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发明公开
一种锡基钙钛矿薄膜及其制备方法和器件审中-实审

公开(公告)号：CN116322254A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202111552458.4

申请日：2021-12-17

Applicant: 南京工业大学

Inventor： 王建浦 , 常进 , 闵浩 , 张放 , 张雅

IPC: H10K85/50 , H10K71/12 , H10K30/50 , H10K30/60

Abstract: 本发明公开了一种锡基钙钛矿薄膜及其制备方法和器件，锡基钙钛矿的结构通式为ABX3‑CxByXz，其中A为能形成三维钙钛矿的有机或无机阳离子；B为Sn2+阳离子或Sn2+/Pb2+混合阳离子；C为能形成低维钙钛矿的有机阳离子；X为卤素阴离子；x：y：z＝0‑4：0‑1：0‑6。本发明采用溶液法，在溶剂氛围存在条件下，使薄膜在原位结晶过程中发生重结晶或二次生长，从而改善薄膜的结晶性，减少薄膜缺陷态密度，提高荧光量子效率，最终提高锡基钙钛矿光电器件的效率和稳定性。

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