-
公开(公告)号：CN105241921A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510753767.6
申请日：2015-11-07
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01N25/20
Abstract: 一种无损测量行波管热阻构成的方法及装置，涉及微波真空电子器件检测技术领域。所述装置包括：热阻测试仪、测试探头和被测行波管。所述方法包括：将测试探头放入被测行波管的螺旋线内，测试二极管在工作电源提供的电压与电流下工作时产生的热量经传热触头传递到螺旋线，并经陶瓷夹持杆、管壳散热到周围环境，采集卡采集到加热过程中测试二极管的电学温敏参数的变化，并经计算得到被测行波管的散热通道的热阻构成。本发明实现了非破坏性地测量行波管的热阻构成并定点研究其散热情况，检测散热能力，测量无损伤、周期短、精度高、成本低，较现有技术有着明显的突破性。
-
公开(公告)号：CN102542101B
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201110427310.8
申请日：2011-12-19
Applicant: 北京工业大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明涉及一种快速判别温度应力加速实验失效机理一致性的方法，属于加速实验领域。该方法以Arrhenius退化模型为研究基础，结合威布尔寿命分布模型，得到了不同应力水平下，加速寿命实验失效机理一致性与形状参数的关系，然后针对加速实验中早期参数退化数据，计算其分布形状参数，从而在实验初期，快速判别不同实验应力下，失效机理机理是否一致。本发明提供一种实验初期快速判定失效机理的方法，避免了因失效机理改变而造成的无效加速实验，节省了实验时间。
-
公开(公告)号：CN102542101A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110427310.8
申请日：2011-12-19
Applicant: 北京工业大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明涉及一种快速判别温度应力加速实验失效机理一致性的方法，属于加速实验领域。该方法以Arrhenius退化模型为研究基础，结合威布尔寿命分布模型，得到了不同应力水平下，加速寿命实验失效机理一致性与形状参数的关系，然后针对加速实验中早期参数退化数据，计算其分布形状参数，从而在实验初期，快速判别不同实验应力下，失效机理机理是否一致。本发明提供一种实验初期快速判定失效机理的方法，避免了因失效机理改变而造成的无效加速实验，节省了实验时间。
-
公开(公告)号：CN101435852A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200810239394.0
申请日：2008-12-12
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种电学法测量结型半导体发光器件光效退化参数的方法属于半导体发光器件产品的质量监控领域。半导体发光器件(发光管和激光器)的发光效率η是决定产品退化和工作寿命的重要参数。发光效率的测量通常使用光学仪器。本技术利用光效与器件温升和热阻的关系，通过使用电学参数方法，测量器件的温升和热阻随老化工作时间的变化关系，测出发光器件光效的退化参数。本技术适用于半导体发光器件产品的质量监控，可靠性分析和寿命预测的生产和研究等领域。
-
公开(公告)号：CN1176421A
公开(公告)日：1998-03-18
申请号：CN96109786.8
申请日：1996-09-11
Applicant: 北京工业大学
IPC: G06F3/023
Abstract: 增值税发票的键盘录入、计算机接收方法及其录入器,属于税务数据处理技术领域。其特征是:它由输入原始数据、按“功能转换”键后用户判断进入录入器或计算器状态,若是前者则再判别录入或查询数据、若是后者则再判别计算或清除数据、录毕取出数据卡、税务专用计算机读卡等步骤组成,又提供一个单片机总线控制式的录入器电路原理图,具有插卡式结构、数据可在税务局和用户间双向传递、汉字提示下数据输入、存储的可靠性高、功耗低等优点。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119471279A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411611877.4
申请日：2024-11-13
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种基于阈值电压变化的异质半导体器件陷阱密度测试方法，涉及功率半导体器件陷阱测试及可靠性评估领域。包括：将被测器件与瞬态阈值电压测试电路相连接；在陷阱填充过程中对器件施加负栅压，在陷阱测试过程中对器件源漏段施加测试电流变获取源漏电压变化即为阈值电压变化量；同时利用结构函数发处理得到每个陷阱导致的阈值电压变化量，通过计算分别获取每个陷阱的陷阱密度。本发明通过电路设计实现异质半导体器件瞬态阈值电压测试及陷阱密度计算，该方法可应用于不同来源的异质半导体器件陷阱密度测试，具有较好的普适性。
-
公开(公告)号：CN113155893B
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202110336842.4
申请日：2021-03-29
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01N25/20
Abstract: 一种用于各向异性材料不同晶向导热系数比检测的装置与方法属于新型半导体材料及其可靠性研究领域。针对一些新型半导体器件材料具有明显的散热各向异性(如CNT、GaO等)问题，通过自主设计的高灵敏度、高精度热源芯片和测温芯片对薄层材料表面各向异性导热性能进行测试与表征。将热源芯片置于薄层材料表面，在不同晶向上分别放置双测温芯片，对热源芯片设定周期性变化的热源、测定不同晶向上双测温芯片的热传输延迟时间和热扩散速度，进而测量不同晶向导热系数比，实现对各向异性材料面内导热性能有效表征。该方法深入研究了材料横向传热的各向异性，弥补了对各向异性材料实现三维热特性测试的不足。
-
公开(公告)号：CN112505526B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202011419790.9
申请日：2020-12-06
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种大功率模块内部多芯片温度分布均匀性的评测方法，首先在不同测试电流下建立校温曲线库；其次，基于校温曲线，在不同的测试电流下，测得多个温度值；再次，计算不同测试电流测的温度之间的差值；最后，根据温度阈值与所测温度差值对比，即可在不破坏模块封装的情况下判别模块的温度分布情况。避免了在实际工程中无法判别模块内部温度分布均匀程度是否可以达标的问题。
-
公开(公告)号：CN115932529A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202310000309.X
申请日：2023-01-03
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种利用幅值响应表征GaN HEMT器件陷阱位置分布的方法涉及半导体器件可靠性领域。当GaN HEMT器件处于栅源电压和漏源电压偏置下，器件内部陷阱在恒定应力作用下被电子填充。应力结束后在器件漏源两端施加恒定电流，并监测其漏源电压随时间变化情况，即可表征陷阱释放过程。通过对这一陷阱释放过程中的瞬态电压变化进行测量，在时间常数谱的基础上对陷阱相应峰值进行分析处理，即可得到器件内部陷阱的绝对幅值。器件内部不同位置的陷阱填充与电场分布相关，电场强度增大时，同一位置对应陷阱幅值随之增大。本发明通过获取陷阱在不同偏置电压下的精确幅值变化，分析不同电压下电场对于陷阱填充的影响，从而实现对于陷阱位置分布的有效表征。
-
公开(公告)号：CN113176293B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202110334082.3
申请日：2021-03-29
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01N25/20
Abstract: 本发明公开了一种采用点阵接触方式测量异质结界面热导率的结构及方法，属于半导体材料及器件的电学和热学测试技术领域。所处测量结构包括：测温芯片和被测样品，其中测温芯片包括由多个二极管或肖特基结串联形成的测温端，以及由多晶硅图形的微加热器结构；被测样品由两种半导体材料及其异质结构界面组成，表面经过光刻等工艺处理，形成均匀分布的矩形矩阵。本发明通过设计一种测温芯片，将测温芯片与被测材料通过点阵矩阵的接触方式，通过测温芯片采集温度响应曲线，对被测材料建立热仿真模型并迭代异质结界面热导率进行求解，直至模型解与实际采集的温度响应曲线一致，即可提取出被测材料异质结界面的热导率。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
169
records
(took 0.023 seconds)
