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公开(公告)号：CN104078528B
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：CN201310097882.3
申请日：2013-03-25
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/074 , H01L31/0352 , H01L31/0224
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 一种ZnO/α‑Si纳米径向异质结太阳电池及其制备方法，属于太阳电池领域。对石英玻璃进行清洗，在石英玻璃上生长单层AZO薄膜；在AZO薄膜上生长ZnO籽晶层；采用水热法在ZnO籽晶层衬底上生长ZnO纳米柱；在ZnO纳米柱上生长P型α‑Si；AZO薄膜上磁控溅射沉积Ag前电极，在P型α‑Si上印刷Al背电极；烧结完成电池制备。这种电池具有较低的反射率和良好电极接触，透明导电电极具有高的透过率和电导率，可以有效提高电池的效率。
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公开(公告)号：CN105839084A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201510398971.0
申请日：2015-07-08
Applicant: 北京工业大学
IPC: C23C20/08
Abstract: 一种多孔WO3/rGO复合薄膜的Sol-Gel配制方法，属于功能材料技术领域。在WO3溶胶中加入适量所制备的还原氧化石墨烯(rGO)分散液，充分搅拌得稳定的混合溶胶。本发明配制的溶胶比较稳定，可以用于制备多孔WO3/rGO复合薄膜，工艺简单，可重复性高，而且其所制备的薄膜具有良好的电致变色和光学性能，为发展节能、高效、低成本的WO3薄膜技术提供新思路。而且有利于发展高效的电致变色器件，为电致变色材料的普及和智能建筑材料的快速发展提供动力。
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公开(公告)号：CN105839045A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610237819.9
申请日：2016-04-17
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种提高烧结钕铁硼磁体防腐性能的方法属于稀土磁性材料及表面处理领域。本发明包括预处理，将钕铁硼磁体进行打磨、清洗；把预处理后的钕铁硼磁体放入真空炉内密封，通过真空泵抽取真空，炉内气压降到20pa以下时，充入0.1～0.2Mpa氮气，再抽真空，如此反复2～3次进行洗气。然后对真空炉升温，温度达到400～750℃后，充入氮气，使其压力保持在1×103～1×105pa的范围，处理时间控制在2～24h，待完成防腐处理后，随炉冷却，会在磁体表面生成一层厚度为1～50μm含有氮元素的化合物耐腐蚀层。本发明不仅操作简单，无污染，且处理过的钕铁硼磁体耐腐蚀性能强，适合于批量生产，且对磁体的大小和形状没有限制。
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公开(公告)号：CN105688893A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201610115334.2
申请日：2016-03-01
Applicant: 北京工业大学
IPC: B01J23/34
CPC classification number: B01J23/34 , B01J23/002
Abstract: 一种工业制备钙钛矿负载型催化剂的装置，属于催化材料的制备领域。主要由储液池、漏液箱、淋液传送台、沥干传送台、鼓风机，胶液回收池、过滤池和机械泵组成。储液池通过机械泵与漏液板相连，将淋液传送箱置于漏液板正下方，沥干传送台与淋液传送台相连，将鼓风机置于沥干传送台正上方，将胶液回收池置于两个传送台的下方，并通过过滤池，与储液池相连。本装置采用淋液浸渍的方式，提高了胶液的利用率，采用传送台移动载体，降低了劳动强度，从而降低生产成本。
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公开(公告)号：CN103137765B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201310044914.3
申请日：2013-02-04
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/068 , H01L31/075 , H01L31/0352 , H01L31/18 , H01L31/20
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 一种铝诱导晶化多晶硅薄膜太阳能电池及制备方法，属于晶硅薄膜太阳能电池领域。其结构依次包括：玻璃衬底、金属铝背反射层、P+型背表面场层、P型吸收层、N+型发射层，在P+型背表面场层和N+型发射层上均有金属电极。采用铝诱导晶化工艺，在玻璃衬底上依次沉积非晶硅薄膜和铝薄膜，厚度范围分别为100-150nm之间和100-120nm之间，经过450-500℃退火处理1-5小时，硅层和铝层位置会发生互换，同时非晶硅转变成晶粒尺寸为5-10μm的多晶硅，继续制备太阳能电池的P型吸收层、N+型发射层结构和金属电极。本发明理论上可以降低原先电池50%的厚度，大幅节约原料成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102992761B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201210536187.8
申请日：2012-12-12
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L41/187 , C04B35/493 , C04B35/622
Abstract: 一种应用于能量收集器件的具有高能量密度和高断裂韧性的压电陶瓷材料及制备方法，属于压电陶瓷材料领域。该陶瓷材料的基体化学组成为PbxSr1-x(Zn1/15Nb2/15ZryTi0.8-y)O3，并在其中掺杂基体材料质量z wt%的CoCO3，其中x的数值为0.90~1.00，y的数值为0.30~0.50，z的数值为0.00~1.00。以ZnO、Nb2O5、Pb3O4、SrCO3、ZrO2、TiO2和CoCO3为原料，采用湿磨、烘干、煅烧，二次球磨、造粒、压制成型、烧结步骤。本发明应用于能量收集器件，可以有效地回收再利用废弃的能量，且节能、环保、安全，具有显著的经济和社会价值。
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公开(公告)号：CN105293950A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510824861.6
申请日：2015-11-24
Applicant: 北京工业大学
IPC: C03C17/23
Abstract: 一种NiO纳米晶电致变色薄膜的制备方法，属于功能材料技术领域。采用注入法制备出NiO纳米晶，加入适量的正己烷，超声分散后充分搅拌得到稳定的墨水。然后采用提拉法制备NiO纳米晶电致变色薄膜。本发明配制的墨水比较稳定，可以用于大面积制备NiO电致变色薄膜，为发展绿色环保、低成本、高变色性能的NiO电致变色薄膜技术提供新思路，可促进NiO电致变色薄膜材料及智能窗产业化快速发展。
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公开(公告)号：CN103266352B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201310163296.4
申请日：2013-05-06
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种低成本高效多晶硅基薄膜的制备方法，属于晶硅薄膜太阳能电池领域。其工艺流程包括薄膜沉积和固相晶化两部分。首先，采用等离子增强型化学气相沉积法，在玻璃衬底上生长500-2000nm的前驱体硅基薄膜，通过调节反应气体中硅烷与氢气的比例，在薄膜内部引入不同含量的结晶成分；随后，将薄膜样品在500-600℃下退火处理4-12小时，薄膜内的非晶成分逐渐晶化，最终得到结晶性良好的多晶硅薄膜材料。本发明中，由于在前驱体硅基薄膜内引入结晶成分，固相晶化过程中不需要形核，有效降低了薄膜的晶化温度，缩短了晶化所需时间。
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公开(公告)号：CN104028285A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410210334.1
申请日：2014-05-17
Applicant: 北京工业大学
IPC: B01J27/04
Abstract: Cu2ZnSnS4/La2Ti2O7异质结光催化复合材料的制备方法属于光催化复合材料领域。该复合材料是采用水热法，通过原位生长的过程制备的。首先以La(NO3)3·6H2O和Ti(SO4)2为原料水热法制备出La2Ti2O7纳米片，再将CuCl2、ZnCl2、SnCl2、硫代乙酰胺按2:1:1:8的比例依次加入容有La2Ti2O7的乙二醇中，经过搅拌和超声，转入水热釜高压加热后，得到CZTS/La2Ti2O7复合物。CZTS均匀地分散生长在La2Ti2O7的表面，二者的良好结合有利于光生载流子更好地分离。通过半导体的复合，不但拓展了单一半导体的光响应范围，而且由于不同带隙半导体间光生载流子的输运与分离，抑制了光生电子－空穴对的复合，从而提高了复合半导体催化剂的光催化活性。
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