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公开(公告)号：CN103276355A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310188959.8
申请日：2013-05-20
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种针尖增强拉曼测量用新型镀膜针尖的制备方法。本发明包括如下步骤：步骤(1)利用聚焦离子束技术，在硅针尖头部加工出圆形的锥孔；步骤(2)银颗粒在针尖上的圆形锥孔内外形核并长大；步骤(3)将针尖固定在新型针尖夹具上；步骤(4)将新型针尖夹具放置在蒸发源正上方，控制蒸发源的蒸发速度和新型针尖夹具的转速，蒸发速度控制在小于等于0.1nm/秒钟,这样每分钟内生长6nm以内，新型针尖夹具的转速控制在30～60转/分钟，太慢的转速不利用形核生长，太快的转速对设备损害很大。本发明制备的针尖头部晶粒形状稳定，拉曼增强系数能达到500以上，增强效果明显，多个针尖共同测试的结果表明，增强系数非常稳定。
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公开(公告)号：CN102709461A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210171955.4
申请日：2012-05-30
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一类含稀土拓扑热电材料的制备方法。化学通式为RXT3的单相材料很难通过通常的熔炼方法获得。本发明首先将稀土金属、VA族半导体材料和VIA族半导体材料按照摩尔比1:1:3混合后放入反应容器中，将反应容器抽真空后加热至900～1100℃，保温5～20小时，再自然冷却至常温，取出中间产物放入球磨机的球磨罐中，将球磨罐抽真空后球磨3～20小时，获得含稀土的拓扑热电材料粉体；将粉体在真空或氩气保护下烧结，获得致密的含稀土拓扑热电块体材料，其结构式为RXT3。本发明方法工艺简单、合成时间短、适用于工业化生产。利用本发明方法获得的材料的热导率低、密度高，并且具有良好的导电性。
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公开(公告)号：CN102383017A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110354855.0
申请日：2011-11-10
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种铕基ThCr2Si2结构的低温磁制冷材料及制备方法。本发明的磁性材料化学通式为：Eu-T-X，T为Fe或Cu，X为P或As，该磁性材料具有体心ThCr2Si2型四方晶体结构。本发明方法首先将稀土金属铕、过渡金属和非金属按比例混合成原料，其中过渡金属为Fe或Cu，非金属为P或As；然后将原料置于石英容器内，抽真空后封闭，将石英容器升温至400～450℃后保温，继续升温至800～900℃后保温；冷却后将制品压片成型，经高温退火、冷却得到成品。本发明方法采用缓慢升温、分步反应的方法，有效地克服了P或As的挥发。本发明方法相对工艺简单，易于实现，制得的磁制冷材料具有良好的磁、热可逆性质。
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公开(公告)号：CN115497701B
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202211325249.0
申请日：2022-10-27
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种无稀土宽温区跨室温磁制冷材料，化学通式为MnaAlbCocFedCreZf；其中Z为Cu、Ti、Zr、Ag、Nb、Zn中的一种或多种，a、b、c、d、e、f表示原子摩尔含量，a+b+c+d+e+f＝100，且16≤a≤24，16≤b≤24，10≤c≤30，15≤d≤28，18≤e≤30，0≤f≤8。本发明还公开了一种无稀土宽温区跨室温磁制冷材料的制备方法，制备的磁制冷材料在240K‑360K温度范围内具有可逆大磁热效应。本发明采用上述无稀土宽温区跨室温磁制冷材料及其制备方法，能够解决现有的磁制冷材料成本高、制冷温区窄和可逆性差的问题。
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公开(公告)号：CN118222945A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410333555.1
申请日：2024-03-22
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种低稀土含量高熵非晶磁制冷材料及其制备方法和应用，属于磁制冷材料技术领域。高熵非晶磁制冷材料分子式为GdaMbM’cTdT’e，a、b、c、d、e为原子百分含量，22≤a≤28，10≤b，c≤30，10≤d，e≤25，a+b+c+d+e＝100；其中M、M’均为Fe、Co、Ni、Cu、Zn中的一种，并且M与M’不相同；T、T’均为B、C、Al、Si中的一种，并且T与T’不相同。Gd元素的质量百分比低于30％。高熵非晶磁制冷材料在0～5T的磁场变化下，等温磁熵变最大值为11.1J/kgK～15.6J/kgK；在0～7T的磁场变化下，等温磁熵变最大值为14.2J/kgK～19.5J/kgK；磁转变温度为20K～40K。本发明采用上述低稀土含量高熵非晶磁制冷材料及其制备方法和应用，能够解决现有的高熵非晶合金磁熵变低，成本高的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116751040A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310724873.6
申请日：2023-06-19
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C04B35/16 , C04B35/622 , C04B35/624 , H01F1/01 , H01F41/02
Abstract: 一种用于低温磁制冷硅酸钆材料及其制备方法，该材料的化学通式为Gd10‑x+2y(Si1‑yAly)6O27‑1.5x，其中1/3
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公开(公告)号：CN112614935B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202011459906.1
申请日：2020-12-11
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及磁相变材料技术领域，尤其涉及一种基于一级磁相变材料的电阻效应模拟人工突触的方法，通过对一级磁相变材料进行温度调控或电场调控，调节其输运性能和磁电阻效应，模拟人工突触的信息传递功能；电场调控包括离子液体电压调控和铁电衬底的电场调控。本发明通过多种方法进行调节一级磁相变薄膜材料的输运特性与磁电阻效应，可以实现电阻值随着连续的温度变化而逐渐变化的忆阻行为；此外磁相变材料在磁场中磁矩的翻转可模拟突触的记忆信息传递，有效扩展了应用前景，有望代替氧化物、二维材料制作人工突触器件。
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公开(公告)号：CN115125428B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202210947040.1
申请日：2022-08-09
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种宽温区跨室温磁斯格明子材料，化学通式为CoaZnbMncXd，其中X为Fe、Ni、Cu、Al、Zr、Cr、Ti中的一种或多种；其中a、b、c、d表示原子摩尔百分比含量，a+b+c+d＝100，且25≤a≤45，25≤b≤45，10≤c≤30，0≤d≤10。本发明还公开了一种宽温区跨室温磁斯格明子材料的制备方法以及在磁存储器、逻辑运算中的应用。本发明采用上述宽温区跨室温磁斯格明子材料及其制备方法，能够解决现有的磁斯格明子材料在室温稳定性差的问题。
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公开(公告)号：CN113363376B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202110413399.6
申请日：2021-04-16
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及二维磁性材料领域，针对目前二维铁磁材料通过离子栅调控等优化磁性的方法存在磁性弱，可重复性、可逆性差的缺点，公开一种二维铁磁材料的磁性可控调节方法，包括将二维铁磁材料薄片放置在硬质衬底上；制备包覆二维铁磁材料的高模量的高分子致密膜；在高分子致密膜表面粘附高分子柔性衬底，然后将高分子柔性衬底连带高分子致密膜、二维铁磁材料整体从硬质衬底上剥离得到柔性基板；在高分子柔性衬底侧对柔性基板施加弯曲应力，调控柔性基板的弯曲半径对二维铁磁材料磁性进行连续可控调节。本发明的方法可实现二维铁磁材料的可控、可逆且连续磁性调节，二维铁磁材料的磁性强度高，同时还能提升居里温度。
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