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公开(公告)号：CN102522318A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110458460.5
申请日：2011-12-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: GaN基外延薄膜自分裂转移方法，涉及用于光电器件中的GaN基薄膜。先在GaN基外延薄膜上蒸镀或溅射一层或多层金属，使之成为欧姆接触层，其中加入高反射率金属起到反射镜作用，再利用光刻方法在金属表面上制作出图形化光刻胶；在样品表面没有光刻胶的部分电镀金属衬底，并采用化学法去除光刻胶；把样品键合到支撑衬底上；采用激光光源透过蓝宝石衬底辐照样品，依据激光剥离技术去除蓝宝石衬底，有电镀金属区域的GaN基薄膜则转移到电镀的厚金属衬底，无电镀金属区域的GaN基薄膜发生分裂形成碎片，结果使GaN基外延薄膜实现自分裂和转移。不仅可降低成本、简化工艺，而且可避免金属基板切割和解决因切割金属衬底而造成器件短路问题。
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公开(公告)号：CN101540364B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200910111571.1
申请日：2009-04-23
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种氮化物发光器件及其制备方法，涉及一种半导体发光器件。提供一种非对称耦合多量子阱结构为有源区的氮化物发光器件及其制备方法。至少包括n-型电子注入层、p-型空穴注入层和多量子阱有源层，多量子阱有源层夹在n-型电子注入层和p-型空穴注入层之间。有源层由非对称耦合量子阱结构组成。量子阱的垒层较薄，易实现载流子隧穿，且量子阱中基态能级间的跃迁能量逐渐变化，跃迁能量大的量子阱接近p型注入层，跃迁能量小的量子阱接近n型注入层。用此有源区结构可增强空穴在量子阱有源区中的隧穿输运，同时阻挡电子在量子阱有源区中的隧穿输运，改善氮化物发光器件有源区中载流子分布不均现象，减小电子泄露和能带填充效应，实现高效发光。
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公开(公告)号：CN101478115A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200910110946.2
申请日：2009-01-22
Applicant: 厦门大学
IPC: H01S5/12 , H01S5/125 , H01S5/028 , H01L33/00 , H01L21/205
Abstract: 氮化物分布布拉格反射镜及其制备方法，涉及一种分布布拉格反射镜，尤其是涉及一种利用金属有机物化学气相沉积制备氮化镓基微腔发光二极管和垂直腔面发射激光器中氮化物DBR的技术。提供一种高质量和具有良好表面形貌的氮化物分布布拉格反射镜及其制备方法。氮化物DBR设衬底，在衬底上生长GaN缓冲层，再生长由GaN层和AlN层构成的DBR，AlN或/和GaN中掺入铟。先对蓝宝石C面衬底进行热处理，然后在H2气氛下生长GaN成核层，升温生长GaN缓冲层；再生长AlN缓冲层，随后升温使AlN层重新结晶；最后在N2气氛下重复交替生长AlN层和GaN层制备DBR，其中AlN层和GaN层中的一种或两种在生长时掺入铟。
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公开(公告)号：CN101478025A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200910110947.7
申请日：2009-01-22
Applicant: 厦门大学
Abstract: 大功率半导体微腔发光二极管，涉及一种发光管。提供一种可提高发光功率的大功率半导体微腔发光二极管。从下至上设有底部分布布拉格反射镜和腔区。分布布拉格反射镜是由两种折射率不同的材料以层厚为四分之一中心波长交替生长形成的。在腔区上可设有顶部分布布拉格反射镜，或顶部金属反射镜。提出一种用较少周期数(两种折射率不同的半导体材料层厚各为四分之一中心波长叠加后厚度为二分之一中心波长定为一个周期)的DBR得到较高反射率的方法，两种折射率不同的半导体材料由于晶格失配和热膨胀系数失配导致构成的DBR表面出现裂痕影响随后腔区晶体质量的可能性减少。
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公开(公告)号：CN101188256A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200710009957.2
申请日：2007-12-10
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/0304
Abstract: 无应变InAlGaN/GaN PIN光电探测器，涉及一种光电探测器，尤其是涉及一种将光信号转换为电信号的铟铝镓氮/氮化镓(InAlGaN/GaN)PIN光电探测器。提供一种无应变InAlGaN/GaN PIN光电探测器。设有蓝宝石(Al2O3)衬底、GaN缓冲层、n－GaN层、i－InAlGaN光敏层、p－InAlN层和p－GaN顶层，从下至上GaN缓冲层、n－GaN层、i－InAlGaN光敏层、p－InAlN层和p－GaN顶层依次设在蓝宝石(Al2O3)衬底上，在p－GaN顶层上设有p电极，在n－GaN层上设有n电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101183642A
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：CN200710009955.3
申请日：2007-12-10
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/04 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L33/00 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种p－GaN低阻欧姆接触的制备方法，涉及一种p型氮化镓(p－GaN)。提供一种p－GaN低阻欧姆接触的制备方法。将(0001)取向的蓝宝石衬底装入反应室，在H2气氛下对衬底热处理，降温对衬底氮化处理；降温生长GaN缓冲层，升温使GaN缓冲层重新结晶；外延生长GaN层；降温生长掺镁GaN层；再降温生长5个周期的p－InGaN/p－AlGaN超晶格层；在5个周期的p－InGaN/p－AlGaN超晶格层上再生长p－InGaN盖层。结果表明采用p－InGaN/p－AlGaN超晶格作顶层可以获得更低的比接触电阻。
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公开(公告)号：CN117164241A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311211597.X
申请日：2023-09-19
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种模具成型荧光玻璃膜层的制备方法及其制品。其中，所述方法包括：提供一压片模具以及荧光粉料，且模具腔体的形状与所要制备的荧光玻璃膜层形状相同，且该模具整体的导热系数≥20W·m‑1K‑1；在该模具底部放置高导热基板，该高导热基板形状与所要制备的荧光玻璃膜层形状相同，将荧光粉料按预设质量倒入槽体、压实形成荧光粉层；该高导热基板的导热系数≥20W·m‑1K‑1，可与模具形成较好的热适配；将包含高导热基板和荧光粉料的模具进行加热处理后，获得高导热基板复合荧光玻璃膜层。本发明方法无需使用有机溶剂，摆脱排胶阶段的超长时间，加热时间大大缩减，有效降低了生产成本，适合工业化批量生产。此外，由于荧光粉和玻璃粉混合过程中不再添加其他成分，荧光粉料的均匀性更好。
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公开(公告)号：CN116525740A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310551302.7
申请日：2023-05-16
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓基谐振腔发光二极管及其制备方法，包括：自下而上依次层叠的支撑衬底、下反射镜、电流扩展层、发光层、上反射镜；所述发光层包括：自上往下依次层叠N型半导体外延层、有源区、P型半导体外延层，形成PIN结构，用于发光；所述上反射镜为滤波器结构反射镜，通过氮化镓外延层与所述发光层连接，用于透射中心波长光，反射非中心波长光；所述上反射镜和发光层连接有上电极。本发明使用滤波器结构作为反射镜制作氮化镓基谐振腔发光二极管相比于常规氮化镓基谐振腔发光二极管具有更窄的线宽、并可实现高纯度单纵模发光。
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公开(公告)号：CN115986033A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211714656.0
申请日：2022-12-28
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种同步辐射正交线偏振光谐振腔发光二极管。所述器件，从下到上依次为金属衬底、下反射镜、平行平面谐振腔、上电极、上反射镜；所述平行平面谐振腔的外延层包括n型层、p型层以及有源区；其中n型层、p型层以及有源区均由双折射半导体材料制成，该有源区为双折射量子阱结构。本发明具有结构简单、集成度高，光谱线宽窄，光谱模式可调等特点，在精密测量，显微组织成像，视觉成像，三维显示，光通信，量子通信等领域中有着广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN113745333A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202111021113.6
申请日：2021-09-01
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/36 , H01L21/34
Abstract: 本发明公开一种含δ掺杂势垒层的常关型氧化镓基MIS‑HEMT器件及其制备方法，其中器件包括衬底和层叠设置在衬底一端面上的缓冲层，其还包括：沟道层、间隔层、δ掺杂层、势垒层、源电极、漏电极、介质层和栅电极；其中，所述δ掺杂层设置在间隔层远离沟道层的端面上，用于避免产生平行导电沟道。本发明采用δ掺杂势垒层结构来代替对整层进行均匀掺杂的势垒层结构，可以避免产生平行导电通道，并克服由其带来的器件跨导和击穿电压降低，射频特性功能下降和开关特性变差等不足。可以减弱陷阱效应，增大沟道中的2DEG浓度，以及提高器件的击穿电压和可靠性。本发明用于实现器件常关操作所采用的凹槽栅刻蚀技术具备工艺成熟、成本低、均匀性和重复性好等优势。
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