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公开(公告)号：CN101614594A
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200910181576.1
申请日：2009-07-28
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种超导单光子探测器，包括：芯片固定平台、光纤固定平台、对光系统。本发明还公开了一种基于上述超导单光子探测器的封装方法，包括以下步骤：(a)将芯片的探测区域对准芯片固定平台的中间小孔；(b)固定尾纤，并通过光纤的另外一个接口输入一可见参考光；(c)在对光系统观察下，微调光纤出光口和芯片探测区域之间的位置，将光纤固定平台和芯片固定平台固定；本发明的单光子探测器可工作在1.8K－300K温度范围，升降温度不会影响光束和器件的对准；利用本发明的超导单光子探测器和方法封装好的探测器光子耦合效率高、工作稳定、可靠性高，可用于多次测量，可重复性好。
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公开(公告)号：CN101349712A
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200810022876.0
申请日：2008-07-31
Applicant: 南京大学
IPC: G01R23/16
Abstract: 本发明公开了一种利用超导约瑟夫森结检测太赫兹信号频谱的装置，其主要改进：1.是利用小型制冷机替代了原系统中的液氮杜瓦制冷。2.由DSP系统中的扫描电压模块，与一个外接的电压－电流转换电路，组成电压控制的电流源，替代原系统中超导约瑟夫森结的电流偏置电路。3.利于DSP数据采集和处理系统替代原系统中锁相放大器，数字万用表。本发明采用先进的DSP技术，将扫描信号的产生，自动化测量控制、锁相放大器等主要功能进行了集成，从而大大减小了仪器的体积，降低了成本，实现了仪器的智能化和小型化。
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公开(公告)号：CN100442659C
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200410064686.7
申请日：2004-09-20
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于NbN、AlN单晶薄膜制备技术的多层异质结构组成的体声波器件。采用射频磁控溅射和MOCVD的方法，以MgO单晶基片作为薄膜生长的种子层，在其上外延生长SiC、MgO、NbN、AlN多层异质外延薄膜，用微加工技术手段制备成器件。它包括MgO单晶衬底基片，NbN、AlN与NbN三层外延结构为体声波谐振器，其中NbN为器件电极；MgO、SiC和NbN外延薄膜组成的多层异质结构为体声波器件的布拉格反射器。本发明晶格失配小、能量损耗低，是一种具有极大实用价值和经济价值的体声波器件，广泛适用于微电子材料领域中。
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公开(公告)号：CN1471180A
公开(公告)日：2004-01-28
申请号：CN03131922.X
申请日：2003-06-18
Applicant: 南京大学
CPC classification number: Y02E40/64
Abstract: 本发明公开了一种高温超导材料本征结的制备方法，包括以下步骤：(1)手工剥离；(2)金属层保护；(3)固定；(4)光刻图形；(5)离子刻蚀；(6)绝缘保护；(7)超声清洗；(8)电极构造和连接；其特征是：在(5)中，采用低能离子刻蚀；在(8)中，在台式结构上构造两个顶电极。本发明的优点是：采用低能离子刻蚀，通过精确控制金属层厚度、刻蚀时间等参数，实现了对本征结结数目的初步控制，并进一步利用第二次离子刻蚀和采用补加刻蚀的方法，实现了对结数目的精确控制。该方法适用于各种高温超导材料本征结结数目的控制。
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公开(公告)号：CN120018765A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510099978.6
申请日：2025-01-22
Abstract: 本发明公开了一种基于NbN膜的高集成度超导量子器件倒装芯片及其制备方法，芯片从下到上依次设置为：下层芯片包括下层衬底、第一超导薄膜，第一金属柱子，上层芯片包括上层衬底、第二超导薄膜和第二金属柱子，其中：第一超导薄膜上制作共面波导传输线、第一套刻对准标记，第二超导薄膜上制作谐振器、第二套刻对准标记；上层芯片和下层芯片之间采用倒装技术，通过将下层芯片的第一套刻对准标记与上层芯片的第二套刻对准标记一一对准，将第一金属柱子与第二金属柱子连接在一起，从而使上下层芯片实现电性连接。本发明有助于减小器件的占地面积和提高集成度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119374730A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411623631.9
申请日：2024-11-14
Applicant: 南京大学
IPC: G01J5/10
Abstract: 本发明公开了一种超导氮化铌热电子测辐射热计制备方法，采用氧化硅/硅双层衬底；通过射频磁控溅射在衬底氧化硅面上生长出六氮五铌薄膜作为缓冲层，直流磁控溅射生长氮化铌薄膜；通过紫外曝光双层光刻胶绘制外部电极，磁控溅射生长钛薄膜和金薄膜，利用lift‑off剥离制备出电极；通过电子束曝光绘制平面螺旋天线图形，磁控溅射生长钛薄膜和金薄膜，利用lift‑off剥离，制备出天线；通过电子束曝光定义微桥图形，通过反应离子刻蚀把微桥的图形转移到氮化铌薄膜之上；在衬底硅面通过紫外曝光定义需要刻蚀的区域，通过FSE深硅刻蚀机蚀刻掉硅，制备悬浮桥结构。本发明在提高工作温度至9 K的同时保证了灵敏度性仍在pw/Hz1/2量级。
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公开(公告)号：CN119291972A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411485728.8
申请日：2024-10-23
Applicant: 南京大学 , 天深达(深圳)科创集团有限公司
Abstract: 本发明公开了一对基于倍频的太赫兹光电导天线发射器与探测器，涉及太赫兹技术领域，通过如下技术方案实现：其主体结构包括有光纤准直模块、聚焦透镜、光学倍频模块、发射器光电导天线、探测器光电导天线、外壳和底板。本发明所述的一对基于倍频的太赫兹光电导天线发射器与探测器，提出在泵浦光和探测光进入半导体开关之前，引入了光学倍频模块，可以将1560nm(±40nm)波长的探测飞秒脉冲激光倍频为780nm(±20nm)波长的飞秒脉冲激光，从而可以选择成本较低、工艺成熟的GaAs(或LT‑GaAs)来替代成本高昂的I nGaAs，作为半导体开关材料，是可行的低成本光纤太赫兹光电导天线探测器集成方案。
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公开(公告)号：CN118393618A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410290160.8
申请日：2024-03-13
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种新型聚焦可控等离子体透镜，包括石英基片和生长在石英基片上的金膜，所述金膜含多层不同半径的阿基米德螺旋线结构沟槽。本发明还公开了制备上述新型聚焦可控等离子体透镜的方法，以及将所述新型聚焦可控等离子透镜激发太赫兹表面等离激元并聚焦增强的方法。本发明通过改变入射至等离子体透镜的太赫兹偏振情况，根据相长干涉原理，实现了对太赫兹表面等离激元的聚焦增强。本发明改善了透镜结构，并具有聚焦可控，聚焦效果好的特点。
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公开(公告)号：CN113242027B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202110206157.X
申请日：2021-02-24
Applicant: 南京大学
IPC: H03F7/00
Abstract: 本发明公开了一种基于多个超导约瑟夫森结串联的阻抗匹配约瑟夫森参量放大器，包括输入输出端口、阻抗匹配传输线、非线性LC谐振器和直流偏置线，其中非线性LC谐振器由叉指电容和等效电感器构成，等效电感器由超导约瑟夫森结串联阵列及直流超导量子干涉仪构成，直流超导量子干涉仪由两个并联的超导约瑟夫森结组成的闭合环路构成，叉指电容连接阻抗匹配传输线，超导量子干涉仪的闭合环路处设置直流偏置线，通过调节直流偏置线的电流，改变直流超导量子干涉仪环路中的磁通，来实现非线性LC谐振器的频率调节。本发明有效降低了结构设计复杂度，实现非线性谐振器与外部传输线的阻抗匹配，总的谐振频率在较大范围内连续可调，器件性能稳定可靠。
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公开(公告)号：CN117647848A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311679473.4
申请日：2023-12-08
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种甚长波红外双极化探测单元及阵列式动态电感探测器，所述甚长波红外双极化探测单元通过周期结构单元按照数目规律竖向周期设置，使得电感吸收器的外轮廓成圆形，有效增强电感吸收器的吸收频率；所述阵列式探测装置包括若干个甚长波红外双极化探测单元，每个甚长波红外双极化探测单元搭配相同中心工作频率的电感吸收器和不同谐振频率的叉指电容器，当待测甚长波红外信号的电磁波频率与电感吸收器的中心工作频率一致时，待测甚长波红外信号被谐振探测单元阵列最大程度地吸收，且最大程度地被甚长波红外双极化探测单元检测。本发明检测甚长波红外信号灵敏度高，易于片上集成，制备工艺简单方便，读出系统简单，易于推广。
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