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公开(公告)号：CN118706914A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410735678.8
申请日：2024-06-07
申请人： 杭州电子科技大学
IPC分类号： G01N27/30
摘要： 本发明公开了一种气敏传感器的制备方法，本发明在陶瓷基底上，首先沉积出叉指电极；然后在陶瓷基底和叉指电极表面涂敷碘化亚铜的异丙醇胺溶液；随后，在一定的温度条件下氩气中放置一段时间，获得分散于碘化亚铜‑异丙醇胺杂化物中的碘化亚铜纳米花复合薄膜材料，获得气敏传感器。本发明分散于碘化亚铜‑异丙醇胺杂化物中的碘化亚铜纳米花作为气敏层，对氨气具有非常高的选择性，响应度高达近106；本发明制备的分散于碘化亚铜‑异丙醇胺杂化物中的碘化亚铜呈现纳米花形貌，碘化亚铜呈现纳米花图案自组装，既具有纳米颗粒的高分散性，颗粒间又具有好的衔接性，颗粒间电学接触性好。
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公开(公告)号：CN113637943B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202110858227.X
申请日：2021-07-28
申请人： 杭州电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种光敏型二硫化碳传感器的制备方法，本发明在氧化铝陶瓷基底上，首先沉积生长金叉指电极，接着在金叉指电极表面涂覆硫化银纳米颗粒，获得硫化银探测器，将硫化银探测器设置在容器内，容器内设置蓝光LED光源。本发明操作简单，本发明通过光激发诱导的光电化学反应，对二硫化碳有非常好的气敏性。
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公开(公告)号：CN110862824B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN201911044504.2
申请日：2019-10-30
申请人： 杭州电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种负载型钯锌量子点的制备方法，本发明通过在硫化锌纳米纤维表面吸附氯化钯，高温还原气氛下还原氯化钯和硫化锌，还原产物金属钯和锌进一步发生反应生成钯锌量子点。与氧化锌、氧化铈、碳化硅和二氧化钛载体不同，钯锌量子点与硫化锌之间由于硫的存在，钯锌量子点在硫化锌表面附着力好，不易脱离载体。制备的钯锌量子点在载体硫化锌表面分散性好，尺寸分布范围均匀2‑50纳米之间。本发明方法简单、实验重复性高，产物分散性好，钯锌在载体表面附着力强。
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公开(公告)号：CN114420925A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210057770.4
申请日：2022-01-19
申请人： 杭州电子科技大学
IPC分类号： H01M4/58 , H01M4/48 , B01J23/06 , B01J23/72 , C01B25/08 , C01G9/03 , C23C14/35 , C23C14/08 , C23C14/58 , C23C26/00
摘要： 本发明公开了一种n型磷化亚铜的制备方法，包括如下步骤：S1、制备表面生长有磷化亚铜的铜箔；S2、将表面生长有磷化亚铜的铜箔作为基底，在其表面沉积氧化锌薄膜；S3、将步骤S2制备的产物在惰性气体中加热，热处理温度为650‑750℃，保温时长60‑300min。采用上述技术方案，在铜箔表面生长磷化亚铜连续薄膜，使用磁控溅射在磷化亚铜表面沉积氧化锌薄膜，高温下氧化锌与磷化亚铜相互作用，锌、氧元素扩散进入磷化亚铜晶格，形成n型掺杂磷化亚铜，该制备方法简单，重复性好，成本低，并且电阻率低、温差电动势高和光电响应快。
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公开(公告)号：CN114284385A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111617517.1
申请日：2021-12-27
申请人： 杭州电子科技大学
IPC分类号： H01L31/109 , H01L31/0224 , H01L31/0336 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种硫化亚铜‑硫化银pn结光电探测器的制备方法，本发明首先合成磷化亚铜，然后在磷化亚铜一侧涂抹银胶，然后进行硫化，随后在器件两侧涂抹银胶作为电极。本发明在管式炉中，通过固相和气相反应，制备了硫化亚铜‑硫化银pn结光电探测器。本发明在紫外光的照射下，器件在电压增强情况下，电流呈指数式下降趋势，电流达到μA级别；而在无光照情况下，器件并未出现上述情况，电流仅为nA级别。
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公开(公告)号：CN112850669B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202110122727.7
申请日：2021-01-29
申请人： 杭州电子科技大学
IPC分类号： B01J27/185 , C01B25/08 , B82Y30/00 , B01J35/02
摘要： 本发明公开了一种钯铜磷化物异质二聚体材料的制备方法，本发明采用红磷、氯化钯作为磷化钯、磷化亚铜异质二聚体的前驱物，在硅基底上通过气固反应，制备磷化钯‑磷化亚铜异质二聚体材料。制备的材料可用于光催化领域。本发明将双金属高温下磷化在硅基片表面制备成双金属磷化物纳米晶体，该材料存在磷化钯和磷化亚铜的晶界，能够增强磷化物的光催化性能。
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公开(公告)号：CN113151803A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110276691.8
申请日：2021-03-15
申请人： 杭州电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种硼碳氮薄膜的制备方法，本发明采用氨硼烷作为氮、硼源，甲烷作为碳源，氢气和氩气混合气体为载气，铜或镍金属薄膜作为生长基底，通过CVD法在基底表面生长单分子层厚BCN薄膜，甲烷与氨硼烷蒸气的流量比调控膜中碳含量，进而获得不同性能的单分子层薄膜。本发明使用的源，碳源甲烷相对于其他烷类气体，含碳量低，是制备石墨烯的首选含碳起源，氮、硼源氨硼烷常用于制备h‑BN单分子层的氮、硼源。生长基底铜、镍是生长石墨烯、h‑BN单分子层常用基底。
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公开(公告)号：CN109904257B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201910150742.5
申请日：2019-02-28
申请人： 杭州电子科技大学
IPC分类号： H01L31/032 , H01L31/18 , H01L21/02
摘要： 本发明涉及一种铯铅碘的制备和纯化方法。目前化学气相沉积法难以生长高纯度铯铅碘纳米颗粒。本方法采用难以碘化铯纳米颗粒作为铯源和碘源，与气相碘化铅通过气固反应生成铯铅碘纳米颗粒，后经过升华法去除碘化铅杂质获得高纯度钙钛矿铯铅碘纳米颗粒。该制备和纯化方法无需再溶液中进行，物质直接生长在硅基底表面，制备方法简单，产物粒径可控和纯度高。
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公开(公告)号：CN111041449A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201911385340.X
申请日：2019-12-28
申请人： 杭州电子科技大学
IPC分类号： C23C16/30 , C23C16/455 , C23C16/02 , C01G41/00
摘要： 本发明公开了一种特定形貌二硫化钨的制备方法，本方法以氩气和氢气为载气，金属钯作为催化剂，在高温下通过CVD法合成具有三角形框架结构的二硫化钨。与现有的CVD法合成的三角形、六边形实心连续薄膜相比，该方法得到的二硫化钨薄膜中的边缘原子在总原子数中的占比增大，提高二硫化钨用作催化剂材料时的催化活性。
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公开(公告)号：CN105895521A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610161102.0
申请日：2016-03-21
申请人： 杭州电子科技大学
IPC分类号： H01L21/311
摘要： 本发明涉及一种氧化硅刻蚀的方法。软光刻技术相对于传统光刻技术，具有方便灵活易于实现的优点，不仅如此它还能用于刻蚀复杂的空间三维结构。光刻中常用的刻蚀剂是氢氟酸，氢氟酸具有很强的腐蚀性和毒性，在条件一般的实验室中是不适合应用的。寻找氢氟酸的替代物，减小因暴露于氢氟酸环境中造成的危害，对于光刻来说是有意义的。本专利通过压印技术将氟化物转移至目标基底并在简单条件下实现了光刻，专利中利用低毒性的氟化物代替高毒性的氢氟酸在实现光刻的同时降低了氢氟酸的危害。
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