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公开(公告)号：CN113542495A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202010247509.1
申请日：2020-03-31
申请人： 华为技术有限公司
IPC分类号： H04M1/72448 , H04M1/72454 , G01K3/08
摘要： 一种测量温度的方法及电子设备，涉及测温技术领域，可提高电子设备对不同被测对象进行温度测量的准确度。电子设备保存一个或多个温度补偿模型，该温度补偿模型具备采用距离传感器采集的距离对温度传感器采集的温度值进行温度补偿的功能。电子设备可接收第一操作，该第一操作用于触发测量温度；通过距离传感器采集第一距离，温度传感器采集被测对象的第一温度值；将第一温度值和第一距离作为输入，运行被测对象的温度补偿模型，得到温度补偿后的第二温度值；显示第一界面，该第一界面包括第二温度值；采用第一距离和第一温度值更新被测对象的温度补偿模型。更新后的温度补偿模型用于下一次对温度传感器采集的该被测对象的温度值进行温度补偿。
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公开(公告)号：CN113282545A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202010105240.3
申请日：2020-02-20
申请人： 华为技术有限公司
摘要： 本申请提供了一种合并数据的方法、装置、计算设备和存储介质，所属的技术领域为存储技术领域。该方法包括：在进行合并处理时，获取执行增量检查点事件获得的目标数据表的第一更新日志记录的元数据信息，其中，该元数据信息包括第一更新日志记录在内存中的目标数据表中的位置，根据第一更新日志记录的元数据信息，确定第一更新日志记录对应的散列度，根据该散列度，对第一更新日志记录进行合并处理。采用本申请，可以降低合并处理时的读写放大。
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公开(公告)号：CN109690786B
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN201780005921.9
申请日：2017-08-18
申请人： 华为技术有限公司
摘要： 本申请实施例提供一种异质结遂穿场效应晶体管及其制备方法，包括：第一绝缘层覆盖在衬底的上表面，第一异质结材料层覆盖在第一绝缘层的上表面上用于设置源极的一端，源极设置在第一异质结材料层的一端，第一异质结材料层另一端周围设置有第二绝缘层，隔离层设置在异质结层上，隔离层覆盖在源极的内侧；第二异质结材料层覆盖在第一异质结材料层的另一端、第二绝缘层以及第二绝缘层上，与第一异质结材料层形成异质结，漏极设置在第二异质结层上与源极相对的另一端；栅介质层覆盖在第二异质结材料层上位于源极和漏极之间的位置，栅极设置在栅介质层上。通过设置第二绝缘层进行隔离，显著减小边缘态导致的泄露电流，并利用二维材料形成异质结，避免了因晶格不匹配导致的界面缺陷。
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公开(公告)号：CN112805837A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201880098167.2
申请日：2018-09-30
申请人： 华为技术有限公司
发明人： 李伟
IPC分类号： H01L29/66
摘要： 本申请实施例提供一种栅控二极管，其包括衬底、层叠于衬底上的栅极、栅极绝缘层、第一二维半导体层、第二二维半导体层、源极和与源极间隔设置的漏极；栅极嵌设于衬底的表面，栅极绝缘层覆盖衬底设有栅极的表面；第一二维半导体层层叠于栅极绝缘层上，第二二维半导体层部分层叠于栅极绝缘层上，另一部分层叠第一二维半导体层上，第二二维半导体层与第一二维半导体层层叠的部分形成异质结，异质结在基底的正投影位于栅极在基底层的正投影内；源极与第二二维半导体层电导通且与第一二维半导体层绝缘，漏极与第一二维半导体层电导通与第二二维半导体层绝缘，栅控二极管的导电通路为由源极经异质结至漏极，或者由漏极经异质结至源极。
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公开(公告)号：CN109952820B
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201780070524.X
申请日：2017-04-17
申请人： 华为技术有限公司
摘要： 一种终端，该终端包括显示屏、中框、印制电路板PCB、电池以及后盖，显示屏、中框、PCB、电池以及后盖中的任意一个或多个包括M个区域，M个区域涂覆有相变储热材料；第一区域和第二区域为M个区域中的两个区域；第一区域涂覆第一相变储热材料；第二区域涂覆第二相变储热材料；第一相变储热材料和第二相变储热材料的相变温度不同。实施本发明实施例有利于提高终端上涂覆的相变储热材料的利用率。
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公开(公告)号：CN111412992A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN202010261169.8
申请日：2020-04-03
申请人： 华为技术有限公司
IPC分类号： G01J5/00 , G01K13/00 , G01S17/08 , G06K9/00 , G06F3/0481 , G06F16/9535 , H04M1/725 , H04M1/2745
摘要： 本申请提供了一种测量温度的方法及电子设备，该电子设备可以是集成了红外温度传感器的手机、平板等，该方法通过温度计软件测量人体、动物、其他物体等不同被测对象的温度，并针对不同的测温结果进行温度数据的智能化管理。在启动测温之前，可以结合当前的环境温度自动进行温度校准，或者根据用户的选择，进行温度校准；在测量温度的过程中，可以针对不同的测温模式，智能的识别并匹配被测对象，并根据不同的被测对象进行温度修正，以提高温度测量的准确性。在测温完成之后，用户可以通过温度计应用记录不同被测对象的温度数据，并可以将被测对象关联手机的通讯录、图库或者生物识别用户等，智能的管理温度数据，提高用户体验。
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公开(公告)号：CN110603646A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201780090410.1
申请日：2017-05-26
申请人： 华为技术有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L27/088
摘要： 一种隧穿场效应晶体管及其制备方法，该隧穿场效应晶体管包括：设置于衬底(11)上的半导体层(12)、设置于半导体层上阶梯状的栅介质层(13)、第一栅极(14)以及第二栅极(15)；其中，半导体层包括设置于半导体的第一掺杂类型的源区(121)、第二掺杂类型的漏区(122)，以及沟道(123)；栅介质层背对衬底的表面包括第一表面(1301)和第二表面(1302)，第一表面低于第二表面；第一栅极和第二栅极分别设置于第一表面和第二表面上，且第一表面和第二表面的高度差大于第一栅极的厚度，以使第一栅极与第二栅极不连接，实现第一栅极和第二栅极独立控制其下方的沟道的静电掺杂，且其电子的隧穿方向与栅电场方向相同，提高TFET开态时的隧穿电流。
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公开(公告)号：CN110440621A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910634169.5
申请日：2019-07-12
申请人： 华为技术有限公司
摘要： 本申请实施例公开了一种均热板，包括中空的壳体，壳体内设毛细结构及冷却介质，通过毛细结构实现冷却介质在壳体内的热循环，壳体的材质为钛金属或者钛合金，壳体的内表面设有膜层，膜层具有抗氧化功能。本申请实施例提供的均热器应用于电子设备中，其壳体材料选用钛金属或者钛合金，通过在壳体的腔室内表面形成一层抗氧化的膜层，让产品在具有良好工作可靠性的同时，实现了轻量化的工艺设计。
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公开(公告)号：CN110088912A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201780080089.9
申请日：2017-02-28
申请人： 华为技术有限公司
IPC分类号： H01L29/78
摘要： 一种隧穿场效应晶体管及其制造方法，该隧穿场效应晶体管包括：衬底层(21)；导电层(22)包括第一导电部(221)和第二导电部(222)，第一导电部(221)和第二导电部(222)覆盖在衬底层(21)的部分表面，第一导电部(221)的厚度大于第二导电部(222)的厚度；源区电极(23)覆盖在第一导电部(221)的外表面上；漏区电极(24)覆盖在第二导电部(222)远离第一导电部(221)的外表面上；第一绝缘层(25)位于衬底层(21)的上表面，且覆盖在源区电极(23)、导电层(22)和漏区电极(24)的外表面；栅极(26)覆盖在第一绝缘层(25)远离导电层(22)的表面上，且位于源区电极(23)与漏区电极(24)之间的空隙中；第二绝缘层(27)覆盖在第一绝缘层(25)和栅极(26)远离第一绝缘层(25)的表面上。所述隧穿场效应晶体管在提升器件的开态电流和开关比的同时，能够有效提高器件性能的均一性和可重复性。
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