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公开(公告)号：CN102644098A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201210119052.1
申请日：2012-04-20
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明涉及一种无氰Au-Sn合金的电镀液，属于电镀领域。一种无氰Au-Sn合金电镀液，包含下述组分：非氰可溶性一价金盐，亚硫酸盐，有机多元酸，可溶性二价锡盐，焦磷酸盐，锡离子氧化抑制剂，磷酸氢二盐，钴盐。本发明镀液稳定、镀速快、操作简单、Au-Sn合金成分易于控制，适用于生产。
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公开(公告)号：CN102642099A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201210138861.7
申请日：2012-05-05
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 一种用于铝铜软钎焊的Sn-Zn基无铅钎料合金及其制备方法，属于新材料技术领域。钎料合金组分的重量百分比：Zn为7-8.5%；Al为0.2-0.49%；Ag为0.55-0.7%；P为0-0.1%；Ni为0-1%；RE为0-0.5%，Sn为余量。其制备步骤：（1）熔炼Zn-Al中间合金，按Zn-6Al配比在450℃保护气氛下熔炼合金，先熔化Zn再加入Al，搅拌均匀后冷却。（2）熔炼钎料合金，按所述合金配比，将纯金属及中间合金密封于石英管中，抽真空后加热石英管，合金完全熔化后，搅拌均匀，保温3小时后，水冷取出。本发明与现有的Sn基无铅钎料合金相比，在铜和铝上均有较好的润湿性，由此而具有良好的焊接性能；其焊接接头具有优良的力学性能，比现有的Sn-Ag-Cu、Sn-9Zn钎料更适合于铝铜软钎焊。
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公开(公告)号：CN1555960A
公开(公告)日：2004-12-22
申请号：CN200410021039.8
申请日：2004-01-10
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明属于金属材料工程技术领域，涉及到电子封装钎焊材料技术领域，特别涉及到低熔点的无铅钎料合金。其特征在于合金由以下成分组成：5～10重量％的Zn；3.05～10重量％的Cu；0.05～0.5重量％的稀土元素，包括La，Ce，Pr，Nd中的一种或几种元素；含有0.2～2重量％的Bi，其余为Sn。本发明效果和益处是合金其润湿性较好，力学性能优良，无毒、无污染，价格便宜，综合性能优良，可满足电子工业，尤其是家用电器等无铅钎料应用领域的要求。
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公开(公告)号：CN1175956C
公开(公告)日：2004-11-17
申请号：CN02109623.6
申请日：2002-05-10
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明属于金属材料工程技术领域，涉及到电子封装钎焊材料技术领域，特别涉及到适用于钎焊电子元件而不造成热损伤的无铅钎料合金。其特征在于合金由以下成分组成：5-10重量%的Zn；0.05-0.2重量%的稀土元素，包括La，Ce，Pr，Nd中的一种或几种元素；含有0.1-6重量%的Bi，0.1-3重量%的Cu、0.1-3重量%的In、0.1-1重量%的Al、0.01-1重量%的Ni、0.001-1重量%的P中的一种或几种；其余为Sn。本发明效果和益处是合金其润湿性较好，组织细密，力学性能优良，无毒、无污染，价格便宜，综合性能优良，可满足电子工业，尤其是家用电器等无铅钎料应用领域的要求。
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公开(公告)号：CN1390672A
公开(公告)日：2003-01-15
申请号：CN02109623.6
申请日：2002-05-10
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明属于金属材料工程技术领域，涉及到电子封装钎焊材料技术领域，特别涉及到一种低成本的无铅钎料合金。其特征在于合金由以下成分组成：5－10重量％的Zn；0.05－1重量％的稀土元素，稀土元素包括La，Ce，Pr，Nd中的一种或几种元素；任选含有0.1－6重量％的Bi，0.1－3重量％的Cu、0.5－3重量％的In、0.1－1重量％的Al、0.01－1重量％的Ni、0.001－1重量％的P中的一种或几种；其余为Sn。本发明效果和益处是合金润湿性较好，组织细密，力学性能优良，无毒、无污染，价格便宜，综合性能优良，可满足电子工业，尤其是家用电器等无铅钎料应用领域的要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1089048C
公开(公告)日：2002-08-14
申请号：CN99117835.1
申请日：1999-08-23
Applicant: 大连理工大学
IPC: B23K35/30 , B23K35/365
Abstract: 本发明属于焊接材料领域中的手工电弧焊焊条制备技术。特别适用于Cr-Mo、Cr-Mo-V类珠光体热强钢构件的异质焊接。该焊条的焊芯化学成分(%)：(0.06～0.1)C；(5.5～7.0)Cr；(9.0～15)Mn；(10～12)Ni；(0.5～0.9)Si；(0.4～0.6)Mo；(0.1～0.2)Ti；S、P＜0.03；余量为Fe。焊条药皮成分为：酸性：5.0～10%的大理石；8.0～10%的萤石；20～25%的金红石；10～15%的长石；10～15%的白泥；4.0～6.0%的云母；4.0～6.0%石英砂；18～20%金属锰；8.0～15%的钛白粉。碱性低氢型：44～46%的大理石；26～30%的萤石；2.0～2.5%的石英砂；8.0～10%的金属锰；4.0～6.0%的工业硅；钛铁3.0～5.0%；钛白粉2.0～6.5%；碳酸锶3.0～5.0%。碱性改进型：20～25%的大理石；15～18%的萤石；20～25%金红石；15～18%钛白粉；2.0～4.0%石英砂；9.0～12%金属锰；2.5～4.0%工业硅；3.0～5.0%钛铁；3.0～5.0%碳酸锶。该种焊条可有效解决异质接头的提前失效问题，提高构件的使用寿命和运行安全。
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公开(公告)号：CN1346728A
公开(公告)日：2002-05-01
申请号：CN01128184.7
申请日：2001-09-19
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明属于新材料技术领域,特别涉及一种适用于电子封装与组装钎焊的含稀土多合金组元无铅钎料合金。其特征是具有以下的化学成分:0.1～5重量%的Ag;0.1～1重量%的Cu;0.1～8重量%的Bi;0.1～7.5重量%的In;0～8重量%的Sb;0.01～2重量%的La和Ce混合稀土或La和Ce混合稀土加Pr、Nd中的一种或两种;余量为Sn。本发明的无铅钎料合金的液相线温度小于210℃,甚至可达190℃或更低,液相线和固相线温度差小于15℃。钎料合金具有至少60MPa的屈服强度和至少18%的延伸率,具有优良的润湿性,钎焊接头的结合强度高、钎焊质量优良。本发明的无铅钎料合金可以替代传统的Sn－Pb合金用于电子封装与组装钎焊中。
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公开(公告)号：CN119772295A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202510266981.2
申请日：2025-03-07
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明提供一种控制功率电子器件大面积热界面连接空洞率的装置及方法，装置部分通过优化钢网印刷模块的网格结构形状设计，确保焊膏层中的有机溶剂和水汽能够顺畅排出，从而有效减少了焊接过程中的空洞率；方法部分通过回流焊接工艺的优化，包括升温过程、保温过程、预回流和回流过程等各个阶段的温度控制及真空度优化，适当延长了气体的逸出时间，使得空洞率控制在1%以下，降低了界面热阻，提高了散热性能。本发明通过优化设计和工艺使得生产过程简化，操作更加便捷且成本低，适用于大规模生产；同时由于空洞率得到有效控制，生产过程中产品质量一致性得以保障，提高了功率电子器件的散热效率和使用寿命。
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公开(公告)号：CN115662966B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202211328767.8
申请日：2022-10-27
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L23/373 , B23K35/362
Abstract: 本发明提供一种功率电子器件高效散热的界面连接结构及制备方法，包括第一低温钎料层和第二低温钎料层，二者之间放置金属‑金属泡沫复合材料，该金属‑金属泡沫复合材料具有结构与性能可设计性，可根据所选功率器件封装材料对热界面连接结构的热导率以及热膨胀系数进行调配，实现散热效率和各封装材料之间热膨胀系数匹配度的双向同步提升。第一低温钎料层位于上侧基体与金属‑金属泡沫复合材料之间，第二低温钎料层位于金属‑金属泡沫复合材料与下侧基体之间。在回流焊及后续的服役过程中，两侧低温钎料中的降熔元素与金属‑金属泡沫复合材料中的中高温无铅钎料双向扩散，致使连接结构的重熔温度高于低温钎料层熔点，实现“低温连接，高温服役”。
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公开(公告)号：CN117210895A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311325145.4
申请日：2023-10-12
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明公开了一种精确控制Au‑Sn合金镀层成分的电镀方法，属于电镀技术领域。在相匹配的Au‑Sn合金电镀液中利用由两个不同的正向周期方波脉冲电流组成的电流组电镀制备设定成分的(AuSn/Au5Sn)n镀层(n＝1,2,…,n)。微纳尺度的AuSn相和Au5Sn相组成了(AuSn/Au5Sn)复合相，n为电流组和复合相周期重复的次(个)数。基于质量守恒定律，计算(AuSn/Au5Sn)复合相中两相之厚度比，控制两个不同的正向周期方波脉冲电流的峰值电流密度、电镀时间和n值，获得成分可精准调控的Au‑Sn合金镀层，其成分偏差小于1.0％，重现性可达98％以上，可应用于微电子与光电子器件的封装技术中。
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