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公开(公告)号：CN113889152A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202110214042.5
申请日：2021-02-26
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能提高记录密度的磁头及磁记录装置。磁头包括第1磁极、第2磁极及设置于第1磁极与第2磁极之间的层叠体。层叠体包括第1磁性层、设置于第1磁性层与第2磁极之间的第2磁性层、设置于第2磁性层与第2磁极之间的第3磁性层、设置于第1磁性层与第2磁性层之间的第1非磁性层、设置于第2磁性层与第3磁性层之间的第2非磁性层及设置于第1磁极与第1磁性层之间的第3非磁性层。沿第2方向的第1磁极的第1磁极长度比沿第2方向的第2磁极的第2磁极长度短，第2方向相对于从第1磁性层向第2磁性层的第1方向垂直且沿第1磁极的介质对置面。沿第3方向的第1磁性层的长度比沿第3方向的第2磁性层的长度长，第3方向相对于第1方向垂直。
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公开(公告)号：CN101604530A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200810173830.9
申请日：2005-09-02
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/3903
Abstract: 一种磁致电阻元件，包括至少三个金属磁性层；提供在至少三个金属磁性层之间的至少两个连接层，每个连接层都具有绝缘层以及包括穿透绝缘层的金属磁性材料的电流受限通路；和垂直于金属磁性层和连接层的堆叠薄膜的平面提供电流的电极。
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公开(公告)号：CN101399046A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200810215755.8
申请日：2008-09-09
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/314 , G11B2005/0005 , G11B2005/0024
Abstract: 一种磁头及磁记录装置，即使将自旋转矩振荡子设置在记录磁极的附近，也能够抑制自旋转矩振荡子的振荡频率的变动。具备记录磁极(22)、形成在记录磁极的附近的自旋转矩振荡子(26)、和对自旋转矩振荡子施加磁场的磁场施加部(28)，通过磁场施加部对自旋转矩振荡子施加的磁场与从记录磁极产生的记录磁场基本上正交。
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公开(公告)号：CN101383152A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200810210424.5
申请日：2008-08-15
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/314 , G11B5/02 , G11B5/1278 , G11B2005/0005 , G11B2005/0024
Abstract: 本发明涉及磁盘驱动器中使用高频磁场来辅助写操作的装置。该磁盘驱动器包括一种具有旋转扭矩振荡器(20)并可以进行高频辅助写入。所述磁盘驱动器具有磁盘(1)、磁头(10)、线圈(13)、和驱动电流控制器(32)。所述驱动电流控制器(32)对提供给所述旋转扭矩振荡器(20)的驱动电流进行控制。为了在磁盘(1)上对数据进行磁记录，所述驱动电流控制器(32)为所述旋转扭矩振荡器(20)提供驱动电流Id，该电流与提供给所述线圈(13)的记录电流Iw的极性反转同步变化，其中所述线圈(13)对所述磁头(10)的记录磁极(11)进行激励。
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公开(公告)号：CN101295508A
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200810094830.X
申请日：2008-04-28
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/314 , G11B5/02 , G11B5/1278 , G11B2005/0002 , G11B2005/0024 , Y10T428/115
Abstract: 本发明提供一种能够实现有效果、有效率的高频辅助磁记录的磁元件、磁记录头及利用该磁记录头的磁记录装置。提供一种磁元件，其特征在于具备：具有至少1层的磁性体层的第一自旋振荡层，具有至少1层的磁性体层的第二自旋振荡层，设在上述第一自旋振荡层和上述第二自旋振荡层之间的第一非磁性体层，包含磁化方向固定的强磁性体的自旋极化层，和可以对具有上述第一及第二自旋振荡层、上述非磁性体层和上述自旋极化层的层叠体通以电流的一对电极。
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公开(公告)号：CN100405462C
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200510124691.7
申请日：2005-11-07
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/3903 , G11B5/3929 , H01F10/3259 , H01L27/224 , H01L27/228
Abstract: 磁阻元件包括磁化方向基本固定在一个方向上的磁化固着层、磁化方向取决于外场变化的磁化自由层、以及包括设置在磁化固着层和磁化自由层之间的绝缘层和穿透该绝缘层的电流通路的分隔层，位于分隔层下面的磁化固着层或磁化自由层包括由横跨其厚度延伸的晶界分离的晶粒，其中，假设每个晶粒的一端的平面内位置被设定为0，并且与该晶粒的另一端相邻的晶界的平面内位置被设定为100，则对应于该晶粒的电流通路在平面内位置为大于等于20小于等于80之间的范围内的区域上形成。
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公开(公告)号：CN101101756A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200710127875.8
申请日：2007-07-09
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/39
Abstract: CPP型磁阻效应元件包括具有固定磁化层，自由磁化层和非磁性中间层的磁阻效应薄膜；和构造成在偏置磁场平行于磁阻效应薄膜的主要表面并且垂直于固定磁化层的磁化的情况下向自由磁化层施加垂直偏置磁场的垂直偏置机构。然后，当平行于垂直偏置磁场的宽度被定义为MRT，正交于垂直偏置磁场并且平行于信号磁场的宽度被定义为MRH时，磁阻效应元件满足关系式1.2≤MRH/MRT。
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公开(公告)号：CN100350457C
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200510087903.9
申请日：2005-07-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G01R33/093 , G11B5/3932 , G11B2005/3996
Abstract: 本发明提供一种磁阻效应元件、磁头、磁记录再生装置以及磁存储器，该磁阻效应元件具有实质上磁化方向固定的第1磁性层；磁化方向根据外部磁场变化的第2磁性层；设置在上述第1磁性层与上述第2磁性层之间、并且包括具有偶数原子层数的区域和具有奇数原子层数的区域的磁性隔离层；和相对于包含上述第1磁性层、磁性隔离层以及第2磁性层的叠层膜的膜面垂直地通过电流的电极，其中，当外部磁场为0时，上述第1磁性层的磁化方向与上述第2磁性层的磁化方向大致正交。
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公开(公告)号：CN101026222A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200710085268.X
申请日：2007-02-16
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G01R33/093 , B82Y25/00 , G11B5/3932
Abstract: 本发明的磁阻效应元件包括：包括磁化自由层、磁化固定层、以及置于两者之间的中间层的磁阻效应薄膜；磁耦合层；铁磁层；反铁磁层；在与磁阻效应薄膜的薄膜表面几乎平行并与磁化固定层的磁化方向几乎垂直的方向上对磁化自由层施加偏置磁场的偏置机构部；以及用以使电流在从磁化固定层至磁化自由层的方向上通过的一对电极，且偏置点大于50％。
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公开(公告)号：CN1758341A
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN200510099817.X
申请日：2005-09-02
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/3903
Abstract: 一种磁致电阻元件，包括至少三个金属磁性层；提供在至少三个金属磁性层之间的至少两个连接层，每个连接层都具有绝缘层以及包括穿透绝缘层的金属磁性材料的电流受限通路；和垂直于金属磁性层和连接层的堆叠薄膜的平面提供电流的电极。
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