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公开(公告)号：CN114029372A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111335478.6
申请日：2021-11-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种电热管的成型加工机构，包括设置在机台上的下料装置和成型装置，输送桥上贯穿有输送槽，输送槽下方设置有受电机驱动用以驱动电热管输送的驱动轮，在输送桥的前端侧面开设有若干通孔，输送桥的顶部设有缺口，一侧设置有顶出机构，该顶出机构包括气缸、受气缸控制的横杆、安装在横杆上的顶针，电热管经过输送槽时，气缸推动横杆再联动顶针穿过通孔将输送槽内叠在一起的上方的电热管从缺口位置顶出；成型装置对接输送槽内的电热管并进行弯管加工，采用以上技术方案的成型加工机构，在加工的过程中顶出机构会将多余或重叠的电热管顶出，确保每次输送进折弯机头模组内的电热管仅为一根，提高成品率，自动化程度高，提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN106904580B
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201710137965.9
申请日：2017-03-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 利用水热法合成1T相‑无序度协同调控的二维纳米片的方法，本发明涉及一种二维纳米片的制备方法，它要解决现有MX2纳米片通常为半导体性质的2H相结构，且较难实现对结晶无序度调控的问题。合成方法：一、按摩尔比为1：2：(2～10)将含过渡金属元素的前驱体化合物、硫属元素的单质或含硫属元素前驱体化合物以及还原剂分散于去离子水中；二、控制加热温度进行水热反应，清洗产物得到二维MX2纳米材料；三、烘干处理。本发明通过水热法实现了一步1T相‑无序度协同调控的二维纳米片，通过调节还原剂的量实现对1T相含量的调控，通过调节水热反应的温度实现纳米片晶格无序度的调节。且得到的二维纳米片具有良好的催化制氢效率。
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公开(公告)号：CN110265504A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910588485.3
申请日：2019-07-01
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/032 , H01L31/109 , H01L31/18 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供了一种紫外光电探测器，包括衬底、设置在所述衬底上的源电极和漏电极，还包括设置在所述衬底上的量子点修饰的纳米线，所述量子点修饰的纳米线的两端分别与所述源电极和所述漏电极连接；所述量子点修饰的纳米线包括氮化铝纳米线和氧化镍量子点，所述氧化镍量子点附着在所述氮化铝纳米线表面且与所述氮化铝纳米线之间形成p-n结。本发明提供的紫外光电探测器，利用氮化铝纳米线和氧化镍量子点之间形成的p-n结，有效提高氮化铝纳米线载流子的浓度，从而提高紫外光电探测器的光电导增益，实现紫外光电探测器对VUV紫外线的探测。
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公开(公告)号：CN107808908A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201711099351.2
申请日：2017-11-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/032 , H01L31/18 , G01D5/26
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/109 , G01D5/26 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 基于稀土镍酸盐-铌掺杂钛酸锶的异质结材料及其传感器制备方法和应用，本发明属于传感器领域，它为了解决现有紫外光电探测器的响应速度较慢，未有同时兼具自驱动紫外光电传感器和位敏传感器材料器件的问题。该基于稀土镍酸盐-铌掺杂钛酸锶的异质结材料具有p-n结结构，在n型铌掺杂钛酸锶基片上采用激光脉冲沉积有厚度为5～20nm的p型镍酸盐氧化物层，其中的镍酸盐氧化物为镍酸钕、镍酸钐或镍酸钆。在该异质结表面镀有金电极制备传感器，此传感器能够应用于自驱动紫外光电探测器和位敏传感器中。本发明利用Nb:SrTiO3半导体仅在紫外/近紫外光区响应的特点，其探测范围接近日盲区范围，且光电响应速度快。
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公开(公告)号：CN106542522A
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201710029303.X
申请日：2017-01-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B32/184
CPC classification number: C01B2204/20 , C01B2204/22 , C01P2004/03 , C01P2004/30
Abstract: 模板法制备三维石墨烯的方法，它涉及一种模板法制备三维石墨烯的方法。本发明是要解决制备三维多孔氮掺杂石墨烯的成本高、操作复杂的技术问题。本方法：一、制备分散液；二、将稀硝酸、稀硫酸或磷酸加入步骤一所得分散液中，得到沉淀；三、将抽滤所得产物用乙醇重新分散到不同形状的模具中，干燥，得到前驱体；四、将前驱体在氩气或氮气的条件下升温并保温，再升温保温，即得三维石墨烯。本发明利用廉价的三聚氰胺或双氰胺为原料，制备出的三维石墨烯约为10元/g，远低于目前市售石墨烯的价格(目前石墨烯的市场售价约为100-1000元/g)，适合大规模工业化生产。
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公开(公告)号：CN102618930B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201210093222.3
申请日：2012-03-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种AlN晶体的制备方法，它涉及一种晶体的制备方法。本发明要解决现有采用PVT法制备AlN单晶的方法中，异质籽晶与AlN晶体的晶格失配较大，得到AlN晶体缺陷密度高的问题。方法：一、将AlN粉末置于坩埚中、将籽晶固定在坩埚顶部，在氮气气氛下，升温至1800～2000℃，保温1～5小时；二、将预烧结后的AlN粉末在氮气气氛中加热升温至2150～2300℃，保温反应8～20小时，降至室温。零微管SiC作为异质籽晶，可以降低AlN晶体的缺陷密度，同时由于偏角度SiC籽晶偏离面一定角度，缺陷遗传的几率也将显著降低，从而最终减少缺陷对器件性能的不利影响。本发明的AlN晶体用于半导体器件。
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公开(公告)号：CN104868014A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510233175.1
申请日：2015-05-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/032
Abstract: 一种基于窄带隙铁电薄膜的光伏器件的制备方法，本发明属于半导体材料技术领域，它为了解决现有光伏器件中铁电体薄膜的带隙宽，光照产生的光电流较小的问题。光伏器件的制备方法：一、称取K2CO3、Nb2O5、BaCO3和NiO作为原料，采用固相反应法制备掺杂KNbO3陶瓷靶材；二、清洗单晶SrTiO3基片作为基底；三、在基底的表面沉积底电极；四、使用掺杂KNbO3陶瓷作为靶材，脉冲激光沉积KNbO3基薄膜；五、在KNbO3基薄膜表面沉积顶电极。本发明通过Ba、Ni共掺减小了铌酸钾的帯隙，从而能够吸收低于700nm的光，并使掺杂KNbO3薄膜的光电流达到20pA。
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公开(公告)号：CN102995124B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201310006222.X
申请日：2013-01-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种用于AlN晶体生长的籽晶，它涉及一种用于AlN晶体生长的材料。它要解决现有采用自发成核难以获得大尺寸AlN晶体，采用异质籽晶方法生长出的AlN晶体杂质含量高的问题。用于AlN晶体生长的籽晶为经过退火工艺处理后的AlN陶瓷片。用于AlN晶体生长的籽晶还可以为经过退火工艺处理后再进行抛光处理的AlN陶瓷片，或者在抛光后的陶瓷片表面镀上AlN薄膜，以得到用于AlN晶体生长的籽晶。采用本发明用于AlN晶体生长的籽晶生长出的AlN晶体尺寸较大，杂质含量少。本发明主要应用于半导体器件中AlN晶体的生长。
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公开(公告)号：CN102634976A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210118341.X
申请日：2012-04-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: D06M13/513 , D06M11/46 , D06M10/00 , D06M101/30
Abstract: 表面沉积(POSS/TiO2)n薄膜增强PBO纤维耐紫外光稳定性的方法，它涉及一种增强PBO纤维耐紫外光稳定性的方法。本发明解决了紫外光照射引发PBO纤维分子链断裂，纤维的分子量和取向度降低，导致PBO纤维的特征黏度降低、力学性能降低的技术问题。本方法如下：一、PBO纤维表面的氧等离子体改性；二、表面接枝氨基苯基POSS；三、二氧化钛溶胶溶液的制备；四、交替沉积；五、重复步骤四n次，在PBO纤维表面得到(POSS/TiO2)n薄膜。采用本发明方法处理后的PBO纤维经受紫外光加速老化后PBO纤维的分子量和取向度是降低不明显，拉伸强度保有率和特性粘度保有率高于未处理的PBO纤维。
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公开(公告)号：CN102586879A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210074358.X
申请日：2012-03-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 用于AlN晶体生长的图形化衬底，涉及一种用于AlN晶体生长的图形化衬底。解决现有采用籽晶制备大尺寸AlN晶体的方法中，AlN籽晶成本高，SiC籽晶高温易分解影响AlN晶体质量的问题。图形化衬底是在衬底上嵌入均匀排布的图形单元，图形单元的形状为正六棱台，边长为a2的上底面在衬底表面所在的平面上，下底面的边长为a1，图形单元的高度为c1，其中，a1＝n1a，c1＝n1c，a2＝n2a1，a和c为六方AlN晶体的晶胞参数，0＜n1≤15×107，1＜n2≤3。图形化衬底的制备工艺简单。生长出的AlN晶体具有直径尺寸大，缺陷密度低的优点。
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