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公开(公告)号：CN110061046B
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN201910382491.3
申请日：2019-05-09
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明提供了一种n型硼碳氮薄膜/p型单晶硅异质pn结原型器件及制备方法，属于半导体材料领域。本发明采用磁控溅射方法在p型(100)面单晶硅衬底上制备n型硼碳氮薄膜；然后在n型硼碳氮薄膜一侧和p型单晶硅一侧分别制作银电极，即制得n型硼碳氮薄膜/p型单晶硅异质pn结原型器件。本发明通过控制磁控溅射的生长参数，得到包含柱状氮化硼纳米晶的n型硼碳氮导电层，其纳米晶取向可控；获得了整流特性良好的n型硼碳氮薄膜/p型单晶硅异质pn结原型器件。
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公开(公告)号：CN110510604A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910857578.1
申请日：2019-09-09
Applicant: 吉林大学
IPC: C01B32/194 , C01B21/064 , B82Y40/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明属于无机纳米材料领域，具体涉及一种石墨烯/氮化硼层状异质结构及其制备方法。该方案提出的复合异质结构，石墨烯表面被氮化硼覆盖，横向长度为30～80μm。所述方法包括：在去离子水中依次加入分散剂和石墨烯经处理形成稳定分散液，再加入氧化硼在一定温度下恒温搅拌至浓稠泥浆状，涂覆于刚玉舟表面，真空干燥后得到前驱体；将其置于真空管式炉中，在氩气气氛中持续加热至一定温度后再通入氨气进行反应得到初步产物，经处理后可得到所述层状异质结构材料。本发明工艺简单，不需任何金属催化剂，材料纯度高、结晶性好，集合了石墨烯与氮化硼二者的优异性能，为二维材料工业化生产提供了技术方案。
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公开(公告)号：CN109750266A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201910147275.0
申请日：2019-02-27
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及薄膜材料领域，提供了一种调控硼碳氮薄膜中氮化硼晶体生长的方法，包括以下步骤：(1)提供分布有金刚石籽晶的基底；(2)在基底的金刚石籽晶表面进行磁控溅射，得到含有氮化硼晶体的硼碳氮薄膜；所述步骤(2)中磁控溅射的靶材为含碳的氮化硼靶。本发明在金刚石籽晶预处理过的基底上生长硼碳氮薄膜，促进了薄膜中氮化硼纳米晶的生长，提高了硼碳氮薄膜的结晶度和薄膜中氮化硼的成分，为硼碳氮薄膜的生长提供了重要的实验依据，为硼碳氮薄膜在工业领域内的应用提供了新的方法。
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公开(公告)号：CN109467087A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811598492.3
申请日：2018-12-26
Applicant: 吉林大学
IPC: C01B32/914
Abstract: 此发明涉及一种仙人掌状碳化铌微晶的制备方法，属于无机纳米材料的制备领域。制备方法采用直流电弧等离子体放电法；制备条件是高温低压；制备过程是将摩尔比1:1的高纯碳粉和铌粉均匀混合研磨压片，放入直流电弧反应腔室内，调整好阴阳两极距离，在特定条件(氮气、气压10-40kPa和电流95-105A等)下起弧、反应、冷却钝化后，既在阳极石墨锅下沿处获得形似仙人掌状的碳化铌微晶。本发明制备工艺简单、耗材少、重复性高，同时又能保证样品产率与纯净度，具有良好应用前景。
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公开(公告)号：CN109368645A
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201811598488.7
申请日：2018-12-26
Applicant: 吉林大学
IPC: C01B32/914 , B82Y40/00
Abstract: 此发明涉及一种阵列式Z字型碳化铌微晶的制备方法，属于无机纳米材料的制备领域。制备方法采用直流电弧等离子体放电法；制备条件是高温低压；制备过程是将摩尔比1:1的高纯碳粉和铌粉均匀混合研磨压片，放入直流电弧反应腔室内，调整好阴阳两极距离，在特定条件(氩气、气压10-40kPa和电流75-85A等)下起弧、反应、冷却钝化后，既在阳极石墨锅下沿处获得阵列式Z字型碳化铌微晶。本发明制备工艺简单、耗材少、重复性高，同时又能保证样品产率与纯净度。此方法制备的阵列式Z字型碳化铌微晶尺寸均一、排列整齐，可用作太阳能吸收材料的辅料，具有良好应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106904582B
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201710328495.4
申请日：2017-05-11
Applicant: 吉林大学
IPC: C01B21/06
Abstract: 本发明的一种三维树叶锥状氮化钒微晶的制备方法，属于无机纳米材料制备的技术领域。制备过程是将金属钒粉末压制成圆柱状金属钒片，将金属钒片放入和自身形状大小契合的石墨锅内，石墨锅内嵌于直流电弧反应腔室的阳极铜锅中，阴极钨棒悬于石墨锅正上方；在冷凝壁套筒和阳极铜锅夹层中通入循环冷却水，向反应腔室通入氮气，再进行起弧放电，保持电流110～120A，切断电源后在氮气气氛中冷却钝化6小时，获得三维树叶锥状氮化钒微晶，三棱锥体由片层状氮化钒堆积而成。本发明制备工艺简单高效稳定经济，重复性高；得到的样品纯度高，形貌新颖；有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN105568220B
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201610027359.7
申请日：2016-01-15
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种磁控溅射制备立方氮化硼厚膜的方法，属于超硬材料及其制备的技术领域。以硅片为衬底，以h‑BN或单质硼靶为溅射靶材，采用两步沉积法制备c‑BN厚膜。在Ar/N2混合气体气氛下先溅射第一层氮化硼膜，再通入H2，按质量流量计H2用量为气体总流量的4％～15％，保持衬底温度、调节衬底负偏压溅射第二层氮化硼膜。本发明的方法在不使用过渡层、加H2量较少的条件下，直接在硅衬底上获得立方相含量75％以上，甚至超过95％的c‑BN厚膜，膜厚可达4μm以上，其稳定性得到了显著提高。
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公开(公告)号：CN107055490A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710328490.1
申请日：2017-05-11
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种多孔纳米氮化钒微晶的制备方法，属于无机纳米材料制备的技术领域。制备方法具体步骤是将金属钒粉末压制成圆柱状金属钒片，将金属钒片放入与自身形状大小契合的石墨锅内，石墨锅内嵌于直流电弧反应腔室的阳极铜锅中，阴极钨棒悬于石墨锅正上方；阳极铜锅夹层和冷却壁内通循环冷却水，反应腔室通入反应气氮气，进行起弧放电，保持电流110～120A；切断电源后再在氮气气氛中冷却钝化6小时，在石墨锅处收集多孔纳米氮化钒微晶，颗粒尺寸800nm，孔径400nm。本发明制备工艺简单、易于操作，生产周期短、可重复性强、成本低廉、产物纯度高，有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN119846690A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202411983065.2
申请日：2024-12-31
IPC: G01T3/08
Abstract: 本发明属于半导体器件制备技术领域，公开了一种氮化硼纳米片堆叠中子探测器及其制备方法。一种氮化硼纳米片堆叠中子探测器，包括陶瓷衬底、欧姆接触下电极、石英、刻蚀区、氮化硼纳米片和欧姆接触上电极；陶瓷衬底表面形状为矩形或正方形；所述的欧姆接触下电极位于陶瓷衬底上表面；所述的石英位于欧姆接触下电极上表面；所述的刻蚀区为石英需刻蚀掉的区域；所述的氮化硼纳米片位于刻蚀区内部；所述的欧姆接触上电极位于石英及氮化硼纳米片的上表面。本发明设计了一种氮化硼纳米片堆叠器件结构，并提出了一种有效、简便且低成本的工艺制造技术，解决了氮化硼中子探测器的制备难题，实现了较大面积氮化硼中子探测器件的研制。
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公开(公告)号：CN116154039B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202310185293.4
申请日：2023-03-01
Applicant: 吉林大学
IPC: H10F71/00 , H10F77/124 , H10F77/16 , H10F30/10
Abstract: 一种基于六方氮化硼大尺寸单晶的深紫外光电探测器及其制备方法，包括：衬底；粘合剂，旋涂于衬底上表面；六方氮化硼大尺寸单晶，覆盖于旋涂有粘合剂的衬底表面；一对电极，部分覆盖于六方氮化硼大尺寸单晶上表面。本发明通过大面积、高质量、厚度适中的六方氮化硼大尺寸单晶，制备出在深紫外区拥有高响应速度，高开关比，高光谱选择性的深紫外光电探测器。该探测器在空间光通讯，军事预警探测，臭氧层空洞监测，以及航空航天领域拥有重大应用前景。
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