用于MMC的IGBT器件可靠性试验装置、系统及方法

    公开(公告)号:CN112946451B

    公开(公告)日:2021-11-02

    申请号:CN202110202180.1

    申请日:2021-02-23

    Abstract: 本发明公开了一种用于MMC的IGBT器件可靠性试验装置、系统及方法。该装置包括:驱动脉冲生成器、两个试验电路、两个供能电路,每个试验电路中都有IGBT器件,两个电容的电压绝对值达到MMC中IGBT器件的工作电压后,通过电感和电容的谐振作用,使IGBT器件的通态电流符合MMC工况应力特点,在IGBT完成一个试验周期后,电容的极性发生改变,在IGBT关断后,只需给电容补充损耗的电压即可快速达到IGBT器件的工作电压,满足IGBT进行下一试验周期的需求。采用本发明的试验装置、系统及方法,能够对IGBT器件进行可靠性评估,避免因IGBT的可靠性不高导致MMC无法正常工作的问题。

    一种测算功率器件栅极内阻的方法、装置及存储介质

    公开(公告)号:CN113092863A

    公开(公告)日:2021-07-09

    申请号:CN202110391454.6

    申请日:2021-04-09

    Abstract: 本发明公开了一种测算功率器件栅极内阻的方法、装置及存储介质,方法包括:构建双脉冲测试电路;根据驱动电源的驱动电压值、驱动外电阻的第一预设电阻值、待测功率器件的第一电极间电容值、第一电极间电容电压的第一变化率建立关于栅极内阻的第一计算关系式;改变驱动外电阻为第二预设电阻值,根据驱动电源的驱动电压值、第二预设电阻值、待测功率器件的第一电极间电容值、第一电极间电容电压的第二变化率建立关于待测功率器件第一端电压和栅极内阻的第二计算关系式;根据第一计算关系式和第二计算关系式计算得到栅极内阻的电阻值。通过实施本发明,采用简单的测试方法和常用的测试仪器即可计算得到功率器件的栅极内阻,具有较高的实用价值。

    一种MMC用功率半导体器件可靠性试验装置及方法

    公开(公告)号:CN113009308A

    公开(公告)日:2021-06-22

    申请号:CN202110202189.2

    申请日:2021-02-23

    Abstract: 本发明公开了一种种MMC用功率半导体器件可靠性试验装置及方法,所述装置包括:高压电容、放电电容、电感、被测功率半导体器件、续流二极管、辅助IGBT开关、预关断续流回路二极管、高压直流电源、驱动脉冲生成器、电流测量单元、电压测量单元、温度测量单元;所述装置的电路拓扑可以实现MMC用功率半导体器件的应力特点等效,填补了现有器件级可靠性试验装置模拟MMC换流器应力方面的空白。所述方法通过简单时序控制辅助IGBT开关的通断,即可在不影响被测功率半导体器件工况的情况下实现不同电容的投切,保证装置长时间稳定运行,控制过程简单,装置可靠性高。

    一种液体蒸汽介电强度测试系统及方法

    公开(公告)号:CN111190081A

    公开(公告)日:2020-05-22

    申请号:CN202010021105.0

    申请日:2020-01-09

    Abstract: 本发明涉及一种液体蒸汽介电强度测试系统及方法,包括:对测试腔体进行真空处理,向测试腔体内注入液体,测量测试腔体内的压强;将储液器移除,将测试腔体倒转,取出液体,恢复至标准大气压;将平行板电极连接至加压台进行加压;测量测试腔体内的压强,发送至上位机和加热控制器;加热控制器接收温度信号和压强信号,对加热装置和加压台进行控制;通过上位机接收压强测量仪表、加热控制器和加压台的数据信息,进行记录。本发明中的上述方法在实现真空处理、介质添加、液体介质加热,温度控制和压强控制便捷操作之外,能够对气液绝缘介质在不同状态下的击穿场强进行测试,保证实验可靠性和安全性,为绝缘介质的绝缘特性测试提供了重要方案。

    一种PEET振荡调节器件及IGBT子模块的制作方法

    公开(公告)号:CN110232234A

    公开(公告)日:2019-09-13

    申请号:CN201910481319.3

    申请日:2019-06-04

    Abstract: 本发明公开一种PEET振荡调节器件及IGBT子模块的制作方法,所述PEET振荡调节器件为绕有线圈的坡莫合金环;所述坡莫合金环为环状结构;所述线圈的第一接线端连接直流电源的第一接线端,所述线圈的第二接线端连接直流电源的第二接线端;将所述坡莫合金环套在具有产生PETT振荡功能的IGBT器件的金属电极上,通过调节所述线圈内直流电流的大小来调节所述IGBT器件产生的PETT振荡的参数。本发明可以对IGBT器件产生的PETT振荡进行调控,并放置于工业界的IGBT模块中,作为监测模块的辅助装置,在监测时调节线圈电流,以应用于后续对IGBT模块的状态监测过程。

    一种IGBT芯片的非接触式工作参数测量方法

    公开(公告)号:CN110133472A

    公开(公告)日:2019-08-16

    申请号:CN201910481839.4

    申请日:2019-06-04

    Abstract: 本发明提供一种IGBT芯片的非接触式工作参数测量方法。所述测量方法首先利用双脉冲测试电路的仿真模型确定表示IGBT芯片的工作参数与IGBT芯片工作过程中产生的PETT振荡信号关系的拟合函数,然后利用所述双脉冲测试电路,获取不同的工作参数的实际值对应的PETT振荡信号参数的实际值,得到测试数据,根据测试数据确定拟合函数中的待定系数,得到拟合函数模型;然后采用天线获取IGBT芯片实际工作过程中产生的PETT振荡信号,并根据所述函数模型和实际工作过程中产生的PETT振荡信号,获取IGBT芯片实际工作过程的工作参数,实现了IGBT芯片的非接触式测量,进而实现了高压电力系统换流阀和断路器等中的IGBT芯片的工作参数的实时在线监测。

    高压IGBT器件灌封用有机硅凝胶的沿面放电测试腔

    公开(公告)号:CN109856514A

    公开(公告)日:2019-06-07

    申请号:CN201910148629.3

    申请日:2019-02-28

    Abstract: 本发明公开了一种高压IGBT器件灌封用有机硅凝胶的沿面放电测试腔。所述沿面放电测试腔包括:上电极横梁、上端盖、上电极、腔体以及下电极;上电极横梁上设有攻丝通孔,上电极通过所述攻丝通孔与上电极横梁相连接;上电极横梁与上端盖固定连接;上端盖与腔体固定连接;下电极与腔体底部相连接;腔体底部设有下电极定位孔以及腔体密封胶圈定位孔;下电极底部设有下电极定位柱以及下电极密封胶圈固定孔;下电极定位孔与下电极定位柱相匹配,腔体密封胶圈定位孔与下电极密封胶圈固定孔相匹配;下电极底部还设有胶圈槽;上电极与下电极之间具有间距。采用该沿面放电测试腔能够提高有机硅凝胶的沿面放电测试腔密封性以及精确定位腔体内绝缘材料。

    一种导线电晕放电可听噪声处理方法

    公开(公告)号:CN105606968B

    公开(公告)日:2018-05-25

    申请号:CN201510989698.9

    申请日:2015-12-24

    Abstract: 一种导线电晕放电可听噪声处理方法,包括步骤:A、同时采集电晕放电可听噪声与电晕电流的时域波形;B、根据采集得到的电晕电流的波形,获得电晕电流脉冲所在的时刻,并获得电晕电流脉冲的时间间隔;C、确定第一个电晕电流脉冲所对应的可听噪声脉冲;D、根据电晕电流脉冲和可听噪声脉冲的一一对应关系,获得所有可听噪声脉冲所在时刻;E、去除所述可听噪声波形中无脉冲区间声压信号及噪声脉冲偏置信号。利用本发明的方法,能够实现对导线电晕放电可听噪声测量过程中的背景噪声的有效剔除。

    一种基于导线电晕放电的无线电干扰时域测量装置及方法

    公开(公告)号:CN107515364A

    公开(公告)日:2017-12-26

    申请号:CN201710732208.6

    申请日:2017-08-24

    CPC classification number: G01R31/1272

    Abstract: 本发明公开了一种基于导线电晕放电的无线电干扰测量装置及方法。该装置包括:时域测量天线、测量电阻、电压测量元件、电压采集元件和计算机,时域测量天线与测量电阻相连,时域测量天线与测量电阻均接地,电压测量元件与测量电阻并联,电压采集元件的输入端与电压测量元件相连,输出端与计算机相连,时域测量天线用于接收由导线电晕放电产生的无线电干扰电场的时域信号;测量电阻用于对所述时域测量天线进行分压;电压测量元件用于测量所述测量电阻两端的时域电压;计算机用于对时域电压进行处理,得到所述无线电干扰的时域特性。本发明提供的装置及方法,实现了对空间场强信号的实时采集和记录,能够较全面地获得电晕放电无线电干扰的特性。

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