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公开(公告)号：CN109904257B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201910150742.5
申请日：2019-02-28
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/18 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种铯铅碘的制备和纯化方法。目前化学气相沉积法难以生长高纯度铯铅碘纳米颗粒。本方法采用难以碘化铯纳米颗粒作为铯源和碘源，与气相碘化铅通过气固反应生成铯铅碘纳米颗粒，后经过升华法去除碘化铅杂质获得高纯度钙钛矿铯铅碘纳米颗粒。该制备和纯化方法无需再溶液中进行，物质直接生长在硅基底表面，制备方法简单，产物粒径可控和纯度高。
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公开(公告)号：CN110373718B
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201910462792.7
申请日：2019-05-30
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种二维二硫化钨薄膜的制备方法，该方法采用硫代硫酸钠固体粉末和二硫化钨固体粉末作为前驱物，通过化学气相沉积法合成了WS2二维单分子/多分子层厚度的单晶材料，其中二硫化钨单晶形貌为三角形、六边形或枝形。本发明将硫代硫酸钠应用到CVD法中来制备WS2晶体材料，降低了化学气相沉积法生长二硫化钨二维薄膜的生长温度，薄膜制备重复性好、晶体结晶质量高。制备的WS2单晶为三角形，六边形和枝晶状，薄膜厚度为1～30个分子层厚度。
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公开(公告)号：CN110902713A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201911176600.2
申请日：2019-11-26
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C01G21/00
Abstract: 本发明公开了一种制备CsPbX3钙钛矿的方法，本发明将CsX和PbX2按1:1加入水中，按照两者中的最小溶解度进行配料，把溶液放在超声仪中超声使其充分溶解；其中X为I、Br或Cl；将基板放在加热台上加热至200-250℃，再将溶液滴涂在基板上，2-3分钟后，水分以沸腾的形式消失，合成得到CsPbX3钙钛矿。本发明在水中直接合成CsPbX3钙钛矿，避开了有机溶剂等辅料的使用，在加热处理的过程中生成CsPbX3钙钛矿，该制备工艺制备的CsPbX3钙钛矿在空气中表现出非常好的稳定性。
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公开(公告)号：CN109346611A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811124266.1
申请日：2018-09-26
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种光探测器原型器件的制备方法，本发明在铜薄膜基底上生长石墨烯，通过热氧化在铜基底与石墨烯两者夹层中间生长氧化亚铜纳米厚度的二维薄膜，之后再石墨烯上表面制备空穴注入层聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)薄膜，再在PEDOT:PSS薄膜上表面制备空穴传输层聚乙烯基咔唑(PVK)，最后在PVK薄膜表面制备金属电极完成器件的制备。本发明具有厚度薄、光响应快、柔性好的优点。
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公开(公告)号：CN109950356B
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201910151450.3
申请日：2019-02-28
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/032
Abstract: 本发明公开了一种基于铯铅碘光电探测器及制备方法，从下到上依次为衬底层、第一电极层、钙钛矿铯铅碘光敏层、第二电极层、器件保护层；所述的钙钛矿铯铅碘光敏层厚度10‑22纳米；所述的钙钛矿铯铅碘光敏层从下到上依次为第一碘化铅层、第一钙钛矿铯铅碘CsPbI3光敏层、碘化铯、第二钙钛矿铯铅碘CsPbI3光敏层、第二碘化铅层；所述的钙钛矿铯铅碘光敏层采用化学气相沉积法制备。本发明中采用化学气相沉积法交替沉积碘化铯和碘化铅，碘化铯和碘化铅从界面处发生化学反应生成钙钛矿铯铅碘薄膜层，形成三明治结构，这种结构有利于提高钙钛矿铯铅碘薄膜的稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110828309A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201910596829.5
申请日：2019-07-03
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L21/311
Abstract: 本发明公开了一种二维材料刻蚀氧化硅，本发明先将二维材料通过化学气相沉积法直接生长或先在生长基底表面化学气相沉积法生长然后通过转移法转移至氧化硅表面；然后将其浸入氢氧化钾水溶液中，取出，之后用水清洗干净，获得表面转移有二维图案形貌的氧化硅。本发明方法通过二维材料催化促进碱液对氧化硅的刻蚀，刻蚀过程中没有氢氟酸这类毒性强的试剂参与，刻蚀过程环保；同时利用该发明可以实现二维材料单晶形貌向氧化硅基底的转移，方法简单、方便和可操作性强。
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公开(公告)号：CN109950356A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201910151450.3
申请日：2019-02-28
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/032
Abstract: 本发明公开了一种基于铯铅碘光电探测器及制备方法，从下到上依次为衬底层、第一电极层、钙钛矿铯铅碘光敏层、第二电极层、器件保护层；所述的钙钛矿铯铅碘光敏层厚度10-22纳米；所述的钙钛矿铯铅碘光敏层从下到上依次为第一碘化铅层、第一钙钛矿铯铅碘CsPbI3光敏层、碘化铯、第二钙钛矿铯铅碘CsPbI3光敏层、第二碘化铅层；所述的钙钛矿铯铅碘光敏层采用化学气相沉积法制备。本发明中采用化学气相沉积法交替沉积碘化铯和碘化铅，碘化铯和碘化铅从界面处发生化学反应生成钙钛矿铯铅碘薄膜层，形成三明治结构，这种结构有利于提高钙钛矿铯铅碘薄膜的稳定性。
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公开(公告)号：CN110061135B
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN201910213231.3
申请日：2019-03-20
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种可见光光电探测器的制备方法，本发明在绝缘基底上沉积由钙钛矿型晶体结构的铯铅碘和二硫化钨单分子层薄膜构成的复合材料。二硫化钨单分子层薄膜是直接带隙半导体材料，是较好的光电导材料，室温稳定性好，载流子迁移率高。二硫化钨单分子层薄膜能够提供电子传输的额外通道，提高铯铅碘的电学性能。同时二硫化钨阻隔氧气和水汽向复合材料内部扩散，降低空气和水对铯铅碘的分解，提高铯铅碘的稳定性。本发明制备的光探测器，具有性能稳定、光电响应速度快，光响应度好，光探测范围宽的优点。
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公开(公告)号：CN110061134A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201910213222.4
申请日：2019-03-20
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种模板法生长硫化钨分子层薄膜的方法，本发明在表面生长氧化硅的硅基底上，首先沉积制备荧光染料分子层，然后制备WS2单分子层，接着制备有机半导体层，最后沉积金属电极。荧光染料分子层用于提高对可见光的光吸收以及发射荧光，WS2作为光敏层产生光生载流子，有机半导体层作为载流子输运层将载流子输运至金属电极。本发明PCBM将不连续的WS2单分子层实现电学上的导通，WS2作为光电探测器的光敏层提供光生载流子，荧光染料分子提高器件对光的吸收率同时发射出荧光提高激发光光能量密度。荧光染料分子层的施加，提高了器件的外量子效率。
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公开(公告)号：CN110061134B
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN201910213222.4
申请日：2019-03-20
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种模板法生长硫化钨分子层薄膜的方法，本发明在表面生长氧化硅的硅基底上，首先沉积制备荧光染料分子层，然后制备WS2单分子层，接着制备有机半导体层，最后沉积金属电极。荧光染料分子层用于提高对可见光的光吸收以及发射荧光，WS2作为光敏层产生光生载流子，有机半导体层作为载流子输运层将载流子输运至金属电极。本发明PCBM将不连续的WS2单分子层实现电学上的导通，WS2作为光电探测器的光敏层提供光生载流子，荧光染料分子提高器件对光的吸收率同时发射出荧光提高激发光光能量密度。荧光染料分子层的施加，提高了器件的外量子效率。
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