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公开(公告)号：CN100508230C
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200710144581.6
申请日：2007-11-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种制造LED芯片与热沉直接封装的散热组件的装置，本发明涉及LED芯片与热沉封装技术领域。它解决了现有LED封装结构制造过程中所采用的封装方法已不适用于制造芯片与散热组件直接封装的结构的问题。封装结构和方法为在镀有芯片金属膜的LED芯片和镀有热沉金属膜的矩形管状热沉之间焊有钎料层。制造装置由定位盒、固定夹板和紧固组件组成，盒体内部底面设置有一组放置LED芯片的芯片凹槽的定位盒，定位盒相对应的两个侧壁上分别安装有一对紧固组件，固定夹板为两个宽边边缘处分别开有与紧固组件的位置相对应马蹄形缺口的长方形薄板。本发明降低产品的热阻，使热量能尽快散发出去，提高产品的饱和电流、发光效率，同时也提高了产品的可靠性和寿命。
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公开(公告)号：CN100484669C
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200710072186.1
申请日：2007-05-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 微小钎料合金焊球的制作装置，它涉及一种电子封装工业用合金焊球的制作装置，为了解决现有焊球制作装置设备庞大、结构复杂、制作成本高以及现有焊球制作工艺的工序繁杂、效率低、制作出的焊球精度低的问题。本发明装置的气体供给装置的气体输出端分别连接压力控制器的输入端和气体保护装置的顶端，升降工作平台设置在气体保护装置下部并可以上下移动，冷却凝固装置安装在气体保护装置内的升降工作平台上。本发明的装置具有结构简单、成本低的优点。
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公开(公告)号：CN101159303A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200710144639.7
申请日：2007-11-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 双束激光辅助LED芯片与热沉直接键合的方法，它涉及LED芯片与热沉的钎焊方法。它解决了传统封装方法中对LED芯片造成热损害，以及键合质量低、定位困难、光学质量差的缺点。它的步骤为：在热沉上形成预设焊盘；光纤支架将激光发射头固定于芯片贴装机的机头上，并使真空吸嘴位于其中心；吸取LED芯片，并置于焊盘上方，使两束激光束聚焦于其上，使之熔化；真空吸嘴下降，继续加热；真空吸嘴下降至芯片金属膜与热焊盘接触，停止加热；键合完成，真空吸嘴复位并吸取下一个LED芯片，重复上述程序。本方法进行键合质量好，成品率高，定位准确，光学质量较好，而且利用激光作为热源具有功率密度高、焊接速度快、热影响区小、控制精确、易于实现自动化的优点。
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公开(公告)号：CN101150163A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200710144581.6
申请日：2007-11-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种LED芯片与热沉直接封装的散热组件及其制造设备和方法，本发明涉及LED芯片与热沉封装技术领域。它解决了现有LED封装结构中存在的难于散热的问题。封装结构和方法为在镀有芯片金属膜(3)的LED芯片(1)和镀有热沉金属膜(4)的矩形管状热沉(2)之间焊有钎料层(5)。制造装置由定位盒(6)、固定夹板(7)和紧固组件(8)组成，盒体内部底面设置有一组放置LED芯片(1)的芯片凹槽(6－1)的定位盒(6)，定位盒(6)相对应的两个侧壁上分别安装有一对紧固组件(8)，固定夹板(7)为两个宽边边缘处分别开有与紧固组件(8)的位置相对应马蹄形缺口(7－1)的长方形薄板。本发明降低产品的热阻，使热量能尽快散发出去，提高产品的饱和电流、发光效率，同时也提高了产品的可靠性和寿命。
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公开(公告)号：CN1317751C
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200510009617.0
申请日：2005-01-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开集成电路芯片面阵列封装的凸点制作方法。双电热丝熔切直接制作钎料凸点的方法通过下述步骤实现：一、通过载物台在水平面上的位置调整，使固定在载物台上的基板焊盘移动到所需要制作凸点的位置对准设置在基板焊盘上方的钎料丝及导向定位漏斗；二、钎料丝垂直向下进给使钎料丝的下端部穿过水平方向平行设置的两条电热丝之间；三、两条电热丝并拢后再分开，钎料丝的下端部熔化为熔滴后经导向定位漏斗的导向滴落在基板焊盘上，形成凸点连接；重复以上步骤完成整个基板焊盘上的凸点制作，以上步骤都是在惰性气体或氮气保护的环境下进行的。由于本方法的步骤很少，改变了原来繁多的凸点制作工艺方法，减少了原来生产环节所带来的诸多不良因素。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115410934B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202210853994.6
申请日：2022-07-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/60 , H01L21/603 , H01L21/48 , H01L23/488 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种微米In与纳米Cu@Ag核壳混合材料互连工艺，所述工艺包括如下步骤：步骤一：微米In与纳米Cu@Ag核壳混合焊膏的制备；步骤二：基板的处理；步骤三：焊膏的涂覆/印刷；步骤四：热压/电磁感应烧结。微米In与纳米Cu@Ag核壳能够相互配合，充分利用空间，降低孔隙率，能够大幅度地降低原材料的成本，在产业化大批量生产中发挥巨大优势。本发明可实现低温连接高温服役，不仅降低了互连温度和互连条件，还可有效的减少形成接头中的孔隙和孔洞，可在低温无压条件下将芯片与基板互连，完成半导体器件的连接封装，能够较好的应用于半导体器件的制造和微电子封装、电力电子封装等领域。
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公开(公告)号：CN113199103A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202110655360.5
申请日：2021-06-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种适用于高功率电子器件或组件的电磁感应快速连接方法，所述方法包括如下步骤：步骤S1、对待连接基板焊盘进行表面处理；步骤S2：将键合材料转移至待连接基板焊盘区域并与芯片装配成三明治结构，并施加压强；步骤S3、将三明治结构转移至电磁感应设备上方，采用电磁感应热源对键合材料进行原位加热或熔化，完成键合过程后，键合材料冷却形成接头。本发明充分利用电磁感应的热效率高，实现极短时间内的局部互连；相对于传统的电磁感应焊接工艺，具有润湿铺展更充分、焊缝缺陷少、焊接时灵活性高、接头性能良好和可靠性高的特点。
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公开(公告)号：CN109332939B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201811436196.3
申请日：2018-11-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种具有烧结连接性能的纳米银铜合金固溶体焊膏及其制备方法，所述纳米银铜合金固溶体焊膏按质量百分比由单相纳米银铜合金颗粒80%～90%、分散剂2%～8%、修饰剂2%～8%、稀释剂2%～8%和助焊剂2%～8%制成，本发明属于材料技术领域，采用一步液相还原法直接还原出单一银相的银铜合金纳米颗粒，该银铜纳米合金颗粒中银铜质量比灵活，可在银铜质量比0.1~10：1区间内任意调控，本方法具有方法简单，生产效率高，工艺适用范围广的特点，该材料连接性能优异，且克服了单一纳米银、纳米铜的在连接应用过程中的局限性，具有低温连接高温服役，连接施加压力小，连接时间短，抗氧化性强、抗电迁移及抗电化学迁移能力强、相对成本低的优势。
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公开(公告)号：CN108303441B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201810059761.2
申请日：2018-01-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N25/02
Abstract: 一种测定锡及锡合金样品中白锡转变为灰锡比例的方法，属于钎料低温可靠性研究技术领域。所述方法为将样品放置于恒温液体介质中测量初始体积、将样品放置于“相变低温环境”下、改变环境温度或放置时间、取出样品待升温至初始温度、将样品在此放回于恒温液体介质中、测量样品在不同温度或不同放置时间后的体积、绘制体积变化曲线、依据变化曲线监测Sn低温相变过程，如转变起始点、转变比例。本发明的优点是：通过利用Sn相变过程中灰锡与白锡的密度变化，能够有效检测样品中锡瘟的发生及灰锡转变的比例，其区别于现有的相变检测方法，具有更高的灵敏度。
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公开(公告)号：CN108072794B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201711408036.3
申请日：2017-12-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N25/12
Abstract: 一种在线无损监测锡及其合金发生低温相变的方法，属于钎料低温可靠性研究技术领域。所述方法如下：将研究试样拉拔成细丝或冷轧成薄板；设计待测试样的其他尺寸参数，从得到的细丝或薄板上切取待测试样；将得到的待测试样放置在相同或者不同的低温环境中储存，每隔一段时间取出，进行电流或者电压测量；搭建待测电路；将待测试样放入去离子冰水浴中，进行测量；绘制电流、电压随储存时间或者储存温度变化的曲线图；设置对照组，准备相同的试样，不进行低温储存，但在相同条件下进行电路测量，得到对照组试样的电流或者电压曲线，与低温储存试样的曲线比对，即实现锡及其合金低温相变的在线无损检测。本发明的优点是：利用背靠背肖特基二极管的不导通性，这比电阻测量更能准确监测低温相变过程。
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