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公开(公告)号:CN105220088A
公开(公告)日:2016-01-06
申请号:CN201510745423.0
申请日:2015-11-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C22F1/00
Abstract: 一种提高镍锰镓纤维磁热性能的热处理方法,涉及一种镍锰镓纤维的热处理方法。是要解决现有镍锰镓大块材料在磁制冷过程中存在的滞后大、散热难以及镍锰镓合金磁热性能和制冷能力差的问题。方法:一、制备合金铸锭;二、制备合金纤维;三、合金纤维的清洗干燥;四、石英管的清洗干燥与预处理;五、逐级退火热处理样品准备工作;六、纤维逐级退火热处理。本方法处理得到磁性能好、滞后小、一级相变与二级相变部分耦合的纤维,从而达到协调镍锰镓纤维磁熵变与制冷工作区间的目的,提高制冷能力,解决镍锰镓合金作为磁制冷材料而存在的一系列问题。本发明用于磁制冷材料领域。
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公开(公告)号:CN105154802A
公开(公告)日:2015-12-16
申请号:CN201510677404.9
申请日:2015-10-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C22F1/10
Abstract: 一种有效抑制Ni-Mn-Sn-Fe合金中析出第二相的方法,本发明涉及一种Ni-Mn-Sn-Fe金属纤维的制备方法,它为了解决Ni-Mn-Sn-Fe合金在常规冷却凝固过程中容易析出第二相的问题。抑制析出第二相的方法:一、合金铸锭进行热处理;二、清洗后的合金铸锭放入氧化铝空心圆柱中,然后放入电磁感应加热线圈内,在合金圆柱铸锭下面插入陶瓷圆柱;三、反复抽真空、通氩气,最后维持工作室一定氩气压力;四、使金属辊轮转动,接通感应加热电源;五、合金熔池与金属辊轮接触后,熔池内的熔融合金被纺成Ni-Mn-Sn-Fe合金纤维。本发明采用熔体抽拉工艺,保证熔化后的合金元素在凝固过程中不析出第二相。
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公开(公告)号:CN102719692A
公开(公告)日:2012-10-10
申请号:CN201210243508.5
申请日:2012-07-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种准连续孔隙镍锰镓泡沫合金的制备方法,它涉及一种镍锰镓泡沫合金的制备方法。本发明的目的是要解决现有镍锰镓泡沫合金的制备方法存在造孔剂坯体中孔隙的含量范围小,且需要高温、真空及加压条件的问题。方法:一、制备镍锰镓颗粒;二、制备偏铝酸钠颗粒;三、制备片状混合固体;四、烧结;五、去除偏铝酸钠,即得到准连续孔隙镍锰镓泡沫合金。优点:一、孔隙率可以进行调整,孔隙率最大可达65%,最小为35%;二、对真空度、温度和压力的要求比“压力铸造方法”都要低,制备工艺简单,降低制备成本,且得到了准连续孔隙的镍锰镓泡沫合金。本发明主要用于制备准连续孔隙镍锰镓泡沫合金。
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公开(公告)号:CN102228964A
公开(公告)日:2011-11-02
申请号:CN201110167234.1
申请日:2011-06-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种采用纺丝法制备Ni-Mn-Ga铁磁形状记忆合金连续纤维的方法,涉及Ni-Mn-Ga铁磁形状记忆合金连续纤维的制备方法。解决现有玻璃包覆方法制备Ni-Mn-Ga纤维的生产效率低,工艺可重复性差,不能直接得到裸露纤维问题。将Ni-Mn-Ga合金铸锭置于制取金属非晶丝的装置的坩埚中,腔体内充氩气保护气,启动金属辊轮,再加热坩埚,熔化合金后,控制坩埚移向金属辊轮,高速运转的金属辊轮在接触到熔融态金属时将金属纺成纤维。制备的纤维长度达1~10cm,直径30~80μm,尺寸均一。纤维成分均匀,与采用的合金铸锭成分一致。制备方法生产效率高,工艺可重复性好,能够直接得到裸露的纤维,保持很好的表面状态。
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公开(公告)号:CN101701334B
公开(公告)日:2011-09-07
申请号:CN200910309806.8
申请日:2009-11-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 多壁碳纳米管表面镀覆镍层的方法,它涉及一种在多壁碳纳米管表面镀覆金属层的方法。本发明解决了多壁碳纳米管易团聚,易与氧化物质发生反应造成结构损伤的问题。本发明方法步骤如下:一、酸化处理;二、敏化液的制备;三、敏化处理;四、活化处理;五、镀覆处理。采用本发明方法在多壁碳纳米管表面镀覆镍层后,多壁碳纳米管表面范德华力减弱,进而改善了多壁碳纳米管相互缠结的倾向、易团聚的问题,多壁碳纳米管表面的镍层保护碳纳米管,可以阻止多壁碳纳米管表面受到其它介质(氧化介质、腐蚀介质)的损伤。而且借助碳纳米管细小的尺寸,晶粒尺寸在纳米级的镍能够得到良好的分散,可以提高镍的化学催化活性。
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公开(公告)号:CN101724795B
公开(公告)日:2011-07-20
申请号:CN200910311604.7
申请日:2009-12-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C22C47/06 , C22C101/04 , C22C101/10
Abstract: 提高晶须增强纯铝基复合材料强度和塑性的方法,它涉及提高增强纯铝基复合材料强度和塑性的方法。本发明解决了晶须增强纯铝基复合材料的延伸率低的问题。本发明方法如下:称取硼酸铝晶须和碳纳米管,碳纳米管纯化制成碳纳米管悬浊液,然后制成预制块,再烘干后烧结,浇纯铝二次加压后随炉冷却。本发明方法制备出的硼酸铝晶须与碳纳米管同时增强的复合材料中Al/ABOw和Al/MWNTs界面平直,没有发现界面反应产物,制备过程没有对晶须或碳纳米管产生明显的损伤。本发明制备的复合材料的延伸率达到3.69%以上,延伸率比硼酸铝晶须增强的纯铝复合材料有明显提高,而且弹性模量、屈服强度和抗拉强度得到进一步的提高。
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公开(公告)号:CN101724795A
公开(公告)日:2010-06-09
申请号:CN200910311604.7
申请日:2009-12-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C22C47/06 , C22C101/04 , C22C101/10
Abstract: 提高晶须增强纯铝基复合材料强度和塑性的方法,它涉及提高增强纯铝基复合材料强度和塑性的方法。本发明解决了晶须增强纯铝基复合材料的延伸率低的问题。本发明方法如下:称取硼酸铝晶须和碳纳米管,碳纳米管纯化制成碳纳米管悬浊液,然后制成预制块,再烘干后烧结,浇纯铝二次加压后随炉冷却。本发明方法制备出的硼酸铝晶须与碳纳米管同时增强的复合材料中Al/ABOw和Al/MWNTs界面平直,没有发现界面反应产物,制备过程没有对晶须或碳纳米管产生明显的损伤。本发明制备的复合材料的延伸率达到3.69%以上,延伸率比硼酸铝晶须增强的纯铝复合材料有明显提高,而且弹性模量、屈服强度和抗拉强度得到进一步的提高。
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公开(公告)号:CN119220842A
公开(公告)日:2024-12-31
申请号:CN202411338842.8
申请日:2024-09-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种具有物理结合界面的高强韧铝基复合材料及其制备方法和应用。本发明属于铝基复合材料领域。本发明的目的是为了解决现有NiTip增强的铝基复合材料存在的基体‑增强相颗粒界面在加载过程中过早失效的技术问题。本发明的方法:先将SiCnp与小尺寸铝基基体粉末高能球磨混合;随后将NiTip与大尺寸铝基基体粉末高能球磨混合;再将上述两种混合粉末和未球磨铝粉低速球磨混合,得到Al‑SiCnp‑NiTip复合粉末;最后对其进行低温放电等离子体烧结和低温热挤压。本发明的方法还可以用于其他金属及其合金复合材料的制备。所得复合材料兼具高强韧性,应用于航空航天以及汽车工程领域。
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公开(公告)号:CN119220839A
公开(公告)日:2024-12-31
申请号:CN202411338839.6
申请日:2024-09-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种具有双异构结构的NiTi/Al基复合材料及其制备方法和应用。本发明属于NiTi/Al基复合材料领域。本发明的目的是为了解决现有NiTip/Al复合材料存在的无法兼顾强度和韧性的技术问题。本发明的方法:先将NiTip与纯铝粉高能球磨混合;然后将NiTip与铝合金粉高能球磨混合;再将上述两种混合粉末和未球磨铝粉分层封装于模具中,最后进行SPS烧结和低温热挤压。本发明制备的双异构结构材料,基体中高密度颗粒的硬区和无颗粒的韧性区形成不同晶区异构,采用堆叠方式形成砖砌层状结构异构。本发明的方法还可以用于NiTi/增强其他金属基复合材料的制备。所得复合材料兼具高强韧性,应用于航空航天以及汽车工程领域。
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公开(公告)号:CN118412446A
公开(公告)日:2024-07-30
申请号:CN202410291587.X
申请日:2024-03-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/58 , H01M4/583 , H01M4/1397 , C01G39/06 , C01B32/184
Abstract: 本发明公开了一种非晶化MoS2/rGO活性材料及其制备方法和在钠离子电池正极材料制备中的应用,属于钠离子电池正极材料及其制备技术领域。本发明解决了现有MoS2基电极材料结晶度较高,且在充放电循环过程中易出现较大的体积膨胀,破坏了MoS2结构的稳定性导致出现循环过程中容量大幅衰减的问题。本发明以EG为溶剂使用一锅溶剂热法制备了非晶化MoS2/rGO活性材料,其中MoS2均匀分布在rGO三维碳骨架上,非晶化结构改善了钠离子电池的循环稳定性。使用其作为正极材料制备的钠离子电池,在1A/g的电流密度下,首圈放电比容量为142.1mAh/g,循环2000圈后容量衰减率仅为9%。
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