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公开(公告)号：CN108363864A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810134768.6
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 一种研究电离缺陷和位移缺陷直接交互作用的试验方法，它涉及电离/位移协同效应，属于空间环境效应、核科学与应用技术领域。本发明的目的是为了制备一种结构，基于该结构利用不同类型的辐射粒子，从而实现电离和位移缺陷直接交互作用的研究。方法：制备MIM结构或者MSM结构，绝缘体或半导体的厚度为a1，导体的厚度为a2，其中，a2≥10a1；计算入射粒子的入射深度、电离吸收剂量(Id)和位移吸收剂量(Dd)，3 5，产生稳定的电离缺陷；本发明的试验方法，步骤简单，易于操作。本发明所提出的技术途径能够大幅度降低试验的费用，对材料和器件空间环境效应地面模拟试验和研究具有重大的意义。
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公开(公告)号：CN108346693A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201810136618.9
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 中国电子科技集团公司第二十四研究所 , 中国航天标准化研究所
IPC: H01L29/739 , H01L21/331
Abstract: 一种用于提取氧化物电荷和界面态的栅控纵向双极器件结构单元及其制备方法，属于核科学与技术领域，为了解决纵向双极晶体管无法定量分离氧化物俘获正电荷和界面态。本发明通过增加栅极单元，以便定量表征以及分离氧化物电荷和界面态；栅极单元设置在发射区接触孔和基区接触孔之间的氧化物上方；栅极单元的外边缘距发射区接触孔的距离大于或等于0.2μm；栅极单元距基区发射孔的距离大于或等于0.2μm；并且栅极单元的面积小于或等于整个基区面积的1/4。有益效果为准确定量表征辐射诱导氧化物和界面态缺陷的状态。
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公开(公告)号：CN108304666A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201810136598.5
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 基于杂化泛函计算β-三氧化二镓电荷转移的方法，本发明涉及计算β-三氧化二镓电荷转移的方法。本发明目的是为了解决现有基于杂化泛函的方法计算含有缺陷的超胞电荷转移的准确率低的问题。过程为：得到β-Ga2O3的晶格参数和禁带宽度；得到β-Ga2O3能量最低点的晶格参数和禁带宽度；根据晶格参数和禁带宽度得到模拟结果和实验结果一致；计算含有缺陷的β-Ga2O3的电子在空间中的分布；通过VESTA软件读取A和B，并对二者在电子在空间中的分布做差，得到差分电荷。本发明用于计算β-Ga2O3电荷转移的领域。
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公开(公告)号：CN108254668A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201810134762.9
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种分析电子元器件电离辐射损伤机制过程中加速界面态缺陷形成的方法，涉及一种加速界面态缺陷形成的方法。目的是解决SiO2作为绝缘材料和钝化层的电子元器件的电离辐射损伤机制分析过程中，辐射诱导的氧化物俘获正电荷和界面态缺陷同时产生影响损伤机制分析的问题。方法：计算单位注量入射粒子的电离/位移吸收剂量和入射深度，根据电离和位移吸收剂量的比例关系，设定入射粒子的剂量率，进行先高后低的顺序辐照。该方法达到了加速界面态缺陷形成，将氧化物俘获正电荷和界面态缺陷的形成的过程分开，实现对氧化物俘获正电荷或界面态缺陷对电子器件辐射损伤性能的影响实现分开研究。本发明适用于电子元器件电离辐射损伤机制的分析。
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公开(公告)号：CN106501284A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610911409.8
申请日：2016-10-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 模拟不同注量率中子辐照的试验方法，涉及材料和器件的辐照试验。为了解决采用中子辐照产生的位移辐射损伤易形成位移缺陷，进而造成材料和器件性能退化的问题。所述方法为：选择重离子的类型和注量率，利用选择的重离子对材料和器件进行辐照，使所述材料和器件产生的位移损伤程度与待模拟注量率的中子辐照产生的位移损伤程度相同。选择的重离子的射程大于材料的厚度或器件有源区深度的2倍。在满足重离子加速器的要求的前提下，选择的重离子的注量率的范围为104～109ion/cm2·s，在所述范围内选择重离子的类型，使一个重离子产生的位移吸收剂量最小。本发明基于重离子辐照实现不同注量率中子辐照所产生的位移缺陷状态，原位检测性能退。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106384716A
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201610911436.5
申请日：2016-10-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/328 , H01L21/263 , H01L21/30
CPC classification number: H01L21/263 , H01L21/30 , H01L29/66227
Abstract: 一种基于降低氢元素含量的双极器件抗辐照加固方法，涉及电子技术领域，具体涉及抗辐照双极器件。所述方法包括用于降低双极器件内部的氢含量的步骤。本发明在现有的双极器件制备工艺基础上，通过控制双极器件内部的氢含量，在相同的辐照剂量条件下，可大大降低双极器件的复合漏电流，降低双极器件的电流增益损伤程度，达到提高双极器件抗辐照能力的目的。本发明适用于抗辐照加固双极器件。
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公开(公告)号：CN103887171B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201410136054.0
申请日：2014-04-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/331 , H01L21/265
Abstract: 一种基于第二钝化层钝化方式的双极器件抗辐照加固方法，涉及双极器件抗辐照技术领域。解决了双极器件的钝化层中，由于氧化物俘获正电荷和界面态的影响，导致双极器件的抗辐照能力低的问题。所述抗辐照加固方法包括以下步骤：步骤一、采用传统工艺制备双极晶体管，并在双极晶体管上形成第一钝化层；步骤二、第一钝化层形成后，采用低压化学气相淀积法在第一钝化层上生长第二钝化层；步骤三、对第二钝化层进行离子注入；步骤四、对双极晶体管、第一钝化层和第二钝化层形成的一体结构进行退火工艺。本发明适用于提高双极器件抗辐照能力。
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公开(公告)号：CN103870664B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201410135842.8
申请日：2014-04-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 一种基于氢离子注入的双极型器件ELDRS效应加速实验方法，属于电子技术领域，本发明为解决现有双极型器件的ELDRS效应地面模拟实验没有加速实验的普遍适用方法，即不能用高剂量率辐照实验来实现低剂量率增强效应加速实验的问题。具体过程为：根据选取的双极型器件钝化层厚度和密度，利用SRIM软件进行仿真，获取注入氢离子的能量与射程；利用TCAD软件进行仿真，获取抗辐照性能参数：电流增益；改变氢离子的注量，使TCAD模拟双极型器件的电流增益变化量小于10%，记录氢离子注量；根据注入氢离子的能量、射程和注量，在钝化层中注入氢离子；对注入氢离子后的双极型器件进行辐照实验。本发明
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公开(公告)号：CN103872105B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201410135478.5
申请日：2014-04-04
Applicant: 石家庄天林石无二电子有限公司 , 哈尔滨工业大学 , 中国空间技术研究院
IPC: H01L29/73 , H01L29/08 , H01L21/331
Abstract: 一种抗辐照加固双极型晶体管的制备方法，属于电子技术领域。它是为了解决现有双极型晶体管抗辐照能力低的问题。一种抗辐照加固双极型晶体管，发射区以基区的对角线为对称线呈左右对称的正方形对称梳状结构，该对称线两侧对称向外延伸出n对矩形齿结构，每对矩形齿结构之间的夹角均为90度；上述晶体管的制备方法，在掺杂元素扩散形成基区时，基区的扩散结深度在1μm至2.5μm之间；在基区的表面扩散一层硼；掺杂元素扩散形成发射区时，发射区的扩散结深度在0.5μm至2μm之间；在氧化时，保证干氧的厚度在1nm至10nm之间，湿氧的厚度在200nm至1μm之间。本发明适用于商业化抗辐照双极型晶体管的应用及生产。
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公开(公告)号：CN103073773B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201310021307.5
申请日：2013-01-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 用于空间质子辐射防护的掺杂碳纳米管的聚乙烯复合材料及其制备方法和应用，涉及用于空间质子辐射防护的复合材料及其制备方法领域。本发明是要解决现有采用聚乙烯材料做为辐射防护材料时存在着由于其热稳定性较差，严重制约其使用范围的问题。用于空间质子辐射防护的掺杂碳纳米管的聚乙烯复合材料，按重量份数是由聚乙烯树脂、碳纳米管和偶联剂制备而成。制备方法：一、将碳纳米管和偶联剂混合得改性碳纳米管；二、混合改性碳纳米管与聚乙烯树脂后热压。用于空间质子辐射防护的掺杂碳纳米管的聚乙烯复合材料在防护质子辐射的应用。本发明适用于辐射防护和航空航天领域。
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