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公开(公告)号：CN104129752A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201410335881.2
申请日：2014-07-15
Applicant: 华中科技大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种跨尺度微纳米褶皱结构的制备方法，包括以下步骤：(1)清洗：将单晶硅片清洗干净并烘干；(2)匀胶：在单晶硅片上涂覆上一层光刻胶；(3)光刻：在单晶硅片上形成光刻胶阵列结构；(4)镀膜：在光刻胶阵列结构上镀上一层刚性薄膜；(5)热解：使光刻胶发生热解和收缩，刚性薄膜形成微纳米褶皱。本发明中光刻胶发生热解后形成的碳结构和刚性薄膜形成的微纳结构都具有较好的导电、导热性，可以用作微传感器、微燃料电池、生物芯片等微型器件的工作电极，能增大电极的比表面积及提高其工作效率。
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公开(公告)号：CN103771335A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201410017421.5
申请日：2014-01-15
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种用于仿壁虎脚微纳分级结构的制造工艺，包括：S1、使用LPCVD设备在洁净的硅片上热生长一层SiO2薄膜；S2、在有SiO2层的硅片表面旋涂光刻胶并进行光刻，制备出圆孔阵列图形；S3、使用缓冲氢氟酸溶液对暴露出的SiO2进行刻蚀，将光刻胶上的图形转移到SiO2层；S4、在样品表面镀一层Cu膜；S5、在丙酮或乙醇中进行超声，通过溶脱剥离工艺去除表面的光刻胶及光刻胶表面的Cu；S6、利用CVD-VLS生长工艺，以上述工艺制备的Cu为催化剂，以SiCl4为硅源，以H2为载气，生长Si微米线阵列；S7、在硅线表面镀一层Cu膜；S8、利用CVD-VLS生长工艺，以S7制备的Cu膜为催化剂，以SiCl4为硅源，以H2为载气，在Si微米线表面生长Si纳米线。本发明提供的微纳分级结构中Si微米线的表面分布有Si纳米线，即一种仿壁虎脚微纳分级结构，为干性黏附材料的设计与制造提供了一种解决方案。
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公开(公告)号：CN103588165A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310617991.3
申请日：2013-11-27
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种三维跨尺度碳电极阵列结构及其制备方法，该方法包括如下步骤：（1）清洗硅片，去除表面杂质和氧化层；（2）在硅片上涂覆负性光刻胶，并进行前烘；（3）用PDMS模板作为压印模板，进行压印工艺，得到光刻胶半球阵列结构；（4）用氧等离子体进行刻蚀，得到跨尺度的光刻胶阵列结构；（5）将跨尺度的光刻胶阵列结构进行热解，得到三维跨尺度碳电极阵列结构。该方法简单，便于控制，重复性好，制备的碳电极阵列结构稳定，具有大的比表面积和良好的生物兼容性，可广泛应用于微型超级电容、微型电池、生物芯片和微型传感器等微机电系统领域。
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公开(公告)号：CN103390688A
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201210145992.8
申请日：2012-05-11
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池表面覆膜结构的制备方法，包括：将硅片置于丙酮中，超声振动8～12分钟以去除有机油脂，然后用大量去离子水冲洗，将硅片置于浓硫酸与双氧水的混合溶液中处理，以清除有机残留物，并用大量去离子水冲洗，将冲洗后的硅片浸泡在浓度为2%的氢氟酸溶液中，取出硅片并用大量去离子水冲洗，以除去表面氧化膜，将冲洗后的硅片用氮气吹干备用，在室温状态下，将冲洗后的硅片浸入氢氟酸和硝酸银的混合液中刻蚀2～60分钟，以在硅片表面覆盖一层表面疏松的金属包覆物，采用清洗液浸泡硅片5～10分钟，以去除金属包覆物，用大量去离子水将硅片冲洗干净，用氮气将硅片吹干后备用。本发明疏水性较好，适合应用于大规模工业化生产中。
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公开(公告)号：CN103325700A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310168540.6
申请日：2013-05-09
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/60 , H01L21/288 , H01L21/74 , H01L23/528 , H01L23/532
Abstract: 本发明公开了一种通过自底向上填充实现通孔互联的方法，包括：（a）在基片的一个表面上加工制得盲孔；（b）在加工盲孔的基片表面上依次生长绝缘层、阻挡层和种子层；（c）向种子层表面上涂布光刻胶并填平盲孔，然后执行曝光及显影处理，以使光刻胶仅在盲孔底部的种子层表面上残留；（d）去除未覆盖光刻胶的种子层，而盲孔底部的种子层不受影响；（e）去除残留的光刻胶；（f）向盲孔中填充导电材料完成自底向上的生长；（g）减薄基片未加工盲孔的表面形成通孔，由此完成通孔互联过程。本发明还公开了相应的通孔互联结构产品。通过本发明，能够以便于操控、低成本、高效率的方式执行通孔电镀过程，并获得填充效果更好的通孔互联结构产品。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103258789A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310134208.8
申请日：2013-04-17
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种通孔互联结构的制作方法，包括：（a）在基片的一个表面上加工制得盲孔；（b）在加工盲孔的整个基片表面上依次淀积绝缘层和阻挡层；（c）在基片含阻挡层的表面上平铺贴合感光干膜并对其执行曝光显影处理，形成露出盲孔的开口；（d）以干膜作为掩膜，在盲孔底部的阻挡层上形成种子层，同时保持淀积于盲孔侧壁的阻挡层上没有种子层覆盖；（e）以通孔底部的种子层为引导介质实现自底向上的生长，然后对基片另一表面执行减薄处理，直至盲孔被形成为通孔。本发明还公开了相应的通孔互联结构产品。通过本发明，能够以便于操控、低成本、高效率的方式执行通孔电镀过程，并获得填充效果更好的通孔互联结构产品。
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公开(公告)号：CN103219418A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310099378.7
申请日：2013-03-26
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/109 , H01L31/0352 , H01L31/0336
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种基于TiO2/ZnO纳米异质复合结构的紫外光探测器结构，其最底层为基底材料，其上为叉指电极，并覆盖一层ZnO薄膜，薄膜之上为ZnO纳米棒，纳米棒表面为TiO2纳米结构。本发明还公开了所述紫外光探测器的制备方法：（1）在基底薄片上镀上金属电极形成叉指电极；（2）镀上ZnO薄膜；（3）合成ZnO纳米棒阵列；（5）在ZnO纳米棒表面形成TiO2纳米结构。本发明的紫外光探测器在保持ZnO紫外探测器超高光电流增益的同时引入TiO2纳米结构，形成异质结能够消除ZnO表面氧空穴陷阱态的影响，同时加快载流子分离减少复合，必然显著提高探测器的灵敏度和光电流增益，此外TiO2的包裹将显著提高探测器的化学稳定性。
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公开(公告)号：CN102613303B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201210084096.5
申请日：2012-03-27
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 一种磨浆机的制浆筒，属于磨浆机的组成部件，解决现有制浆筒加工难度大、强度低、破碎能力差、过滤精度控制能力低的问题，同时解决现有过滤筒无刃口，不具备破碎功能的问题。本发明包括上、下压板和M片环状制浆片，M片环状制浆片层叠为筒形，通过导杆固定于上、下压板之间，环状制浆片为圆环形，圆环上表面具有呈向心辐射状均匀分布的凹槽，圆环上表面相邻凹槽之间凸台部分具有朝向圆环中心的锯齿尖，圆环外圆周均匀分布凸耳，各凸耳上开有通孔。本发明实现了标准化，保证了过滤精度，刚度和强度兼备，物料破碎效果好，加工简单、成本低，安装方便，便于拆卸清洗和更换，同时避免了因部分损坏导致整个制浆筒报废的情况。
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公开(公告)号：CN102956548A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210445356.7
申请日：2012-11-09
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76898
Abstract: 本发明公开了一种电场辅助的硅通孔刻蚀工艺，包括步骤：（1）在单晶硅片上旋涂光刻胶并通过光学光刻或电子束光刻得到光刻胶图形；（2）镀上银膜或金膜；（3）在电场之中，采用HF、H2O2和去离子水的混合溶液作为刻蚀剂进行金属催化刻蚀；（4）去除光刻胶；（5）去除单晶硅片上残留的金属膜并进行清洗处理。本发明通过在刻蚀过程中控制电场强度，由此形成从数十纳米至数百微米尺度的各种微纳米尺度通孔结构。
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公开(公告)号：CN102886599A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201210388962.X
申请日：2012-10-12
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种扩散焊制备多层非晶合金与晶态金属复合结构的方法，包括以下步骤：对非晶合金薄片及晶态金属薄片进行切割、打磨和清洗，对非晶合金薄片及晶态金属薄片进行组装和固定，以形成固定后的工件，将固定后的工件放进真空扩散炉中进行焊接。本发明的复合结构可阻断非晶合金材料在剪切过程中剪切带的延伸，从而避免了纯非晶合金材料脆性大的问题，增强了抗剪切能力，此外，本发明能够使焊接后的非晶材料继续保持非晶特性，复合结构材料的抗剪切性较纯非晶合金材料得到很大的提高，韧性增强，焊接后薄片表面质量高、连接可靠。
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