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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107978661B
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201711092025.9
申请日：2017-11-08
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种带有极化诱导p型掺杂层的氮极性蓝紫光LED芯片及制备方法，属于半导体发光器件技术领域。由(0001)面蓝宝石衬底、低温GaN缓冲层、氮极性GaN模板层、n‑GaN电子注入层、多量子阱有源层、极化诱导p型掺杂空穴注入层组成，其中氮极性GaN模板层中有SiNx掩膜层，极化诱导p型掺杂空穴注入层上设置有p电极，n‑GaN电子注入层有一裸露台面，在其上设置有n电极；本发明采用斜切的蓝宝石衬底，提高外延片的晶体质量及表面平整度；氮极性GaN模板层中原位插入SiNx掩膜，有效阻挡位错同时降低非故意掺杂的浓度，提高内量子效率；采用Al组分线性增加的掺Mg的AlGaN制作形成为极化诱导p型掺杂空穴注入层，提高空穴的浓度，提高电注入效率。
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公开(公告)号：CN105957934B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201610263454.7
申请日：2016-04-26
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种n‑SiC衬底AlGaN基垂直结构谐振腔紫外LED芯片及其制备方法，属于半导体发光器件领域。其依次由下电极层、n‑SiC衬底、n‑Alx0Ga1‑x0N导电缓冲层、n‑AlGaN基DBR下反射层、n‑Alx1Ga1‑x1N电流扩展层、AlGaN基极化诱导隧道结、p‑Alx2Ga1‑x2N空穴注入层、AlGaN基量子阱有源区、n‑Alx3Ga1‑x3N电子注入层、n‑AlGaN基DBR上反射层和上电极层构成，0.1≤x0、x1、x2、x3≤0.9。采用与AlGaN晶格更匹配的SiC衬底，改善AlGaN质量，提高内量子效率；利用谐振腔结构，增强TE模偏振光，提高器件光提取效率；通过隧道结实现结构倒置，减弱了极化电场的影响，提高量子阱内载流子复合发光效率。本发明进一步拓展了半导体紫外发光器件的应用范围。
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公开(公告)号：CN107978661A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201711092025.9
申请日：2017-11-08
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种带有极化诱导p型掺杂层的氮极性蓝紫光LED芯片及制备方法，属于半导体发光器件技术领域。由(0001)面蓝宝石衬底、低温GaN缓冲层、氮极性GaN模板层、n-GaN电子注入层、多量子阱有源层、极化诱导p型掺杂空穴注入层组成，其中氮极性GaN模板层中有SiNx掩膜层，极化诱导p型掺杂空穴注入层上设置有p电极，n-GaN电子注入层有一裸露台面，在其上设置有n电极；本发明采用斜切的蓝宝石衬底，提高外延片的晶体质量及表面平整度；氮极性GaN模板层中原位插入SiNx掩膜，有效阻挡位错同时降低非故意掺杂的浓度，提高内量子效率；采用Al组分线性增加的掺Mg的AlGaN制作形成为极化诱导p型掺杂空穴注入层，提高空穴的浓度，提高电注入效率。
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公开(公告)号：CN105957934A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610263454.7
申请日：2016-04-26
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: H01L33/04 , H01L33/007 , H01L33/025 , H01L33/105
Abstract: 一种n‑SiC衬底AlGaN基垂直结构谐振腔紫外LED芯片及其制备方法，属于半导体发光器件领域。其依次由下电极层、n‑SiC衬底、n‑Alx0Ga1‑x0N导电缓冲层、n‑AlGaN基DBR下反射层、n‑Alx1Ga1‑x1N电流扩展层、AlGaN基极化诱导隧道结、p‑Alx2Ga1‑x2N空穴注入层、AlGaN基量子阱有源区、n‑Alx3Ga1‑x3N电子注入层、n‑AlGaN基DBR上反射层和上电极层构成，0.1≤x0、x1、x2、x3≤0.9。采用与AlGaN晶格更匹配的SiC衬底，改善AlGaN质量，提高内量子效率；利用谐振腔结构，增强TE模偏振光，提高器件光提取效率；通过隧道结实现结构倒置，减弱了极化电场的影响，提高量子阱内载流子复合发光效率。本发明进一步拓展了半导体紫外发光器件的应用范围。
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公开(公告)号：CN201382901Y
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200920093112.0
申请日：2009-03-04
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本实用新型涉及一种便携式痕量金快速分析仪。分析仪由电磁阀、蠕动泵经驱动电路与单片机连接，多功能化学发光池与光电倍增管封装在同一暗盒中，并与单片机连接构成。开机后设定负高压、输入标样、将制备好的待测试样上清液送入分析仪，在多功能化学发光池内AuCl4－氧化鲁米诺产生化学发光，光电倍增管采集化学发光信号，经A/D转换送入单片机，得所测试样AuCl4－含量，实现了痕量金自动化测定，分析仪灵敏度高，所有操作步骤在单片机控制下完成，数据经处理后直接给出分析结果，并将数据记录在存储介质中，以备检查或查阅，与现有技术相比不仅提高了测试精度、分析效率，降低分析成本，还减轻了分析人员的劳动强度。
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