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公开(公告)号：CN114497426B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202011172056.7
申请日：2020-10-28
Applicant: 南京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种提高钙钛矿发光二极管亮度的方法及钙钛矿发光二极管，以季膦盐为钙钛矿前驱体溶液中的一种组分，在退火过程中，季膦盐分子的亲水基团(P+)与钙钛矿晶粒表面的BX3‑负离子产生静电吸附作用，改变了钙钛矿晶粒生长择优取向，同时外侧的芳香环或脂肪链基团具有大的空间位阻，抑制了晶粒间的团聚，形成低缺陷的纳米晶。提升了薄膜电荷输运能力，实现钙钛矿器件高亮度发光。
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公开(公告)号：CN118055630A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202211441748.6
申请日：2022-11-17
Applicant: 南京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种具有叉指状结构的钙钛矿薄膜及其光电器件，所述钙钛矿薄膜是通过钙钛矿前驱体溶液自组装形成的，形成的钙钛矿薄膜组分中包括三维钙钛矿和低维钙钛矿混合物，其中低维钙钛矿为二维、一维、零维钙钛矿中的任意一种或几种组合；其中，钙钛矿薄膜中组分至少存在一种组分形貌是叉指状。本发明中具有叉指状结构的钙钛矿薄膜兼具三维钙钛矿优异光电特性与低维钙钛矿的高稳定性，有利于提升钙钛矿光电器件效率，同时改善器件的工作稳定性。
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公开(公告)号：CN117801808A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202211165483.1
申请日：2022-09-23
Applicant: 南京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种带隙可调的钙钛矿薄膜和制备方法及其光电器件，所述薄膜是通过原位离子交换方法制备得到的，所述的方法为液‑固离子交换法、固‑固离子交换法或气‑固离子交换法，其不受限于卤化物在钙钛矿前驱体溶液中的溶解度，有助于实现任意卤素比例的钙钛矿薄膜，制备的钙钛矿薄膜具有缺陷少、光电性能优异的特点，有助于实现高亮度、高效率的发光器件。
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公开(公告)号：CN117624895A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311516968.5
申请日：2023-11-14
Applicant: 南京工业大学
IPC: C08L83/04 , C08L75/04 , C08L33/12 , C08K3/16 , C08K3/08 , C08K3/22 , C08J5/18 , C08L67/02 , C08J7/04 , C09D183/04 , C09D5/22 , C09D7/61 , D01F6/94 , D01F6/46 , D01F1/10 , D04H1/56 , D04H1/728
Abstract: 本发明公开了一种柔性无铅高能辐射防护膜及其制备方法和应用，所述防护膜，包括高能辐射吸收材料和有机高分子材料，其中，所述高能辐射吸收材料包括无铅金属卤化物，还可以包括无铅金属颗粒和无铅金属氧化物中的至少一种，所述防护膜还具有四种可用于大面积批量制备的方法。本发明提供的防护膜不仅柔性高，而且对高能辐射具有屏蔽作用，还具有荧光发射性质从而具备视觉警示功能，并且抗疲劳、稳定性高。
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公开(公告)号：CN117328030A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311307093.8
申请日：2023-10-10
Applicant: 南京工业大学
Abstract: 本发明涉及薄膜技术领域，具体公开了一种基于吸收光谱监控真空沉积薄膜质量的方法及装置，所述的方法包括以下步骤：在真空沉积薄膜过程中，实时监测在基片上沉积的薄膜的吸收光谱；基于所述吸收光谱监控所述薄膜的成膜质量，确定最佳的沉积条件。本发明提出的基于吸收光谱监控真空沉积薄膜质量的方法，通过在真空沉积薄膜过程中实时监测在基片上沉积的薄膜的吸收光谱，可以实现薄膜成膜质量的实时监测，面向薄膜制备的整个过程，有助于得到基于真空沉积技术制备薄膜的最佳成膜条件，作为衡量薄膜性能的重要参数，从而全面指导薄膜制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114335400B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202011054422.9
申请日：2020-09-30
Applicant: 南京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种抑制混合卤素钙钛矿相分离的方法及应用和器件，通过加入有机添加剂，使前驱体溶液中不同卤素在分子水平均匀混合；所述有机添加剂为具有较大空间位阻，并且能够促进混合卤素均匀混合的分子。采用本发明的技术方案，具有以下有益效果：1)在任意混合卤素比例下都可有效抑制其相分离；2)抑制相分离的同时，不会带来新的问题(例如导电性、亮度降低)；3)提高钙钛矿薄膜光致发光量子产率和光谱稳定性。
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公开(公告)号：CN116322254A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202111552458.4
申请日：2021-12-17
Applicant: 南京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种锡基钙钛矿薄膜及其制备方法和器件，锡基钙钛矿的结构通式为ABX3‑CxByXz，其中A为能形成三维钙钛矿的有机或无机阳离子；B为Sn2+阳离子或Sn2+/Pb2+混合阳离子；C为能形成低维钙钛矿的有机阳离子；X为卤素阴离子；x：y：z＝0‑4：0‑1：0‑6。本发明采用溶液法，在溶剂氛围存在条件下，使薄膜在原位结晶过程中发生重结晶或二次生长，从而改善薄膜的结晶性，减少薄膜缺陷态密度，提高荧光量子效率，最终提高锡基钙钛矿光电器件的效率和稳定性。
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公开(公告)号：CN113388385A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202010165973.6
申请日：2020-03-11
Applicant: 南京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种非铅金属卤化物材料及其制备方法和器件，非铅金属卤化物的结构通式为Od‑AaBbXc，其中A为金属阳离子；B为Cu+、Cu2+、Ag+、Au+、Sn2+、Bi3+、In3+等金属离子；X为卤素阴离子；O为有机物；非铅金属卤化物前驱体溶液由AX和BX以及有机物添加剂溶于溶剂中，通过溶液法制得。本发明通过利用含有氧原子的有机物在不改变卤化物组分的情况下，改善薄膜的结晶性和覆盖率，增大薄膜的表面电势，提高载流子的注入和传输，从而提高器件的亮度、外量子效率和稳定性。
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公开(公告)号：CN111982864B
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN201910438390.3
申请日：2019-05-24
Applicant: 南京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种激发光强相关的绝对光致发光量子效率测量方法，该方法包括以下步骤：步骤一：测量单一固定激发强度的绝对光致发光量子效率，步骤二：获得不同光强下的相对光致发光量子效率；步骤三：将步骤一中固定激发强度的绝对量子效率数值η与步骤二获得的相对光致发光量子效率比对，找到该激发强度下的相对光致发光量子效率R(x)并进行替换，其它激发强度下的相对光致发光量子效率也按该比例放大或缩小。本发明首先利用积分球测试系统测量单一固定激发强度的绝对PLQE，再与锁相测量系统获得的不同激发光强下的相对光致发光量子效率相互校准，能够快速并准确地测得材料在不同激发光强条件下的绝对光致发光量子效率。
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公开(公告)号：CN108630831B
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201710177638.6
申请日：2017-03-23
Applicant: 南京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种提高钙钛矿发光器件寿命的方法及钙钛矿发光器件，通过有机改性剂对钙钛矿发光器件中钙钛矿薄膜表面进行改性，将所述有机改性剂溶于溶剂中，钙钛矿薄膜应不溶于所述溶剂，利用旋涂法或浸泡法在钙钛矿表面形成改性层，并进行热退火；所述改性剂是一种能与钙钛矿薄膜表面的阳离子和阴离子形成化学键从而达到改性效果的有机化合物，包含直链或环状脂肪族化合物，芳香族化合物或杂环化合物。本发明通过对钙钛矿薄膜表面改性，有效的与未配位的阳离子和阴离子形成化学键，减少表面缺陷，提高钙钛矿薄膜的稳定性。制备的器件外量子效率在高电流密度下衰减减缓，可提高钙钛矿发光器件在高电流密度、高初始外量子效率下的寿命。
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