公开(公告)号：CN118412446A

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202410291587.X

申请日：2024-03-14

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 白聪艳 ,  贾政刚 ,  钱明芳 ,  张学习 ,  耿林

IPC: H01M4/36 ,  H01M4/58 ,  H01M4/583 ,  H01M4/1397 ,  C01G39/06 ,  C01B32/184

Abstract: 本发明公开了一种非晶化MoS2/rGO活性材料及其制备方法和在钠离子电池正极材料制备中的应用，属于钠离子电池正极材料及其制备技术领域。本发明解决了现有MoS2基电极材料结晶度较高，且在充放电循环过程中易出现较大的体积膨胀，破坏了MoS2结构的稳定性导致出现循环过程中容量大幅衰减的问题。本发明以EG为溶剂使用一锅溶剂热法制备了非晶化MoS2/rGO活性材料，其中MoS2均匀分布在rGO三维碳骨架上，非晶化结构改善了钠离子电池的循环稳定性。使用其作为正极材料制备的钠离子电池，在1A/g的电流密度下，首圈放电比容量为142.1mAh/g，循环2000圈后容量衰减率仅为9％。

公开(公告)号：CN119263352A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202411519100.5

申请日：2024-10-29

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 贾政刚 ,  白聪艳 ,  钱明芳 ,  张学习 ,  耿林

IPC: C01G39/06 ,  C01B32/198 ,  H01M4/36 ,  H01M4/58 ,  H01M4/587 ,  H01M10/054

Abstract: 一种具有晶体/非晶体异质界面的MoS2/rGO的原位合成方法及其应用。本发明属于电极材料领域。本发明是为了解决现有MoS2基异质结大多数为“晶体/晶体”结构，且存在实验步骤及后处理方法复杂的技术问题。本发明的方法：将钼源和硫源先后溶解于氧化石墨烯的醇分散液中，随后转入水热釜进行溶剂热反应，反应结束后去除副产物，随后先冷冻，再真空冷冻干燥，得到非晶MoS2/rGO；将非晶MoS2/rGO初次研磨后，在气体保护下进行退火，退火后再次研磨，得到具有晶体/非晶体异质界面的MoS2/rGO。本发明的产品作为电极材料能有效提高离子传输效率，降低电荷转移阻抗。可应用于锌离子电池、镁离子电池、钠离子电池领域。