公开(公告)号：CN111585483B

公开(公告)日：2021-05-18

申请号：CN202010471571.9

申请日：2020-05-28

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 甘醇 ,  张冲 ,  曲荣海

IPC: H02P6/28 ,  H02P21/22 ,  H02P27/12

Abstract: 本发明公开了一种开绕组永磁同步电机的相电流重构方法及控制系统，属于电机领域。包括：以逆变器II各桥臂的上开关管驱动信号为触发源，采集各触发时刻母线电流值和逆变器II各桥臂的上开关管驱动信号高电平总数，根据母线电流值和高电平总数获取带零序分量的三相电流值；进行定子电流的磁链分量、转矩分量和零序分量控制；根据比例谐振控制器所需零序电压的正负情况，对逆变器I的桥臂驱动信号和逆变器II的桥臂驱动信号进行移相对齐；根据矢量作用时间实施盲区移相，输出120°调制的SVPWM双逆变器驱动信号并控制电机。本发明只需一个电流传感器，通过移相对齐驱动信号，同时实现开绕组永磁同步电机零序电流抑制及相电流重构，提高系统稳定性。

公开(公告)号：CN109494969B

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN201811506249.4

申请日：2018-12-10

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 孔武斌 ,  高学鹏 ,  甘醇 ,  曲荣海

IPC: H02M1/08

Abstract: 本发明公开了一种碳化硅半导体场效应管的驱动电路，包括：PWM控制电路、驱动信号放大电路、开通电路、关断电路、栅极增流电路和电压变化率控制电路；本发明通过设置栅极增流电路，在SiC MOSFET开通过程中增大驱动电流，加快SiC MOSFET栅源电压的上升速度，从而提高了SiC MOSFET的开通速度；同时设置电压变化率控制电路，增加SiC MOSFET漏级与栅极之间的密勒电容，降低SiC MOSFET漏源电压变化率，从而减小了SiC MOSFET开通时的电流尖峰；在SiC MOSFET漏源电压不再变化后关断电压控制开关，避免串扰现象导致SiC MOSFET误导通，从而保证了SiC MOSFET的工作安全。

公开(公告)号：CN111342736A

公开(公告)日：2020-06-26

申请号：CN202010291661.X

申请日：2020-04-14

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 甘醇 ,  陈宇 ,  曲荣海 ,  倪锴

IPC: H02P25/18 ,  H02P25/092 ,  H02P29/028 ,  B60L15/20

Abstract: 本发明公开了一种开关磁阻电机变绕组驱动系统和在线软切换方法，属于在线软切换领域。系统包括控制器、驱动模块、功率变换器和变绕组模块；其中，所发明的变绕组模块可以在线改变开关磁阻电机相绕组中各个线圈的连接模式。本发明利用具有在线绕组串并联切换能力的开关磁阻电机驱动拓扑结构结合在线软切换方法，通过变绕组模块，在线改变了开关磁阻电机相绕组的连接方式，从而实现了相电感值的控制，有效实现了电机低速下的转矩性能的优化和高转速下的性能提升；利用开关磁阻电机相电流为零的区间进行绕组线圈的在线串并联切换以及故障绕组切除，实现了在线软切换，扩大了调速范围和电机故障容错能力。

公开(公告)号：CN110798121A

公开(公告)日：2020-02-14

申请号：CN201911003556.5

申请日：2019-10-22

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 甘醇 ,  高瑞卿 ,  曲荣海 ,  孔武斌

IPC: H02P25/08 ,  H02P21/14 ,  H02P21/18 ,  H02P21/22 ,  H02P27/08 ,  H02M7/515

Abstract: 本发明公开了一种基于晶闸管的磁场调制开关磁阻电机驱动系统，属于电机技术领域，包括：直流电源、多个单相逆变单元和直流注入桥臂；每个单相逆变单元包括组成逆变电路的上晶闸管、下晶闸管、中间开关管及其各自的反并联二极管；各个单相逆变单元的输出端口分别与开关磁阻电机的各相绕组的一端连接，为开关磁阻电机各相绕组注入带直流偏置的正弦电流；直流注入桥臂与电机绕组中性点连接，为正弦电流的直流偏置分量提供流通路径。本发明通过引入低成本的晶闸管和等效的SVPWM调制方法，在实现逆变功能的同时减少了IGBT数量，有效降低了系统成本和体积。

公开(公告)号：CN110798114A

公开(公告)日：2020-02-14

申请号：CN201911010502.1

申请日：2019-10-23

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 甘醇 ,  孟凡裕 ,  曲荣海 ,  俞志跃 ,  孔武斌

IPC: H02P21/18 ,  H02P21/14 ,  H02P25/08

Abstract: 本发明公开了一种重叠相电感的开关磁阻电机无位置传感器控制方法，对于三相电机，分别检测三相电感两端的电压值和电流值，通过虚拟磁链法确定三相电感：采用一阶傅里叶级数拟合三相电感波形，利用相重叠区间重叠相的电感，得到第三相的电感；将确定的三相电感值带入拟合的三相电感的直流分量与三相电感的对应关系，得到三相电感的直流分量和基波分量幅值；采用CLARK坐标变换，得到两相静止坐标系上α，β轴电感，从而得到转子位置信息。四相电机的控制流程与三相类似。本发明不需要引入位置传感器，无需脉冲注入，无负转矩产生，提高了系统的稳定性和可靠性，而且也无需预知电机参数和测算磁链表格，节省了控制器的存储空间。

公开(公告)号：CN110784152A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201910963322.9

申请日：2019-10-11

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 甘醇 ,  俞志跃 ,  曲荣海 ,  孔武斌 ,  孙剑波

IPC: H02P25/092 ,  H02P25/098 ,  H02P27/08

Abstract: 本发明公开了一种多相开关磁阻电机系统及其控制方法，包括直流母线电流传感器、位置传感器、多相功率变换器、多相开关磁阻电机、控制器；直流母线电流传感器的个数为一个，一端与直流母线电容的负极和直流电源的负极相连，另一端分别与多相功率变换器中各相半桥变换电路中下开关管的发射极相连。本发明通过将多相功率变换器的负直流母线进行分离，在分离的负直流母线上安装直流母线电流传感器，并通过直流母线电流传感器在特定的各相采样时间点上采集母线电流，仅利用一个直流母线电流传感器即可得到多相开关磁阻电机各相绕组电流，大大降低了系统的体积和成本，提升了系统的功率密度和鲁棒性，稳定性高。

公开(公告)号：CN110112893A

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：CN201910441920.X

申请日：2019-05-24

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 孔武斌 ,  高学鹏 ,  高慧达 ,  常亮 ,  甘醇 ,  曲荣海

IPC: H02M1/08

Abstract: 本发明公开了一种碳化硅半导体场效应管的驱动电路，包括：PWM控制电路、驱动信号放大电路、关断电路、栅极分流电路和电流变化率控制电路；其中，栅极分流电路在关断电路工作时开通，对SiC MOSFET的栅极电流进行分流，加快SiC MOSFET关断；并在漏源电压升到预设值时关断；电流变化率控制电路在漏源电压升到预设值时关断，降低漏电流变化率。本发明设置栅极分流电路，在SiC MOSFET关断过程中对栅极输出电流分流，加快栅源电压的下降速度，从而提高了SiC MOSFET的关断速度；另外，在SiC MOSFET关断过程中，电流变化率控制电路的关断降低了漏电流变化率，从而减小SiC MOSFET关断时的电压尖峰，两电路协同作用，实现了高栅源电压降压速度及低电压尖峰，保证了SiC MOSFET安全工作。

公开(公告)号：CN109494969A

公开(公告)日：2019-03-19

申请号：CN201811506249.4

申请日：2018-12-10

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 孔武斌 ,  高学鹏 ,  甘醇 ,  曲荣海

IPC: H02M1/08

CPC classification number: H02M1/08

Abstract: 本发明公开了一种碳化硅半导体场效应管的驱动电路，包括：PWM控制电路、驱动信号放大电路、开通电路、关断电路、栅极增流电路和电压变化率控制电路；本发明通过设置栅极增流电路，在SiC MOSFET开通过程中增大驱动电流，加快SiC MOSFET栅源电压的上升速度，从而提高了SiC MOSFET的开通速度；同时设置电压变化率控制电路，增加SiC MOSFET漏级与栅极之间的密勒电容，降低SiC MOSFET漏源电压变化率，从而减小了SiC MOSFET开通时的电流尖峰；在SiC MOSFET漏源电压不再变化后关断电压控制开关，避免串扰现象导致SiC MOSFET误导通，从而保证了SiC MOSFET的工作安全。