-
公开(公告)号：CN1176421A
公开(公告)日：1998-03-18
申请号：CN96109786.8
申请日：1996-09-11
Applicant: 北京工业大学
IPC: G06F3/023
Abstract: 增值税发票的键盘录入、计算机接收方法及其录入器,属于税务数据处理技术领域。其特征是:它由输入原始数据、按“功能转换”键后用户判断进入录入器或计算器状态,若是前者则再判别录入或查询数据、若是后者则再判别计算或清除数据、录毕取出数据卡、税务专用计算机读卡等步骤组成,又提供一个单片机总线控制式的录入器电路原理图,具有插卡式结构、数据可在税务局和用户间双向传递、汉字提示下数据输入、存储的可靠性高、功耗低等优点。
-
公开(公告)号：CN1044407C
公开(公告)日：1999-07-28
申请号：CN94116558.2
申请日：1994-09-21
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种主要用于氨气报警、探漏、监测及定量测量等场合的氨敏半导体器件的制造方法，属于半导体制造技术领域，它是在常规的MOS工艺基础上另增加三个步骤，即用直流高压溅射氧化铝层和铂金属层；用电子束蒸发氧化锆薄膜层。用该方法制得的器件，具有高稳定性，高可靠性，并易于成批生产。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1180206A
公开(公告)日：1998-04-29
申请号：CN95117869.5
申请日：1995-12-22
Applicant: 吕长志 , 北京工业大学科学技术总公司
IPC: G06F17/60
Abstract: 增值税发票的键盘录入、计算机接收的方法及其纳税申报器属于税务数据处理装置,其特征在于:它由判别是否按第一次功能转换键、录入、是否按第二次功能转换键,判断是否按红外数字代码发送键、向税务局专用机发送数据等步骤顺次组成,在申报器内装有程序加密电路、掉电保护电路、红外发送线路和一个带功能转换、录入、发送等键的键盘,具有电路简单,存储量大、存储时间长、可无接触式地向税务局专用机输入纳税申报数据等优点。
-
公开(公告)号：CN1054221C
公开(公告)日：2000-07-05
申请号：CN96109786.8
申请日：1996-09-11
Applicant: 北京工业大学
IPC: G06F3/023
Abstract: 增值税发票的键盘录入计算机接收方法及其录入器，属于税务数据处理技术领域。其特征是：它由输入原始数据、按“功能转换”键后用户判断进入录入器或计算器状态，若是前者则再判别录入或查询数据、若是后者则再判别计算或消除数据、录毕取出数据卡、税务专用计算机读卡等步骤组成，又提供一个单片机总线控制式的录入器电路原理图，具有插卡式结构、数据可在税务局和用户间双向传递、汉字提示下数据输入、存储的可靠性高、功耗低等优点。
-
公开(公告)号：CN1129854A
公开(公告)日：1996-08-28
申请号：CN94116558.2
申请日：1994-09-21
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种主要用于氨气报警、探漏、监测及定量测量等场合的新型氨敏半导体器件，是由集成在一个硅片上的氨气测量管，加热电阻和温控二极管组成。该器件共四根电极引线，漏极和栅极共用一根；源极，加热电阻R2极和温控二极管的N极各单独一根引线。该器件制造方法是在常规的MOS工艺基础上另增加三个步骤，即用直流高压溅射氧化铝层和铂金属层；用电子束蒸发氧化锆薄膜层，用该方法制得的器件，具有高稳定性，高可靠性，并易于成批生产。
-
公开(公告)号：CN1011453B
公开(公告)日：1991-01-30
申请号：CN88102659
申请日：1988-05-11
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种应用于氢冷发电机漏氢监测装置中的新型氢敏半导体器件，是由集成在一个硅片上的氢气测量管，加热电阻和控温二极管组成。该器件共四根引线，漏极与栅极共用一根，源极、加热电阻R2端、控制二极管P极共用一根，其它为单独引出。该器件制造方法的特征在于，它是在磷蒸气保护下进行栅极氧化，用直流高压溅射氧化铝层和钯金属层，并对制好硅片进行高温退火处理。用该方法制得的器件，灵敏度高，氢气测量范围宽，器件稳定可靠。
-
公开(公告)号：CN1037617A
公开(公告)日：1989-11-29
申请号：CN88102659
申请日：1988-05-11
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种应用于氢冷发电机漏氢监测装置中的新型氢敏半导体器件，是由集成在一个硅片上的氢气测量管、加热电阻和控温二极管组成。该器件共四根引线，漏极与栅极共用一根，源极、加热电阻R2端、控制二极管P极共用一根，其它为单独引出。该器件制造方法的特征在于，它是在磷蒸气保持下进行栅极氧化，用直流高压溅射氧化铝层和钯金属层，并对制好硅片进行高温退火处理。用该方法制得的器件，灵敏度高，氢气测量范围宽，器件稳定可靠。
-
-
-
-
-
-
Search Results
7
records
(took 0.016 seconds)
