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公开(公告)号：CN109957963A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201910271359.5
申请日：2019-04-04
Applicant: 江苏金秋弹性织物有限公司 , 南通大学
Abstract: 本发明公开了一种导电纤维的制备方法，包括如下内容，a、将纤维浸入无水乙醇中进行表面油脂的去除，用去离子水进行冲洗5~6min；b、将步骤a处理的纤维穿入磁控溅射机内，采用磁控溅射法在纤维表面依次镀上镍层，钛层及银层；c、将镀有金属层的纤维穿过微波加热器的螺旋进丝管内，启动微波加热器对纤维进行微波加热，控制加热温度为200~300℃，加热时间为10~15min；d、对加热后的金属纤维进行冷却处理，将纤维温度降至常温，形成导电纤维。
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公开(公告)号：CN109881318A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910272112.5
申请日：2019-04-04
Applicant: 江苏金秋弹性织物有限公司 , 南通大学
IPC: D02G1/00
Abstract: 本发明公开了一种纤维加弹结构，所述纤维在加弹的过程中至少使用一组加弹结构，所述纤维加弹结构是由加热模块与冷却模块组成，所述加热模块与冷却模块是由中空的壳体组成，所述可以的侧壁上设有导向滑轮，所述纤维依次从加热模块的导向滑轮穿入，从冷却模块中的导向滑轮穿出。本发明结构简单、使用方便、温度更加均匀，提高纤维加热效果，而且通过加弹结构，使加弹装置更加小巧，同时节省了大量的空间，通过冷却模块将纤维快速冷却，提高纤维的弹性。
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公开(公告)号：CN108425148A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201810635113.7
申请日：2018-06-15
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明公开了一种多晶硅铸锭生长控制方法及工艺，坩埚顶部和底部之间的温度差作为一个新引入的参数△t进行控制多晶硅铸锭生长工艺的长成，铸锭制备工艺过程中，曲线△t先增加后减小，再增加最后降到0，当△t峰值达到最大时，坩埚中的硅料开始熔化，直到硅料完全熔化时，△t会出现一个极小值的尖契，△t尖契的温度不可低于160℃，一旦低于这个温度，坩埚底部的籽晶层会出现熔穿现象，导致红区升高，同时坩埚边角处的红区会沿坩埚壁向上延伸，△t峰值判断法，可以作为硅锭铸锭过程的判断依据，并提供一种多晶硅铸锭生长工艺，本发明优点降低多晶硅中红区厚度，提高多晶硅的质量，提高多晶硅的利用效率，降低成本。
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公开(公告)号：CN105983462B
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201510044700.5
申请日：2015-01-28
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明涉及一种垂直层流净化工作台，包括进气系统、排气系统，进气系统下方设有散流板，散流板下方为工作腔体，靠近工作人员的工作腔体外端具有开设操作孔的透明端板，工作腔体靠近端板的一侧为透明隔板，透明端板与透明隔板之间形成隔层，排气系统包括设置在所述隔层下方的排气口，以及通过排气管路与所述排气口相连的抽气装置。本发明巧妙地在工作腔体外端设置有隔板，将抽气口设置于隔层下方，使操作孔下方形成低压区，从而切断了内部气体通过端板操作孔外泄的通道和阻挡了外界气体进入工作区，使垂直层流净化工作台真正的实现了不泄露。本发明结构简单，改造费用极低，但效果很好，适合于业内推广。
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公开(公告)号：CN108249444A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201810017493.8
申请日：2018-01-09
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明公开了一种原生多晶硅碳硅分离工艺及其使用装置，利用旋转法实现溶液内外反应速率差，从而分离原生多晶硅和石墨夹具；为了更好的实现这一方案，设计了包括电化学反应池、机械转动装置、超声波震动装置、腐蚀液清理装置和电源五部分在内的旋转分离结构。本发明通过旋转碳头料实现溶液内外的反应速率差，分离多晶硅碳头料的同时，减少了对溶液外多晶硅的腐蚀，降低了多晶硅的减重。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105755531B
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201610158974.1
申请日：2016-03-18
Applicant: 南通大学 , 南通综艺新材料有限公司
Abstract: 本发明涉及一种适用于类单晶硅铸锭的籽晶块，包括：用于靠在坩埚四周内壁的边框籽晶块，和用于放置在所述边框籽晶块围成区域内的若干平板籽晶块，相邻平板籽晶块之间具有拼接结构，边框籽晶块具有适合从上方压住平板籽晶块上表面的凸块。边框籽晶块具有能够压住平板籽晶块的凸块，因此平板籽晶块放入坩埚后被固定住而不可晃动，由于边框籽晶块的挤压作用，降低平板籽晶块受热翘起的可能，确保单晶铸锭质量。此外，借助边框籽晶块，平板籽晶块能够更接近水平的放置于坩埚内，能够做到放入的平板籽晶块保持水平，为提高铸锭质量奠定了基础。
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公开(公告)号：CN106591937A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201710019679.2
申请日：2017-01-12
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明公开了一种凹陷式块状类单晶籽晶铸锭熔化结晶工艺，包括如下步骤：(1)单晶硅籽晶的制备及装料阶段；(2)单晶硅籽晶铸锭熔化阶段；(3)类单晶长晶阶段。本发明的特点在于当硅料熔液从顶部向底部流动经过阻挡层时，会沿着晶砖的凹陷角度向坩埚中心流动。这样就可以避免因为铸锭炉的加热器位于坩埚顶部和四壁，坩埚壁处的温度较高，导致坩埚壁处的硅溶液沿着坩埚壁向下流动，接触籽晶层造成边侧籽晶层熔穿的现象。同时，缓冲层向中心流动的硅熔液可以提高坩埚中心的温度，避免了在中心处的籽晶层未熔化的现象，采用了降温速率控制工艺，实现了铸锭工艺的优化。
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公开(公告)号：CN104659153B
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201510083888.4
申请日：2011-03-23
Applicant: 南通大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及硅基叠层太阳能电池的制备方法，步骤顺序如下：第1步、利用多晶硅衬底制备PN结电池；第2步、淀积铝顶电极，与P型多晶硅形成欧姆接触；第3步、淀积P型非晶硅层，与P型多晶硅形成同型异质结；第4步、制备底电极，形成叠层太阳能电池。本发明利用顶层宽禁带的非晶硅薄膜作光吸收层与多晶硅衬底构成异质结，利用底层窄禁带的多晶硅作光吸收层，在多晶硅中形成PN结，所述两结共用一个P型多晶硅层，减少了一个电池间的界面，避免了电池间界面对于电流的复合作用，提高了太阳能电池的光电转换效率比单结多晶硅电池提高5-10%。
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公开(公告)号：CN105988296A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510045211.1
申请日：2015-01-28
Applicant: 南通大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明涉及净化曝光装置，包括净化工作台、置于净化工作台内的曝光机、光刻胶显影液槽、漂洗液槽，净化工作台包括工作腔体、进气腔、排气腔；工作腔体的前端设有隔断低压腔，隔断低压腔具有操作通道，底部与排气腔连通。本发明将曝光光源、光刻胶显影液槽、漂洗液槽，置于净化工作台内部，杜绝了曝光和显影过程中挥发气体对人体的危害；借助净化工作台，工作人员可以在普通环境中进行操作，而不需要专门的无尘室，这大大降低了成本，尤其对于科研单位和教学单位具有重大意义。本发明在隔断低压区内形成负压，工作腔体内的气体和外界大气通过操作通道被吸入，有效防止工作腔体内部气体外泄。
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公开(公告)号：CN105983457A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510044048.7
申请日：2015-01-28
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明涉及水平层流净化工作台，包括工作腔体、进气系统、排气系统，进气系统包括位于工作腔体后部的进气腔；排气系统包括位于工作腔体下方的排气腔，排气腔的后侧设置有排气口；工作腔体的前端部设置有隔断低压腔，隔断低压腔具有供操作人员伸手进入工作腔体内部的操作通道，隔断低压腔的底部与排气腔连通。本发明在操作通道处设置有隔断低压区，隔断低压区内形成负压，以抽走从操作通道流出的气体；同时，由于低压区负压的作用，工作腔体内的气体和外界的大气通过操作通道被吸入，阻止了内部气体通过操作通道外泄和外界气体进入工作区；两股气流在操作通道内相汇后被迅速抽走，有效防止工作腔体内部气体外泄。
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