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公开(公告)号：CN100554500C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200710121209.3
申请日：2007-08-31
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种在氧化锌纳米柱中实现钴掺杂的方法，属于准一维纳米材料和纳米技术领域。工艺为：将Zn和CoCl2相邻放置在瓷舟中作为蒸发源，用单晶硅片作为接收衬底放置在距离蒸发源4～6mm的正上方；将瓷舟置于管式炉中，充入100～200ml/min的氩气，5～7min后将氩气的流量保持在55～60ml/min，系统压强为大气压状态；将管式炉加热至800～820℃并保温80～120min，当温度达到设定温度时，通入5～10ml/min的空气10～20min，然后关闭空气的阀门；随炉冷却至室温，将样品取出，硅片表面的绿色沉积物为Co掺杂ZnO纳米柱。优点在于，获得的Zn1-xCoxO纳米柱纯度高、产率大，而且具有室温铁磁性，为自旋电子器件的实用化提供了材料基础。
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公开(公告)号：CN101372356A
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200810224592.X
申请日：2008-10-21
Applicant: 北京科技大学
IPC: C01G9/02
Abstract: 一种铝掺杂氧化锌纳米线的制备方法，属于光电信息功能材料领域。本方法以Zn粉和Al粉为蒸发源，相邻放置在三氧化二铝舟中，清洗后的硅片放置在蒸发源的正上方，距离源的垂直距离为1～2mm，然后将舟放入水平管式炉中；将管式炉升温至800℃～850℃，保温45～60min，在整个生长过程中，炉腔内始终充入40～50ml/min的氩气，生长结束后管式炉自然冷却到室温，取出硅片，在硅片表面沉积有Al掺杂ZnO纳米线。本方法无需真空设备，只需在常压条件下就可以合成出直径为40～370nm，长达30～150μm的Al掺杂ZnO纳米线，而且合成温度低，从而大大降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN101105996A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200710099377.7
申请日：2007-05-18
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种高温低磁场大磁熵材料化合物及其制备方法，属于磁制冷材料技术领域。化合物的化学组成为La(FeyCo1－y)13－xAlx，1.50≥x≥1.2，y的取值从0.075到0.15。该材料的M2随μ0H/M变化的曲线在居里温度是线性的，并且居里温度大于305K，在磁场变化为2T下，最大磁熵变化值的绝对值大于3J/kg.K。制备方法为：将La、Fe、Co、Al原材料按化学组分进行配比，放入熔炼炉中，抽真空至4×10－3Pa以上，通入氩气，熔炼冷却后得到成份均匀的化合物。将熔炼获得的化合物在900～1100℃下均匀化处理120～360小时，然后放入冰水中。其优点在于：制备工艺相对简单，低磁场高温下磁熵变大，可以和Gd组成复合材料应用于磁制冷空调中。
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公开(公告)号：CN100357499C
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200610088915.8
申请日：2006-07-26
Applicant: 北京科技大学
Inventor： 常永勤
Abstract: 一种制备室温铁磁性Zn1-xMnxO纳米线的方法，属于稀磁半导体纳米材料制备领域。工艺为：将硅片分别采用HCl和丙酮清洗干净；将Zn粉和MnCl2粉末作为蒸发源，相邻放置在石英舟中，硅片作为接收衬底，垂直放在两种蒸发源的交界处，硅片与蒸发源的垂直距离为6～8mm；将石英舟放入管式炉中，系统入口处通入气体，气体在出口处用橡胶管导入水中；系统通入300～400毫升/分钟的氩气，5～8min后将氩气流量改为30～50毫升/分钟；将管式炉加热到800～830℃，系统压强维持在大气压状态，保温120～150min后自然冷却至室温，得到大面积分布均匀的Zn1-xMnxO纳米线。优点在于：制备的Zn1-xMnxO纳米线具有很强的铁磁性，居里温度高于室温。
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公开(公告)号：CN110576253A
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201910798356.7
申请日：2019-08-27
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种CuCrZr合金的搅拌摩擦焊接方法，属于高强高导金属材料焊接领域。本发明首先对待焊板材进行焊前预处理，并采用固定装置将待焊板材装夹在焊接平台上，然后调整焊接参数进行焊接。待焊接件冷却至室温后，拆除固定装置，得到焊接件。采用本发明其焊缝强度可达母材强度的97％以上；焊件不存在气孔、夹杂、裂纹等缺陷；焊接过程中污染少，保证了焊缝组织不掺杂其他元素，焊后热应力小；操作简单，污染少，焊接效率高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109518106A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811308745.9
申请日：2018-11-05
Applicant: 北京科技大学
IPC: C22F1/18
Abstract: 一种钛钒连接去除钒合金中杂质元素的处理方法，属于金属材料领域。本发明利用纯钛金属与钒合金的固态扩散连接或在钒合金表面镀一层纯钛金属，通过在一定温度等温让纯钛持续吸收钒合金中杂质元素来提高钒合金的纯度。利用锻造并热处理完毕的纯钛密封包套中形成的钛钒扩散结合层，根据纯钛金属对于杂质元素(C、N、O)更强的亲和力，来吸附钒合金中的杂质元素在纯钛金属中形成Ti-(CNO)析出物，来减少钒合金中的杂质元素，防止钒合金在服役过程中的性能的退化。
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公开(公告)号：CN106868476B
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201710126624.1
申请日：2017-03-03
Applicant: 北京科技大学
IPC: C23C18/12
Abstract: 本发明属于涂层制备技术领域，涉及一种在钒合金基底上制备Er2O3涂层的方法。首先将Er(NO3)3·5H2O溶于无水乙醇中，并加入一定体积的火棉胶，经磁力搅拌后制成溶胶。通过旋涂法将溶胶均匀的涂覆在钒合金表面。然后在真空干燥箱中干燥，随后炉冷。最后在管式炉中热处理获得Er2O3涂层。本发明选择溶胶‑凝胶法结合旋涂法在钒合金基底上制备Er2O3涂层，制备的涂层均匀，无裂纹，厚度可控且具有操作简便快捷，成本低廉，反应温度低以及涂层成分单一等明显的优势,能够实现对Er2O3涂层厚度的控制。
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公开(公告)号：CN108913980A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810680973.2
申请日：2018-06-27
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明属于铝基复合材料材料制备领域，涉及一种利用氧化物弥散强化铝基复合材料的方法。通过粉末球磨、压制、烧结、挤压成型、热处理等步骤制备ODS 6063铝基复合材料板，热处理工艺条件为固溶温度525-535℃、固溶时间为4.5-5.5小时、时效温度为170-175℃、时效时间为10-11小时。本发明采用粉末冶金的方法在6063复合材料中实现了原位生长Al2O3纳米颗粒，且均匀弥散分布在基体中。制备出的ODS 6063复合材料成分均匀，致密度高。生产成本低，易于大规模生产。
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公开(公告)号：CN108251671A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201810014534.8
申请日：2018-01-08
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种掺杂氧化石墨烯增强ODS铜的制备方法，属于铜基复合材料制备技术领域。以雾化的Cu‑Al合金粉作为原料，向其中掺杂氧化石墨烯引入氧，与基体中的Al扩散结合形成Al2O3纳米粒子均匀分散在基体中，同时失去含氧官能团的石墨烯作为第二增强相分散在基体中，结合粉末冶金技术及后续塑性加工获得致密、强度高、加工性能优良的石墨烯增强ODS铜复合材料。本发明技术在提高铜基复合材料强度的同时又保证了其传导性能，石墨烯的加入也改善了传统ODS铜难加工的问题，适合大批量工业化生产。
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公开(公告)号：CN101748326B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200910235566.1
申请日：2009-10-19
Applicant: 北京科技大学
CPC classification number: Y02B30/66
Abstract: 本发明提供了一种具有NaZn13结构的含碳稀土-铁钴硅化合物的制备方法，属于磁制冷材料技术领域。本发明采用真空感应炉冶炼，抽真空2×10-1Pa以上，普通氩气的压力为-0.05MPa到-0.02MPa，熔炼温度在熔点上50℃到200℃，熔炼时间为3到20分钟，溶化后倒入紫铜材质的铸型中得到母合金，将熔炼好的母合金进行退火处理，制备出C的原子含量α为0.1-0.4的含碳稀土-铁钴硅化合物。本发明可以制备尺寸在3mm以上的大块体含碳稀土-铁钴硅化合物，退火时间大为缩短，同时得到的含碳稀土-铁钴硅化合物属于二级相变，没有热滞和磁滞，性能稳定可靠，居里温度可以调节到室温以上，用于磁致冷空调技术及更广泛的磁制冷技术中。
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