公开(公告)号：CN106098890B

公开(公告)日：2019-04-09

申请号：CN201610445392.1

申请日：2016-06-21

Applicant: 吉林大学

Inventor： 张源涛 ,  邓高强 ,  黄振 ,  董鑫 ,  马艳 ,  张宝林 ,  杜国同

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/06 ,  H01L33/00

Abstract: 一种基于碳面SiC衬底的垂直结构氮极性GaN基绿光LED及其制备方法，属于半导体发光器件领域。其依次由下电极层、n型带有斜切角的碳面SiC衬底、n‑Alx0Ga1‑x0N导电缓冲层、n‑GaN电子提供层、InGaN基量子阱有源区、p‑Alx1Ga1‑x1N电子阻挡层、p‑GaN空穴注入层和上电极层构成。采用碳面SiC作为衬底，以获得氮极性的GaN基绿光LED器件，与传统的镓极性GaN器件相比，氮极性LED结构设计更有利于器件效率的提高。氮极性LED结构中电子阻挡层内的极化电场和外加正向偏压方向一致，有助于空穴的注入，降低器件的开启电压。同时，垂直结构LED可有效避免电流拥堵效应。本发明方法可以获得高效的GaN基绿光LED，进一步促进了GaN基绿光LED发展及其应用。

公开(公告)号：CN106098890A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610445392.1

申请日：2016-06-21

Applicant: 吉林大学

Inventor： 张源涛 ,  邓高强 ,  黄振 ,  董鑫 ,  马艳 ,  张宝林 ,  杜国同

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/06 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/06

Abstract: 一种基于碳面SiC衬底的垂直结构氮极性GaN基绿光LED及其制备方法，属于半导体发光器件领域。其依次由下电极层、n型带有斜切角的碳面SiC衬底、n‑Alx0Ga1‑x0N导电缓冲层、n‑GaN电子提供层、InGaN基量子阱有源区、p‑Alx1Ga1‑x1N电子阻挡层、p‑GaN空穴注入层和上电极层构成。采用碳面SiC作为衬底，以获得氮极性的GaN基绿光LED器件，与传统的镓极性GaN器件相比，氮极性LED结构设计更有利于器件效率的提高。氮极性LED结构中电子阻挡层内的极化电场和外加正向偏压方向一致，有助于空穴的注入，降低器件的开启电压。同时，垂直结构LED可有效避免电流拥堵效应。本发明方法可以获得高效的GaN基绿光LED，进一步促进了GaN基绿光LED发展及其应用。