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公开(公告)号：CN1484325A
公开(公告)日：2004-03-24
申请号：CN03145868.8
申请日：1994-04-28
申请人： 日亚化学工业株式会社
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/40 , H01L21/28575 , H01L29/2003 , H01L31/1884 , H01L33/32 , H01L33/325 , H01L33/38 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L2224/04042 , H01L2224/05082 , H01L2224/05124 , H01L2224/05166 , H01L2224/05582 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/05671 , H01L2224/0603 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48463 , H01L2224/49107 , H01L2224/49109 , H01L2224/73265 , H01L2924/01004 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01039 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/12032 , H01L2924/12041 , H01L2924/3011 , H01L2933/0016 , Y02E10/50 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 一种氮化镓系III－V族化合物半导体器件，包括：具有第一和第二主表面的衬底；形成在所述衬底的第一主表面上、包括n型氮化镓系III－V族化合物半导体层和p型氮化镓系III－V族化合物半导体层的半导体叠层结构；在除去设置在所述n型半导体层上的p型层后露出的n型层上形成的第一电极；形成在所述p型半导体层上的透光性的第二电极，以及覆盖住一部分所述第二电极表面、一部分露出的端面和一部分露出的n型半导体层表面的绝缘的透明保护膜。
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公开(公告)号：CN1106045C
公开(公告)日：2003-04-16
申请号：CN95117565.3
申请日：1995-12-04
申请人： 日亚化学工业株式会社
摘要： 一种氮化物半导体发光器件，具有一个单量子阱结构或多量子阱结构的有源层(14)，其由含铟和镓的氮化物半导体构成。一个由含铝和镓的P型氮化物半导体构成的第一P型覆盖层(61)被设置与有源层的一个面接触。一个由含铝和镓的P型氮化物半导体构成的第二P型覆盖层(62)被设置在第一P型覆盖层上。第二P型覆盖层具有比第一P型覆盖的带隙大的带隙。一个n型半导体层(13)设置与有源层(14)的另一面接触。
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公开(公告)号：CN1265228A
公开(公告)日：2000-08-30
申请号：CN98807519.9
申请日：1998-07-27
申请人： 日亚化学工业株式会社
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/325 , H01S5/0421
摘要： 本发明揭示一种氮化物半导体元器件,在用来作为LD和LED元件的氮化物半导体元器件中,为了提高输出,同时降低Vf,将N电极所形成的n型导电层作成以非掺杂氮化物半导体层夹住掺杂n型杂质的氮化物半导体层的三层层叠结构或氮化物超格子结构,n型导电层具有超过3×1018/cm3的载流子浓度,可降低电阻到不满8×10－3Ωcm。
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公开(公告)号：CN1046375C
公开(公告)日：1999-11-10
申请号：CN94106935.4
申请日：1994-04-28
申请人： 日亚化学工业株式会社
IPC分类号： H01L33/00 , H01L31/0224 , H01L21/28
CPC分类号： H01L33/40 , H01L21/28575 , H01L29/2003 , H01L31/1884 , H01L33/32 , H01L33/325 , H01L33/38 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L2224/04042 , H01L2224/05082 , H01L2224/05124 , H01L2224/05166 , H01L2224/05582 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/05671 , H01L2224/0603 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48463 , H01L2224/49107 , H01L2224/49109 , H01L2224/73265 , H01L2924/01004 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01039 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/12032 , H01L2924/12041 , H01L2924/3011 , H01L2933/0016 , Y02E10/50 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 一种氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件具有在基片上形成的氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体层、及接连该半导体层形成的欧姆电极。欧姆电极包含金属材料，经退火处理。
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公开(公告)号：CN1156909A
公开(公告)日：1997-08-13
申请号：CN96120525.3
申请日：1996-11-06
申请人： 日亚化学工业株式会社
IPC分类号： H01L33/00 , H01L31/042 , H01S3/025 , H01S3/19
CPC分类号： H01S5/343 , B82Y20/00 , H01L33/02 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/325 , H01S5/2004 , H01S5/2009 , H01S5/2202 , H01S5/3201 , H01S5/3206 , H01S5/321 , H01S5/3211 , H01S5/3404 , H01S5/3412 , H01S5/3413 , H01S5/34333
摘要： 一种具有氮化物半导体层结构的氮化物半导体器件。该层结构包括含铟氮化物半导体构成的量子阱结构的有源层(16)。提供具有比有源层(16)大的带隙能量的第一氮化物半导体层(101)，使之与有源层(16)接触。在第一层(101)之上提供具有比第一层(101)小的带隙能量的第二氮化物半导体层(102)。另外，在第二层(102)之上提供具有比第二层(102)大的带隙能量的第三氮化物半导体层(103)。
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公开(公告)号：CN1132942A
公开(公告)日：1996-10-09
申请号：CN95117565.3
申请日：1995-12-04
申请人： 日亚化学工业株式会社
摘要： 一种氮化物半导体发光器件，具有一个单量子阱结构或多量子阱结构的有源层(14)，其由含铟和镓的氮化物半导体构成。一个由含铝和镓的P型氮化物半导体构成的第一P型覆盖层(61)被设置与有源层的一个面接触。一个由含铝和镓的P型氮化物半导体构成的第二P型覆盖层(62)被设置在第一P型覆盖层上。第二P型覆盖层具有比第一P型覆盖的带隙大的带隙。一个n型半导体层(13)设置与有源层(14)的另一面接触。
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