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公开(公告)号：CN109166878A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201811151396.4
申请日：2018-09-29
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开具有增透钝化层的纳米孔LED阵列芯片及其制备方法。本发明的LED阵列芯片，由N×N个发光单元组成，每个发光单元的阳极单独引出，所有发光单元共阴极；发光单元的有源区具有较深的纳米孔，纳米孔的深度超过量子阱层；GaN材料表面的介质薄膜层也分布有较浅的纳米孔，纳米孔的底部有介质薄膜。本发明通过有源区域上介质钝化层开槽，结合软膜纳米压印技术，使得有源区域的深纳米孔和钝化层的浅纳米孔可同时制备完成，有源区域的深纳米孔提高了辐射复合速率，钝化层的浅纳米孔构成了增透的钝化层，都有利于提高光子模式的逸出，提高出光效率和调制带宽。此外，本发明的制备方法避免了深刻蚀工艺，具有工艺简单、良率高的优点。
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公开(公告)号：CN109119519A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201811151385.6
申请日：2018-09-29
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种欧姆接触性能优化的光子晶体LED芯片及其制备方法。光子晶体LED芯片包括发光单元呈圆台结构，圆台上分布有光子晶体；正电极分布在表面平坦化的圆台结构的电流扩展层上，电流扩展层包含欧姆接触层和电流横向扩散层双层结构；负电极分布在N型掺杂GaN材料上，负电极与N型掺杂GaN材料的分界面上分布有光子晶体。本发明在没有图案的平坦的外延片表面沉积透明电流扩展层，并退火形成欧姆接触；本发明有源区域的光子晶体提高了发光效率和调制带宽，负电极与N型掺杂GaN材料分界面上的接触面光子晶体以及双层结构的电流扩展层优化了欧姆接触性能。
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公开(公告)号：CN107611155A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710765753.5
申请日：2017-08-30
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L27/15 , H01L27/118
Abstract: 本发明提供照明显示通信共用的GaN基微米尺寸LED阵列芯片及集成模块。集成模块由GaN基微米尺寸LED阵列芯片、偏置树电路、MOS开关阵列和现场可编程门阵列（FPGA）组成。LED阵列芯片由高速通信发光单元和低速通信发光单元构成，高速通信发光单元工作在较大电流密度下；低速通信发光单元工作在较小电流密度下。高速通信发光单元直接与信号源连接，传输高频交流信号；低速通信发光单元与MOS开关阵列连接，受FPGA控制选择导通一路以上的发光单元，实现照明、显示功能，并传输低频交流信号。本发明可以实现两通道的高速通信和多通道的低速通信，而且低频通信发光单元还具有照明和显示功能。
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公开(公告)号：CN107369746A
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201710764421.5
申请日：2017-08-30
Applicant: 华南理工大学
CPC classification number: H01L33/48 , H01L33/0075 , H01L33/20 , H01L33/60 , H01L33/62
Abstract: 本发明公开了一种化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔LED芯片及其制备方法。本发明的LED芯片为倒装薄膜结构，外延薄膜仅包含p-GaN层、量子阱层和n-GaN层，在p-GaN层下面是高反射率的金属反射电极，在n-GaN层上面是介质分布布拉格反射镜，金属反射电极和介质DBR构成谐振腔的反射镜，谐振腔的腔长是波长数量级。本发明制备方法将LED外延片的衬底通过第一次光电辅助化学腐蚀和第二次化学腐蚀去除，再通过金属键合使LED外延片分布在导热基板上，得到所述化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔LED芯片。本发明制备方法不需要引入额外的材料，因此不会造成外延生长设备真空腔室的污染，同时有利于降低谐振腔的长度。
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公开(公告)号：CN104183675B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201410327316.1
申请日：2014-07-10
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开基于区域激光剥离及化学腐蚀的GaN基LED制备方法，包括：在p型GaN上依次制作欧姆接触层、金属层，并制作新的支撑基底；在抛光后的蓝宝石表面按LED芯片尺寸进行激光刻槽，槽深度至所述新的支撑基底；将放置有掩膜板的蓝宝石样品进行区域激光剥离；将样品放置于腐蚀溶液中，溶液通过刻槽进入到与蓝宝石基底交界处的GaN层，并对其进行侧向腐蚀，最终完全去除蓝宝石基底，并且对GaN表面进行粗化；在去除基底的GaN表面上制作n型电极、钝化层，形成垂直结构LED芯片。本发明避免了传统激光剥离时由于激光光斑的不均匀性和光斑之间的交叠对GaN外延片的损伤，同时避免了传统的腐蚀技术要求较厚GaN厚度的弊端。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105914278A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610385587.1
申请日：2016-06-03
Applicant: 华南理工大学
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/005 , H01L33/10 , H01L33/105 , H01L33/32 , H01L33/46 , H01L33/465
Abstract: 本发明公开一种高光萃取效率的近紫外LED芯片及其制备方法。LED芯片的结构从下到上依次为金属基板、电镀种子层、反射电极层、p型氮化镓层、有源层、n型氮化镓层、二维光子晶体结构和n型金属电极；所述金属基板由高导热的金属组成，金属基板为铜材料，厚度范围为80～250μm；反射电极为区域沉积于芯片中心位置，电镀种子层为整层沉积，覆盖整个反射电极以及过道区；所述电镀种子层除了起电镀种子层作用外还在于保护反射电极层的扩散，防止造成芯片漏电失效。本发明所设计光子晶体结构，不仅具有较宽的光子禁带，并且所制备的光子晶体的参数使得LED芯片具有较高的光萃取效率。
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公开(公告)号：CN104183675A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410327316.1
申请日：2014-07-10
Applicant: 华南理工大学
CPC classification number: H01L33/0066 , H01L33/0075 , H01L33/0079
Abstract: 本发明公开基于区域激光剥离及化学腐蚀的GaN基LED制备方法，包括：在p型GaN上依次制作欧姆接触层、金属层，并制作新的支撑基底；在抛光后的蓝宝石表面按LED芯片尺寸进行激光刻槽，槽深度至所述新的支撑基底；将放置有掩膜板的蓝宝石样品进行区域激光剥离；将样品放置于腐蚀溶液中，溶液通过刻槽进入到与蓝宝石基底交界处的GaN层，并对其进行侧向腐蚀，最终完全去除蓝宝石基底，并且对GaN表面进行粗化；在去除基底的GaN表面上制作n型电极、钝化层，形成垂直结构LED芯片。本发明避免了传统激光剥离时由于激光光斑的不均匀性和光斑之间的交叠对GaN外延片的损伤，同时避免了传统的腐蚀技术要求较厚GaN厚度的弊端。
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公开(公告)号：CN102353017B
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201110306851.5
申请日：2011-10-11
Applicant: 华南理工大学
IPC: F21V5/04 , F21W101/10 , F21Y101/02
Abstract: 本发明公开LED汽车近光灯光学透镜，包括入射面及出射面，所述透镜的底面中心设有用于容纳LED的空腔，所述空腔的腔壁包括部分球面、部分柱面和部分柱面的顶部的自由曲面，构成所述的入射面；空腔的所述部分球面的外侧面和所述部分柱面的外侧面分别是两个不同的自由曲面，透镜的顶部是平面，透镜的顶部平面和部分球面外侧面的自由曲面构成所述的出射面。该透镜体积小，眩光效应低，光能利用率高，安装方便，并能产生满足国标GB25991-2010的配光要求的光型和照度分布。
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公开(公告)号：CN103022070A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210476298.4
申请日：2012-11-22
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开一种具有新型发光单元结构的大尺寸LED芯片，其衬底为长方体，而外延层分割成多个发光单元，发光单元侧壁制备有微结构，微结构呈随机分布或周期分布。对于导电型衬底，所述发光单元为圆柱形、正圆台形或倒圆台形，发光单元以并联的形式组成单个的大功率LED芯片；对于绝缘型衬底的大尺寸LED芯片，所述发光单元台形结构的台基和台面分别为圆柱形、正圆台形或倒圆台形，发光单元以串联或并联的形式组成单个的大功率LED芯片。本发明保持简单的芯片切割工艺，而对芯片内部的发光单元应用塑形技术和侧面粗化技术，并对电极优化设计，增强各发光单元的光提取效率和电注入效率，从而提高大尺寸LED芯片的发光效率。
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公开(公告)号：CN208489225U
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201821366071.3
申请日：2018-08-23
Applicant: 中山市华南理工大学现代产业技术研究院 , 华南理工大学
Abstract: 本实用新型公开了一种宽带高效的二维光子晶体LED倒装阵列芯片。该二维光子晶体LED阵列芯片单元为倒装结构，在透明衬底上由X行Y列的发光单元组成，其中X和Y的取值为大于4的整数；每个发光单元为结构相同的倒装结构，都包括GaN外延层、金属反射镜层、保护层、钝化层、n-电极和p-电极；从图形化处理后GaN外延片表面的p-GaN层到n-GaN层以及SOG形成二维光子晶体结构，实现对光子寿命和行为的调控，进而提高LED芯片的调制带宽和光萃取效率。采用深刻蚀隔离槽将单元，实现阵列单元之间的独立，降低阵列单元之间的光电串扰，具有高光效、高带宽和高集成度的优点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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