公开(公告)号：CN1692492A

公开(公告)日：2005-11-02

申请号：CN200380100441.9

申请日：2003-11-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 有田洁

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/68

Abstract: 提供一种半导体器件的制造方法，该方法将其上形成有多个半导体元件的半导体晶片6划分为单片半导体元件。在电路形成面6a的相反面的厚度通过机械加工减小后，通过抗蚀剂薄膜31a形成用于确定切割线31b的掩模，并且当等离子从掩模一侧暴露时，通过在切割线部分31b上进行等离子蚀刻将半导体晶片6分割为单片半导体元件6c，然后通过等离子去除抗蚀剂薄膜31a，再通过等离子蚀刻去除机械加工面上产生的微缝层6b。以上一系列等离子处理通过同一等离子处理设备执行。

公开(公告)号：CN1520604A

公开(公告)日：2004-08-11

申请号：CN02812684.X

申请日：2002-06-24

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  黑崎播磨株式会社

Inventor： 有田洁 ,  岩井哲博 ,  土师宏 ,  酒见省二 ,  俣野泰司 ,  佐藤信博

IPC: H01J37/32

CPC classification number: C23C16/45568 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32532 ,  H01L21/3065

Abstract: 在一种等离子体处理装置中，一种具有三维网状网状结构的陶瓷多孔材料被用作为等离子体处理装置的电极元件材料，其中由含氧化铝的陶瓷所形成的框架部分被连续设置成类似一种三维网状物，该电极元件待安装于用于产生等离子体的电极的气体供给喷口的正面，并且使用于产生等离子体的气体通过以不规则方式形成于三维网状结构上的开孔部分。结果，使供给的气体分布均匀，以便防止异常放电，可进行无偏差的均匀蚀刻。