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公开(公告)号：CN114678258A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210276892.2
申请日：2022-03-21
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 一种p型氧化镓纳米结构薄膜及其制备方法，属于半导体薄膜材料制备技术领域。结构薄膜依次由GaSb单晶衬底、p型Ga2O3纳米结构薄膜两部分组成。首先对GaSb单晶衬底加热，使其表面形成镓液滴；然后通入氧气对镓液滴进行持续热氧化，使得衬底中的Sb形成的Sb替位SbO与Ga2O3中的本征缺陷Ga空位VGa结合，形成SbO‑VGa复合体结构作为有效的受主掺杂源，形成稳定的p型Ga2O3薄膜。此外，热氧化时形成的纳米结构可以有效缓解与衬底间较大的晶格失配与热失配，提高薄膜晶体质量。本发明工艺简单、成本低，解决了Ga2O3材料的p型掺杂的问题，且薄膜质量较高，该方法为Ga2O3基器件的发展提供了有力支撑。
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公开(公告)号：CN113097055B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202110359099.4
申请日：2021-04-02
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 一种高质量p型氧化镓纳米柱状结构薄膜及其制备方法，属于半导体薄膜材料制备技术领域。依次由砷化镓(GaAs)单晶衬底、p型Ga2O3纳米柱状结构薄膜两部分组成。首先对GaAs单晶衬底加热，使其表面形成镓液滴；然后通入氧气对镓液滴进行持续热氧化，使得衬底中的As形成的As替位AsO与Ga2O3中的本征缺陷Ga空位VGa结合，形成AsO‑VGa复合体结构作为有效的受主掺杂源，形成稳定的p型Ga2O3薄膜。此外，热氧化时形成的纳米柱状结构还可以有效缓解与衬底间较大的晶格失配与热失配，提高薄膜晶体质量。本发明工艺简单、成本低，解决了Ga2O3材料的p型掺杂的问题，且薄膜质量高，该方法为Ga2O3基器件的发展提供了有力支撑。
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公开(公告)号：CN109346400B
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN201811208179.4
申请日：2018-10-17
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 一种高质量Ga2O3薄膜及其异质外延制备方法，属于半导体薄膜材料制备技术领域。包括如下步骤：利用MOCVD在c面蓝宝石上外延GaN薄膜，制成GaN/蓝宝石基底；将GaN/蓝宝石基底放置于高温氧化炉中，在900～1000℃下通入高纯氧气2～5小时后，升温至1100～1200℃继续通入氧气1～2小时；降温后得到Ga2O3/GaN/蓝宝石基底；利用MOCVD在Ga2O3/GaN/蓝宝石基底上采用温度渐变外延工艺继续外延Ga2O3，获得高质量的Ga2O3薄膜材料。本方法将GaN薄膜材料通过两步热氧化工艺制成Ga2O3/GaN/蓝宝石基底，并利用温度渐变工艺外延Ga2O3薄膜材料，可显著提高Ga2O3薄膜的晶体质量。该方法可用于Ga2O3基异质衬底器件的制备，且工艺简单，生产成本低。
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公开(公告)号：CN106098890B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201610445392.1
申请日：2016-06-21
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种基于碳面SiC衬底的垂直结构氮极性GaN基绿光LED及其制备方法，属于半导体发光器件领域。其依次由下电极层、n型带有斜切角的碳面SiC衬底、n‑Alx0Ga1‑x0N导电缓冲层、n‑GaN电子提供层、InGaN基量子阱有源区、p‑Alx1Ga1‑x1N电子阻挡层、p‑GaN空穴注入层和上电极层构成。采用碳面SiC作为衬底，以获得氮极性的GaN基绿光LED器件，与传统的镓极性GaN器件相比，氮极性LED结构设计更有利于器件效率的提高。氮极性LED结构中电子阻挡层内的极化电场和外加正向偏压方向一致，有助于空穴的注入，降低器件的开启电压。同时，垂直结构LED可有效避免电流拥堵效应。本发明方法可以获得高效的GaN基绿光LED，进一步促进了GaN基绿光LED发展及其应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105957934B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201610263454.7
申请日：2016-04-26
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种n‑SiC衬底AlGaN基垂直结构谐振腔紫外LED芯片及其制备方法，属于半导体发光器件领域。其依次由下电极层、n‑SiC衬底、n‑Alx0Ga1‑x0N导电缓冲层、n‑AlGaN基DBR下反射层、n‑Alx1Ga1‑x1N电流扩展层、AlGaN基极化诱导隧道结、p‑Alx2Ga1‑x2N空穴注入层、AlGaN基量子阱有源区、n‑Alx3Ga1‑x3N电子注入层、n‑AlGaN基DBR上反射层和上电极层构成，0.1≤x0、x1、x2、x3≤0.9。采用与AlGaN晶格更匹配的SiC衬底，改善AlGaN质量，提高内量子效率；利用谐振腔结构，增强TE模偏振光，提高器件光提取效率；通过隧道结实现结构倒置，减弱了极化电场的影响，提高量子阱内载流子复合发光效率。本发明进一步拓展了半导体紫外发光器件的应用范围。
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公开(公告)号：CN104953469B
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201510217380.9
申请日：2015-04-30
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种GaAs衬底ZnO微米棒端面出光的发光管或激光器及其制备方法，属于半导体发光器件及其制备方法技术领域。由下电极、衬底、ZnO微米棒、空穴注入层和上电极构成，ZnO微米棒沿着衬底的 方向放置，并和衬底之间用焊料烧结在一起，ZnO微米棒周围用有机填充物填平，空穴注入层采用Li掺杂的p‑NiO薄膜材料，沿垂直于衬底的 方向解理衬底和ZnO微米棒，解理形成的前、后端面构成激光器的前反射镜和后反射镜。本发明制备了GaAs或InP衬底ZnO微米棒端面出光的发光器件的增益区较长，可以提高器件的输出功率，其激光器件的谐振腔是法布里‑珀罗谐振腔，激光的方向性变好，进一步拓展了器件的应用范围。
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公开(公告)号：CN103233210B
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201310187221.X
申请日：2013-05-20
Applicant: 吉林大学
Abstract: 氧化物薄膜高温生长用有机金属化学气相沉积设备，属于氧化物薄膜材料制备技术领域，具体涉及一种在超高温（大于1100°C）和氧气气氛条件下氧化物半导体及其它氧化物薄膜功能材料生长的金属有机物化学气相沉积设备。其反应室由其由真空加热腔、内旋转系统、外旋转系统、带有水冷的U型法兰固定装置（1）、带水冷的火炬型中空轴（2）、带水冷的反应室侧壁（5）、喷淋头（6）和抽真空系统（18）组成；火炬型中空轴（2）分为炬体和炬把两部分，其炬把穿过U型法兰底座（1）。旋转电机通过皮带传送带动外旋转系统绕U型法兰底座（1）旋转，从而带动不锈钢旋转轴（7）及圆柱形石英支撑（10）和圆形石墨罩（12）绕真空加热腔旋转。
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公开(公告)号：CN100595939C
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200810050429.6
申请日：2008-03-04
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于半导体发光器件领域，特别是涉及一种具有掺杂夹层结构的ZnO基发光器件。由衬底、ZnO基材料缓冲层、ZnO基材料下限制层、ZnO基材料有源层、ZnO基材料上限制层、ZnO基材料盖层、掺杂夹层构成；掺杂夹层位于衬底和ZnO基材料缓冲层之间，或位于ZnO基材料盖层上面，掺杂夹层材料为GaAs、InP或Zn3As2，其厚度为5～150纳米，采用溅射法、PLD法、MBE法或蒸发法，在400～1000摄氏度退火1～5小时制备得到。掺杂夹层还可以为双条形、数字、字母、汉字、图画或点阵结构。本发明通过引入夹层结构，可以克服ZnO基材料p型掺杂难的问题。
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公开(公告)号：CN101315348A
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200810050890.1
申请日：2008-06-27
Applicant: 吉林大学
IPC: G01N27/64
Abstract: 本发明属于检测技术领域，具体涉及一种通过附加微量进气枪实现气体传感器及催化反应在线测试的电子能谱仪。其由真空反应室(20)、提供满足测试要求真空度的超高真空系统(21)、提供合适样品温度的变温样品台(22)、提供激发样品所需的合适粒子的激发源(23)、用于分辨不同能量光电子的能量分析器(24)、用于数据采集和分析的数据采集系统(25)和在真空反应室上附加的微量进气枪(26)组成。本发明提供了一种适合半导体气敏反应和催化反应的在线电子能谱分析方法，是半导体传感技术、催化技术与变温电子能谱技术的完美结合，既拓展了电子能谱的使用范围，又为研究半导体传感技术、催化技术的反应机理提供了新的研究方法。
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