第一绝缘层的第一工序；对第一绝缘层的表面附近添加氧的第二工序；在第一绝缘层上并与其接触地形成包含金属氧化物的半导体层的第三工序；在半导体层上并与其接触地形成包含氧的第二绝缘层的(56)对比文件US 2011003418 A1,2011.01.06US 2011263091 A1,2011.10.27US 2013137255 A1,2013.05.30US 2014206133 A1,2014.07.24US 2015340505 A1,2015.11.26US 2016225795 A1,2016.08.04US 2016284859 A1,2016.09.29

公开(公告)号：CN117116946A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202310860817.5

申请日：2018-05-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  肥塚纯一 ,  神长正美 ,  中泽安孝 ,  生内俊光

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H10N97/00 ,  G02F1/136 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  G09F9/35

Abstract: 本发明提供一种电特性良好的半导体装置、一种电特性稳定的半导体装置、或者一种可靠性高的半导体装置或显示装置。在第一金属氧化物层的第一区域上层叠第一绝缘层及第一导电层，以与第一金属氧化物层的不重叠于第一绝缘层的第二区域以及第二金属氧化物层接触的方式形成第一层，进行加热处理以使第二区域及第二金属氧化物层低电阻化，形成第二绝缘层，在第二绝缘层上形成与第二区域电连接的第二导电层。此时，以使其包含铝、钛、钽和钨中的至少一种的方式形成第一层。

公开(公告)号：CN109075206B

公开(公告)日：2022-08-16

申请号：CN201780022620.7

申请日：2017-03-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  冈崎健一 ,  黑崎大辅 ,  中泽安孝

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14

Abstract: 提高具有氧化物半导体膜的晶体管的场效应迁移率及可靠性。一种半导体装置，包括：氧化物半导体膜；栅电极；栅电极上的绝缘膜；绝缘膜上的上述氧化物半导体膜；以及氧化物半导体膜上的一对电极，其中，氧化物半导体膜包括第一氧化物半导体膜及第一氧化物半导体膜上的第二氧化物半导体膜，第一氧化物半导体膜及第二氧化物半导体膜包含相同的元素，并且，第一氧化物半导体膜具有其结晶性低于第二氧化物半导体膜的区域。

公开(公告)号：CN114093890A

公开(公告)日：2022-02-25

申请号：CN202111335062.4

申请日：2017-01-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 中泽安孝 ,  肥塚纯一 ,  羽持贵士

IPC: H01L27/12 ,  H01L27/146 ,  H01L27/15 ,  H01L29/417 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66 ,  H01L29/786 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088

Abstract: 在包括氧化物半导体膜的半导体装置中，提供一种包括电特性优良的晶体管的半导体装置。本发明是一种包括晶体管的半导体装置。晶体管包括栅电极、第一绝缘膜、氧化物半导体膜、源电极、漏电极以及第二绝缘膜。源电极及漏电极都包括第一导电膜、在第一导电膜上并与其接触的第二导电膜以及在第二导电膜上并与其接触的第三导电膜。第二导电膜包含铜，第一导电膜及第三导电膜包含氧化物，第二导电膜的端部包括包含铜及另一种元素的区域。

公开(公告)号：CN114068724A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202111357360.3

申请日：2017-01-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 中泽安孝 ,  肥塚纯一 ,  羽持贵士

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/108 ,  H01L27/12 ,  H01L27/146 ,  H01L27/15 ,  H01L29/417 ,  H01L29/45 ,  H01L21/34 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088

Abstract: 在包括氧化物半导体膜的半导体装置中，提供一种包括电特性优良的晶体管的半导体装置。本发明是一种包括晶体管的半导体装置。晶体管包括栅电极、第一绝缘膜、氧化物半导体膜、源电极、漏电极以及第二绝缘膜。氧化物半导体膜包括第一氧化物半导体膜以及在第一氧化物半导体膜上并与其接触的第二氧化物半导体膜。源电极和漏电极都包括第一导电膜以及在第一导电膜上并与其接触的第二导电膜。第一导电膜包含钛，第二导电膜包含铜，第二导电膜的端部包括具有包含铜的化合物的区域。

公开(公告)号：CN110600485A

公开(公告)日：2019-12-20

申请号：CN201910839846.7

申请日：2014-12-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  肥塚纯一 ,  神长正美 ,  岛行德 ,  羽持贵士 ,  中泽安孝

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786

Abstract: 提供一种包括使用氧化物半导体并通态电流大的晶体管的半导体装置。一种半导体装置，包括：设置在驱动电路部中的第一晶体管；以及设置在像素部中的第二晶体管，其中，第一晶体管的结构和第二晶体管的结构互不相同。此外，第一晶体管及第二晶体管为顶栅结构的晶体管，被用作栅电极、源电极及漏电极的导电膜不重叠。此外，在氧化物半导体膜中，在不与栅电极、源电极及漏电极重叠的区域中具有杂质元素。

公开(公告)号：CN110226219A

公开(公告)日：2019-09-10

申请号：CN201880008351.3

申请日：2018-01-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 中泽安孝 ,  岛行德 ,  冈崎健一 ,  肥塚纯一 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/336 ,  G09F9/30 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14

Abstract: 提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种生产率高的半导体装置的制造方法。提供一种成品率高的半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法包括：形成包含硅和氮的第一绝缘层的第一工序；对第一绝缘层的表面附近添加氧的第二工序；在第一绝缘层上并与其接触地形成包含金属氧化物的半导体层的第三工序；在半导体层上并与其接触地形成包含氧的第二绝缘层的第四工序；在包含氧的气氛下且在第一温度下进行等离子体处理的第五工序；在包含氧的气氛下且在比第一温度低的第二温度下进行等离子体处理的第六工序；以及在第二绝缘层上形成包含硅和氮的第三绝缘层的第七工序。

公开(公告)号：CN108780818A

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201780014556.8

申请日：2017-02-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  肥塚纯一 ,  冈崎健一 ,  中泽安孝

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14

CPC classification number: H01L29/78696 ,  G02B27/017 ,  G02F1/13338 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/134381 ,  G02F2202/10 ,  G06F1/1652 ,  G06F3/0412 ,  G06F3/044 ,  G06F2203/04103 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/32 ,  H01L27/323 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/045 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/786 ,  H01L29/7869

Abstract: 提高包括氧化物半导体膜的晶体管的场效应迁移率及可靠性。本发明的一个实施方式是一种包括栅电极、栅电极上的绝缘膜、绝缘膜上的氧化物半导体膜以及氧化物半导体膜上的一对电极的半导体装置。氧化物半导体膜包括第一氧化物半导体膜、第一氧化物半导体膜上的第二氧化物半导体膜以及第二氧化物半导体膜上的第三氧化物半导体膜。第一氧化物半导体膜、第二氧化物半导体膜及第三氧化物半导体膜包括相同的元素。第二氧化物半导体膜包括其结晶性比第一氧化物半导体膜和第三氧化物半导体膜中的一方或双方低的区域。

公开(公告)号：CN108121123A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201711231700.1

申请日：2017-11-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  冈崎健一 ,  黑崎大辅 ,  中泽安孝 ,  渡边一德 ,  楠纮慈

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L27/1229 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/134345 ,  G02F2001/136295 ,  G02F2202/10 ,  G02F2203/01 ,  G06F3/033 ,  G06F3/0412 ,  G06F3/0416 ,  G06F3/044 ,  G06F2203/04103 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/045 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696 ,  G02F1/136286

Abstract: 本发明提供一种开口率高的液晶显示装置。此外，本发明提供一种功耗低的液晶显示装置。本发明的一个方式是一种包括液晶元件、晶体管、扫描线及信号线的显示装置。液晶元件包括像素电极、液晶层及公共电极。扫描线及信号线都与晶体管电连接。扫描线及信号线都包括金属层。晶体管与像素电极电连接。晶体管的半导体层包括第一金属氧化物层和第二金属氧化物层的叠层。第一金属氧化物层包括其结晶性比第二金属氧化物层低的区域。晶体管包括与像素电极连接的第一区域。像素电极、公共电极及第一区域都具有使可见光透过的功能。可见光经过第一区域及液晶元件而从显示装置射出。

公开(公告)号：CN107068767A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201710155210.1

申请日：2013-11-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 佐藤贵洋 ,  中泽安孝 ,  长隆之 ,  越冈俊介 ,  德永肇 ,  神长正美

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F1/136277 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/02365 ,  H01L21/02403 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/465 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/3248 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，赋予使用氧化物半导体膜的晶体管稳定的电气特性。另外，赋予使用氧化物半导体膜的晶体管具有优良的电气特性。另外，本发明提供一种具有该晶体管的高可靠性的半导体装置。关于具有层叠有氧化物半导体膜及氧化物膜的多层膜、栅电极以及栅极绝缘膜的晶体管，多层膜经由栅极绝缘膜而重叠于所述栅电极地设置，多层膜是具有由氧化物半导体膜的下表面与氧化物半导体膜的侧面所呈的第一角度、以及由氧化物膜的下表面与氧化物膜的侧面所呈的第二角度的形状，并且，第一角度小于第二角度且被设为锐角。另外，通过使用该晶体管来制造半导体装置。