公开(公告)号：CN102709461A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201210171955.4

申请日：2012-05-30

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 霍德璇 ,  王江峰 ,  廖罗兵 ,  李妙 ,  李领伟 ,  钱正洪

IPC: H01L35/34 ,  H01L35/16 ,  B22F9/04 ,  B22F3/10

Abstract: 本发明涉及一类含稀土拓扑热电材料的制备方法。化学通式为RXT3的单相材料很难通过通常的熔炼方法获得。本发明首先将稀土金属、VA族半导体材料和VIA族半导体材料按照摩尔比1:1:3混合后放入反应容器中，将反应容器抽真空后加热至900～1100℃，保温5～20小时，再自然冷却至常温，取出中间产物放入球磨机的球磨罐中，将球磨罐抽真空后球磨3～20小时，获得含稀土的拓扑热电材料粉体；将粉体在真空或氩气保护下烧结，获得致密的含稀土拓扑热电块体材料，其结构式为RXT3。本发明方法工艺简单、合成时间短、适用于工业化生产。利用本发明方法获得的材料的热导率低、密度高，并且具有良好的导电性。